化學氣相沉積監測系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2015年10月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:化學氣相沉積監測系統
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2015年10月21日
- 所屬類別:物理性能測試儀器
化學氣相沉積監測系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2015年10月21日啟用。
化學氣相沉積監測系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標BOL-10000|| ||LED光源,波長405nm,950nm和1050nm測量溫度範圍500-1200°C,精度+-...
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2011年11月28日啟用。技術指標 MCVD機械控制系統,包括:機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣...
金屬有機物化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2006年7月1日啟用。技術指標 運行穩定:0-1200C;轉速:0-600RPM;樣品托盤:3*2;生長源氣:TMGa,TMAl,TMIn,CP2Mg,SiH4,NH3。主要功能 生長III-V族化合物...
射頻等離子增強化學氣相沉積系統 射頻等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年12月1日啟用。技術指標 反應室口徑600mm,沉積溫度200℃,重複率小於正負2.5%,均勻性小於正負5%。主要功能 鍍Dlc薄膜。
摻雜型金剛石化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2018年6月27日啟用。技術指標 工作電壓400V電流15A功率8kW/6kW (2.45 GHz)微波源功率/反應氣體Н2,СН4,N2,О2,Ar。主要功能 該設備包括微波發生系統、水冷系統...
甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統; 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室; 極限真空:10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si...
低壓化學氣相沉積生長系統 低壓化學氣相沉積生長系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2017年1月17日啟用。技術指標 1.設備類型。主要功能 製備各種碳材料薄膜。
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展起來的製備無機材料的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質、研製新...
超高真空化學氣相沉積,在低於10-6帕的非常低壓環境下化學氣相沉積的薄膜生長方法。其裝置主要包括:不鏽鋼生長室、靶台及加熱系統、預真空室及樣品傳送系統、生長室和預真空室各自配有真空系統、氣路系統、反射高能電子衍射(RHEED)及真空...
化學氣相沉積機 化學氣相沉積機是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2012年01月03日啟用。技術指標 高溫氧化物成膜均勻性 主要功能 TFT非金屬膜成膜。
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一般而言,"CVD" 所指的是非晶形薄膜的成長,這種成長方式歸類於"沉積"(Deposition);而 "VPE" 所指的是具有晶形的薄膜成長方式,這種方式歸類於"磊晶"(Epitaxy)。系統簡介 MOCVD成長薄膜時,主要將載流氣體 (Carrier gas) 通過有機...
金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD) ,用金屬有機化合物熱分解進行氣相外延生長的方法。套用 其基本原理是將含有外延材料組分的金屬有機化合物氣體通過載氣輸送到反應室,在一定溫度卜進行外延生長。MOCVD技術主安應少“於班一\,.族U...