超高真空化學氣相沉積，在低於10-6帕的非常低壓環境下化學氣相沉積的薄膜生長方法。其裝置主要包括：不鏽鋼生長室、靶台及加熱系統、預真空室及樣品傳送系統、生長室和預真空室各自配有真空系統、氣路系統、反射高能電子衍射（RHEED）及真空檢測系統。
基本介紹
- 中文名：超高真空化學氣相沉積
- 組成：不鏽鋼生長室、靶台及加熱系統、預真空室及樣品傳送系統、生長室和預真空室各自配有真空系統、氣路系統、反射高能電子衍射（RHEED）及真空檢測系統
- 環境：10-6帕的非常低壓環境
超高真空化學氣相沉積，在低於10-6帕的非常低壓環境下化學氣相沉積的薄膜生長方法。其裝置主要包括：不鏽鋼生長室、靶台及加熱系統、預真空室及樣品傳送系統、生長室和預真空室各自配有真空系統、氣路系統、反射高能電子衍射（RHEED）及真空檢測系統。
超高真空化學氣相沉積，在低於10-6帕的非常低壓環境下化學氣相沉積的薄膜生長方法。其裝置主要包括：不鏽鋼生長室、靶台及加熱系統、預真空室及樣品傳送系統、生長室和預真空室各自配有真空系統、氣路系統、反射高能電子衍射（RHE...
最基本的化學氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等幾種。特點 1）在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。2）可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積...
化學氣相沉積的方法很多，如常壓化學氣相沉積(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低壓化學氣相沉積(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化學氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、雷射化學氣相沉積(Laser CVD，LCVD)、金屬有機物化學氣相...
真空沉積技術是真空鍍膜。真空氣相沉積是利用熱蒸發或輝光放電、弧光放電等物理過程，在基材表面沉積所需塗層的技術。它包括真空蒸發鍍膜、離子鍍膜和濺射。另外，引入反應氣體 ( O2, N2, CH4, B2H6, H2S, …)可以在低溫條件下生成氧化...
大尺寸高溫化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月18日啟用。技術指標 1. 系統極度真空度： 低於0.5×10 Pa 2. 加熱系統： 沉積溫度達1600 ？C以上，1600 oC持續時間不少於24小時；多段（約12段）...
一、一般化學氣相沉積反應 在化學氣相沉積中，氣體與氣體在包含基片的真空室中相混合。在適當的溫度下，氣體發生化學反應將反應物沉積在基片表面，最終形成固態膜。在所有化學氣相沉積過程中所發生的化學反應是非常重要的。在薄膜沉積過程中...
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器，於2011年11月28日啟用。技術指標 MCVD機械控制系統，包括：機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣...
射頻電漿化學氣相沉積是電漿增強化學氣相沉積技術中的一種，其特點在於電漿是高真空度下氣體在射頻交變電場的作用下發生電離而產生。根據射頻電場耦台形式的不同，可以分為射頻感應耦合斌和射頻電容耦合式。原理及特點 原理是在...
電漿增強化學氣相沉積(PECVD)PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)技術是通過化學反應的方式，利用等離子能源，在反應器內使氣態或蒸氣狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術。電漿是在低真空...
石墨烯化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器，於2016年8月2日啟用。技術指標 1、全套石英器件，4條獨立控制氣路（氬氣、氫氣、高、低流量甲烷），氣體泄漏探測器。2、獨立三溫區，最高溫度...
氣相沉積儀是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年7月5日啟用。技術指標 成膜範圍直徑大於200mm，基板溫度低至300度，可以使用不少於4種工藝氣體成膜，沉積及清洗過程控制數位化、自動化，成膜質量穩定。射頻源：13.56MHZ 氣...
有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ，是在基板上成長 半導體 薄膜的一種方法。簡介 有機金屬化合物化學氣相沉積法簡稱MOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)或有機金屬化合物氣相外延法...
此類複合材料的製備工藝主要有真空熱壓、熱等靜壓和超塑成型/擴散結合等方法。製備方法 此類複合材料的製備工藝主要有真空熱壓、熱等靜壓、超塑成型/擴散結合和電子束氣相沉積等。碳化矽連續纖維增強金屬間化合物基複合材料比鋁基複合材料和...
本實驗以基於管式爐PECVD方法發生長氮化矽薄膜為例,旨在通過本實驗了解設備結構,了解真空技術在電漿制模過程中的套用,掌握電漿增強化學氣相沉積的原理、特點及其工藝過程。教學目標 1.理解PECVD的原理、特點及電漿的激勵方式;2....
2 電漿增強低溫化學氣相沉積設備 2.1直流脈衝電源特性 2.2電漿增強化學氣相沉積設備 3 物理氣相沉積設備及配套系統 3.1真空室 3.2真空獲得與真空泵 3.3進氣系統 3.4真空測量 3.5氣相沉積技術中的電源 參考文獻 第6章 預...
真空沉積系統 真空沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器，於2014年3月1日啟用。技術指標 φ400*600。主要功能 有機薄膜沉積。
金屬有機化合物化學氣相沉積裝置 金屬有機化合物化學氣相沉積裝置是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年10月8日啟用。技術指標 啟動機械泵和羅茨泵後真空室內低真空在20min內壓強低於5Pa。主要功能 各種光學薄膜元件的製備。
PACVD 離子加強化學氣相沉積是在高度真空環境，溫度低於 200 ℃的情況下，沉積極度光滑，粘著性能好的無定形金剛石硬質合金塗層。相對 PVD 工藝， PaCVD 工藝套用深鍍電源，無需陰極靶材，同時工件在爐膛中無需旋轉，該工藝為乾淨無污染...
超高真空化學氣相沉積（Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD：在非常低壓環境下的CVD工藝。大多低於10-6 Pa (約為10-8 torr）。註：在其他領域，高真空和超高真空大都是指同樣的真空度，約10-7 Pa。以氣相的特性分類 氣溶膠輔助氣相沉積（...
由此，浙江大學矽材料國家重點實驗室經過長期的研究，在超高真空環境下採用化學氣相沉積的方法製備的肖特基二極體具有較小的串聯電阻，提高了器件的使用頻率，使得肖特基二極體具有了更廣闊的套用前景。肖特基勢壘二極體的套用及發展 隨著移動通訊...
然而，由於化學氣相沉積和分子束外延都需要高真空或超高真空，因此相比於膠體量子點，外延量子點的成本較高。電場約束法 電場約束法是指，完全利用調控金屬電極的電勢使半導體內的能級發生扭曲，形成對載流子的約束。由於量子點所需尺寸在...