真空沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2014年3月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:真空沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2014年3月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 質譜儀器
真空沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2014年3月1日啟用。
真空沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2014年3月1日啟用。技術指標φ400*600。1主要功能有機薄膜沉積。1...
金屬真空熱沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年11月15日啟用。技術指標 基板裝置: *標準的樣品盤可以容納4片20 mm × 26 mm蒸鍍基片 *掩膜板通過PLC程式控制氣動元件,每個基片可以對應2個掩膜圖案。 *掩膜板的...
真空物理沉積系統 真空物理沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的儀器,於2017年11月28日啟用。技術指標 380V,50Hz,PC控制。主要功能 測量用。
真空鍍膜沉積系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的儀器,於2015年08月06日啟用。技術指標 機械泵(DUO)351台,抽速10L/s。真空計(PKR251)1套,量程5*10-9mbar~1000mbar。插板閥(HVA11221-0604R)1套,極限真空1*10-10...
高真空薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年10月21日啟用。技術指標 極限真空度: 外延室經烘烤 ≤5*10-8Pa 進樣室經烘烤 ≤1*10-5Pa 系統漏率: 外延式漏率 2.0*10-8Pa.1...
超高真空薄膜沉積系統 超高真空薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年7月8日啟用。技術指標 真空度:1*10^-4 pa。主要功能 有機薄膜沉積。
超高真空脈衝雷射沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2019年11月11日啟用。技術指標 主腔體:(1)本底真空度優於5E-9Torr; (2) 配置紅外雷射加熱和電阻加熱雙加熱系 統,最高加熱溫度不低於1100攝氏度;(3) 配置30 keV高...
電子束蒸發真空薄膜沉積系統 電子束蒸發真空薄膜沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的計算機及其配套設備,於2017年12月7日啟用。技術指標 380v,立式。主要功能 測量用。
多功能濺射沉積高真空系統 多功能濺射沉積高真空系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2009年11月16日啟用。技術指標 本地真空5.0e-4Pa。主要功能 進行氧化物薄膜濺射沉積。
PECVD沉積系統是一種用於動力與電氣工程、能源科學技術、計算機科學技術、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2008年5月1日啟用。技術指標 矽薄膜沉積設備,極限真空10-6,溫度可達250 ℃。主要功能 PECVD主要是對半導體材料矽的濺射。
高真空薄膜沉積儀是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2007年07月01日啟用。技術指標 1、真空抽氣系統:主沉積室:選用渦輪分子泵FB1200+機械泵2XZ-15機組抽氣,並設定旁路抽氣。(1)極限真空:系統經24小時烘烤,連續抽氣P≤6.6...
真空物理沉積 真空物理沉積是一種用於信息科學與系統科學領域的分析儀器,於2018年10月9日啟用。技術指標 真空檢測儀器。主要功能 測量用。
超高真空化學氣相沉積,在低於10-6帕的非常低壓環境下化學氣相沉積的薄膜生長方法。其裝置主要包括:不鏽鋼生長室、靶台及加熱系統、預真空室及樣品傳送系統、生長室和預真空室各自配有真空系統、氣路系統、反射高能電子衍射(RHEED)及真空...
兩個鍍膜腔體配備高真空鍍膜系統真空系統,真空度小於1.0E-06 mbar;金屬蒸鍍腔體配備INFICON 310C真空鍍膜控制器;有機蒸鍍腔體配備電腦控制真空鍍膜控制器。左側手套箱集成兩個鍍膜機,箱體內部尺寸不小於:高度900 mm,長度3000 mm,...
脈衝雷射氣相沉積系統是一種用於材料科學、機械工程領域的計量儀器,於2014年12月01日啟用。技術指標 真空腔的配置:包括氣相沉積腔和預真空腔;氣相沉積腔的腔體直徑為18”,並配有多個6”連線埠以利於系統升級;所有真空腔均採用渦輪分子...
原子層化學氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2008年10月8日啟用。技術指標 沉積高K介電薄膜,緻密無漏點,大面積且均勻性好;薄膜可低溫生長(從室溫到350℃),膜厚可精確控制在~1Å.。主要功能 微納...
雙室磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的儀器,於2015年07月21日啟用。技術指標 主濺射室:極限真空度(烘烤除氣後)8×10-6Pa,系統真空檢漏漏率5.0×10-9Pa/S,系統經大氣抽氣40分鐘可達到6.6×10-4Pa,停泵關機12小時...
多功能離子注入與沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月20日啟用。技術指標 1真空室:全不鏽鋼結構: 2.真空抽氣系統 3.高能氣體離子源(一套)4.高能金屬離子源(一套)5.低能濺射離子源(一套)6.離子束濺...
ALD原子層沉積系統是一種用於材料科學、物理學、電子與通信技術、動力與電氣工程領域的科學儀器,於2012年5月14日啟用。技術指標 沉積材料:Al2O3、ZnO 工藝溫度:最高500℃ 樣品尺寸:4英寸向下兼容 沉積速率: Al2O3 10nm/125cycle...
脈衝雷射沉積系統 脈衝雷射沉積系統是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2014年03月06日啟用。技術指標 溫度800℃,極限真空度6.67*10-6 Pa。主要功能 提供真空及加熱環境,薄膜沉積。
電漿增強氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月20日啟用。技術指標 氣路:N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2;清洗氣路: CF4/O2混合氣體;樣品尺寸:8英寸table,可沉積最大6英寸基片;射頻...
太陽能薄膜沉積系統 太陽能薄膜沉積系統是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2009年09月28日啟用。技術指標 真空系統配置,極限壓力,恢復真空時間等指標。主要功能 製備非晶矽和微晶矽薄膜等太陽電池器件。
真空鍍膜則是相對於上述的濕式鍍膜方法而發展起來的一種新型鍍膜技術,通常稱為乾式鍍膜技術。分類 真空鍍膜技術一般分為兩大類,即物理氣相沉積(PVD)技術和化學氣相沉積(CVD)技術。物理氣相沉積技術是指在真空條件下,利用各種物理方法...