脈衝雷射沉積系統是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2014年03月06日啟用。
基本介紹
- 中文名:脈衝雷射沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:化學
- 啟用日期:2014年03月06日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 汽車工藝實驗設備 > 紅外線汽車排氣分析儀
脈衝雷射沉積系統是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2014年03月06日啟用。
脈衝雷射沉積系統 脈衝雷射沉積系統是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2014年03月06日啟用。技術指標 溫度800℃,極限真空度6.67*10-6 Pa。主要功能 提供真空及加熱環境,薄膜沉積。
脈衝雷射沉積鍍膜系統是一種用於動力與電氣工程領域的雷射器,於2016年4月9日啟用。技術指標 1、最大wafer直徑 2” 。2、最大靶材數量 6個1” 或3個2” 。3、壓力(Torr) 10-6 。4、真空室直徑 18”. 5、最高樣品溫度 850℃。主要功能 可用來製備納米厚度的金屬、半導體、超導材料、氧化物、氮化物、...
超高真空脈衝雷射沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2019年11月11日啟用。技術指標 主腔體:(1)本底真空度優於5E-9Torr; (2) 配置紅外雷射加熱和電阻加熱雙加熱系 統,最高加熱溫度不低於1100攝氏度;(3) 配置30 keV高氣壓高能電子束衍射系統 ,可在最高不低於0.4 Torr氧壓下原位監控樣品生長;(4...
脈衝雷射沉積和磁控濺射雙模式沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月29日啟用。技術指標 本底真空度10(-8)Torr;3/6 PLD 靶材 和 2個濺射靶源; 直徑50mm 沉積襯底可旋轉,可加熱至900度; 氧氣和氬氣流量可控制等。主要功能 系統真空腔室中可完成PLD和測控濺射兩個方式沉積鍍膜。
脈衝雷射沉積薄膜系統是一種用於物理學、化學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月10日啟用。技術指標 真空室直徑Ф 500mm。主腔室(PLD chamber):本底極限真空度 主要功能 製備半導體材料、沉積複雜氧化物薄膜、合成新的高溫超導材料、鐵電材料、電-光和光學材料、透明導電氧化物...
脈衝雷射濺射沉積系統 脈衝雷射濺射沉積系統是一種用於物理學領域的計量儀器,於2009年12月30日啟用。技術指標 真空室450mm、極限真空1*10-5Pa、襯底最大700℃。主要功能 氧化物薄膜製備。
脈衝雷射沉積與熱蒸發組合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年12月11日啟用。技術指標 主腔體背景真空可達1*10-10 Torr;主腔體能夠同時裝六個靶材;採用雷射加熱與紅外測溫,生長溫度可達1000 °C;具有高壓RHEED,可在2-~30 Pa氧壓下工作。主要功能 用於生長組合薄膜。
脈衝雷射沉積設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2005年9月1日啟用。技術指標 真空度6.7×10-7Pa ;基板尺寸2 ;最高加熱溫度850℃ ;靶托6個,Φ20mm ;雷射器:Nd:YAG,355nm,10Hz,5ns,200mj/pulse。主要功能 用於高溫超導薄膜,各種氮化物與碳化物薄膜,複雜的多元氧化物薄膜以及納米材料薄膜,多層結構和...
《氧化物熱電薄膜材料的脈衝雷射沉積與熱電性能最佳化》是依託北京科技大學,由陳吉堃擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 熱電薄膜材料的生長是進一步製備微型熱電器件從而實現熱能與電能在微尺度內相互轉換的重要基礎步驟。同時,通過維度的降低可以有效調節熱電材料能帶結構與能態密度分布,為實現電導率與賽貝克係數的...
脈衝雷射沉積腔室 脈衝雷射沉積腔室是一種用於物理學領域的分析儀器,於2017年3月28日啟用。技術指標 真空度:小於10-9mbar;可放置6塊圓形靶材。主要功能 用於在不同的襯底上沉積氧化物薄膜和異質結。
雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年5月6日啟用。技術指標 超高真空沉積腔體,本底真空優於10-9mbar雷射能量 700mJ,頻率 100 Hz。主要功能 雷射分子束外延系統(LMBE)是在傳統的分子束外延(MBE)和脈衝雷射沉積系統(PLD)的基礎上發展而來的,PLD與提供原位監測的反射高能...
《脈衝雷射沉積製備ZnCdTe薄膜的太赫茲波段的物理性質研究》是依託山東師範大學,由劉玫擔任項目負責人的專項基金項目。項目摘要 本項目主要利用有限差分法和蒙特卡洛法對脈衝雷射沉積方法製備高質量的ZnCdTe薄膜材料在太赫茲波段性質的研究和探討,並對其結晶質量和其他性能引起太赫茲波段光譜變化規律進行分析和總結。...
《不同化學計量比B-C系列薄膜的脈衝雷射沉積與成分控制》是依託武漢理工大學,由張聯盟擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 項目以不同化學計量比B-C系列薄膜的最佳脈衝雷射沉積工藝及其組成成分控制為研究目標,重點研究B-C陶瓷的放電等離子反應燒結,揭示原料配比、模具滲碳與B-C陶瓷中硼碳比之間的變化規律及其...
脈衝雷射分子束外延系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月22日啟用。技術指標 TSST-PLD/PVD複雜氧化物薄膜材料的單層沉積,實現包括金屬,氧化物和半導體材料的多材料,多組分沉積。主要功能 PLMBE是將雷射聚焦於靶材上一個較小的面積,利用雷射的高能量密度將部分靶材料蒸發甚至電離,使其能夠脫離...
提供雷射分子束外延系統原位監測的RHEED的電子槍通常需要工作在較高的真空環境下(小於10-6mbar),但LMBE系統在成膜過程中往往需要較高的工藝壓力,我們的LMBE採用的是STAIB公司生產的差分抽氣RHEED,系統的最高工作氣壓可達100Pa。主要功能 雷射分子束外延系統(LMBE)是在傳統的分子束外延(MBE)和脈衝雷射沉積系統...
南京大學物理系脈衝雷射沉積實驗室是南京大學物理學院的重要組成部分。機構簡介 亞里士多德生前在呂克昂學院講課,去世後該學院的第11代繼承人安德羅尼柯整理亞里士多德的舊稿與講義,編纂了當時所能收集到的亞里士多德全部遺稿。有形物體的學說著作編在一起,取名《物理學》(希臘語作tà physiká ,拉丁語作physica)...
解決這些問題就要求研究脈衝雷射沉積的過程及其中機制。脈衝雷射沉積的過程可分為三個階段,1.雷射對靶的燒蝕形成電漿,2.電漿在氣氛氣體中從靶到襯底的輸運,3.輸運到襯底表面的物質形成薄膜。我們系統地研究了這三個階段所涉及的基本物理過程。在研究雷射燒蝕過程中,提出薄膜表面顆粒物來自雷射輻照靶表面所...
本項目將利用已具備的脈衝雷射沉積系統和非線性光電測試設備,在複合薄膜中有選擇地同時摻雜兩種金屬,在提高非線性光學效應的同時有效地改善薄膜的線性共振吸收,並研究不同金屬顆粒的光電性能的差異以及顆粒的排列方式對非線性光學效應的影響,研製出新型的、具有一定套用價值的複合薄膜材料。
本項目以3d、4d 過渡金屬氧化物薄膜與異軌道界面為對象,除了一般的電、磁物性表征之外,採用中科院強磁場科學中心獨特的磁場下二次諧波產生(SHG)、磁場下太赫茲時域光譜(THz-TDS)、強磁場下磁力顯微鏡(MFM)等先進技術手段,系統探索了多重量子序等關聯物性。 項目團隊不僅通過脈衝雷射沉積系統,生長了系...
多功能原子力顯微鏡、變溫探針台、鐵電測試儀、介電頻譜儀等光電子學測試系統,以及高真空脈衝雷射沉積系統(PLD)、原子層沉積系統(ALD)、高性能納米材料製備系統、電子束蒸發設備、電漿增強化學氣相沉積系統、溶膠-凝膠(Sol-Gel)系統、雙面光刻機、感應耦合電漿刻蝕機等材料和器件的製備系統,依託單位...
實驗室使用面積2000多平米,儀器設備總值1400餘萬元,擁有高分辨透射式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、雷射雷達、脈衝雷射沉積鍍膜系統、大功率雷射器、變溫光譜測試系統、氣凝膠納米材料儀,大口徑遠距離夜視觀察系統,磁控濺射薄膜製備系統,光纖壓力感測系統,全反射X螢光分析儀等一批系統配套的大型儀器設備,具有本世紀初...
1978年開始,他又將溶劑萃取化學的研究重點轉向當時國內開展較少的溶劑萃取動力學,對鈾、釷從水相至有機相的萃取速率和傳質過程進行了研究,並提出將雷射誘導螢光和光導纖維相結合用於測定微量鈾的新技術,成功地用於研究鈾的溶劑萃取動力學。為了系統地反映國內外化學家在化學分離科學領域中的成就,他負責主編《化學...