脈衝雷射沉積薄膜系統是一種用於物理學、化學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月10日啟用。
基本介紹
- 中文名:脈衝雷射沉積薄膜系統
- 用途:製備半導體材料、沉積複雜氧化物薄膜、合成新的高溫超導材料、鐵電材料、電-光和光學材料、透明導電氧化物、功能陶瓷、納米粒子、鐵磁材料等薄膜材料
- 產地:美國
- 學科領域:物理學、化學、工程與技術科學基礎學科、材料科學
- 啟用日期:2012年12月10日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備 > 熱處理加工工藝實驗設備
脈衝雷射沉積薄膜系統是一種用於物理學、化學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月10日啟用。
脈衝雷射沉積薄膜系統是一種用於物理學、化學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月10日啟用。技術指標真空室直徑Ф 500mm。主腔室(PLD chamber):本底極限真空度 1主要功...
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脈衝雷射沉積鍍膜系統是一種用於動力與電氣工程領域的雷射器,於2016年4月9日啟用。技術指標 1、最大wafer直徑 2” 。2、最大靶材數量 6個1” 或3個2” 。3、壓力(Torr) 10-6 。4、真空室直徑 18”. 5、最高樣品溫度 850...
即達到高級要 教學目標 (1)了解脈衝雷射沉積系統的組成部分以及氧化物的成膜原理。(2)掌握薄膜製備研究的基本方法和思路。(3)了解X射線衍射、原子力顯微鏡的基本原理,以及分析樣品的物相和形貌的基本方法。
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脈衝雷射沉積腔室 脈衝雷射沉積腔室是一種用於物理學領域的分析儀器,於2017年3月28日啟用。技術指標 真空度:小於10-9mbar;可放置6塊圓形靶材。主要功能 用於在不同的襯底上沉積氧化物薄膜和異質結。
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濺射一般是在充有惰性氣體的真空系統中,通過高壓電場的作用,使得氬氣電離,產生氬離子流,轟擊靶陰極,被濺出的靶材料原子或分子沉澱積累在半導體晶片或玻璃、陶瓷上而形成薄膜。脈衝雷射沉積(Pulsed Laser Deposition,PLD),也被稱為...
《外場控制雷射沉積超導薄膜均勻性與膜面質量》是依託華中科技大學,由劉大明擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 作為高曙超導最有希望實用化的材料,超導薄膜正受到學術界的極大重視。脈衝雷射剝離法以其沉積速率快、基片溫度低、...
本項目採用磁控濺射和脈衝雷射沉積技術,製備3d過渡金屬元素TM(TM=Mn、Co、Cr等)摻雜或共同摻雜的SiC基DMS薄膜,探索此類薄膜系統的新現象新規律,實現薄膜居里溫度高於室溫的可控生長。利用XRD、XPS、TEM、SQUID、PPMS、XMCD、XAFS等技術...
利用脈衝雷射沉積技術和化學溶液沉積技術在鋁酸鑭和氧化鋁單晶基片上外延生長了鉍鍶鈷氧薄膜。系統研究了氧壓、溫度、退火條件等實驗參數對薄膜晶體結構、微結構及熱電輸運性能的影響規律及物理機制。在最佳實驗條件下製備的高質量外延薄膜的...
薄膜製備及性能表征 薄膜的製備方法主要分為:物理氣相沉積 (PVD),包括濺射 (sputtering)、雷射脈衝沉積 (PLD)、分子束外延 (MBE)等;和化學氣相沉積 (CVD),包括金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)、溶膠凝膠 (sol-gel)等。這幾種...
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利用準分子脈衝雷射沉積技術在單晶矽襯底上外延生長具有C軸取向的鈮酸鋰薄膜,探索具杏帕脊獠ǖ夾閱艿謀∧さ淖羆焉ぬ跫?利用表面物理的技術手段對矽基鈮酸鋰薄膜的表面形貌、結晶形態及化學組成進行系統的研究,從而探明影響薄膜光波導...
實驗室使用面積2000多平米,儀器設備總值1400餘萬元,擁有高分辨透射式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、雷射雷達、脈衝雷射沉積鍍膜系統、大功率雷射器、變溫光譜測試系統、氣凝膠納米材料儀,大口徑遠距離夜視觀察系統,磁控濺射薄膜製備系統,...