脈衝雷射分子束外延系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月22日啟用。
基本介紹
- 中文名:脈衝雷射分子束外延系統
- 產地:德國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2015年10月22日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
脈衝雷射分子束外延系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月22日啟用。
脈衝雷射分子束外延系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月22日啟用。技術指標 TSST-PLD/PVD複雜氧化物薄膜材料的單層沉積,實現包括金屬,氧化物和半導體材料的多材料,多組分沉積。主要功能 PLMBE是將雷射聚焦於靶材上...
超高真空沉積腔體,本底真空優於10-9mbar雷射能量 700mJ,頻率 100 Hz。主要功能 雷射分子束外延系統(LMBE)是在傳統的分子束外延(MBE)和脈衝雷射沉積系統(PLD)的基礎上發展而來的,PLD與提供原位監測的反射高能電子衍射儀(RHEED)...
雷射分子束外延系統(LMBE)是在傳統的分子束外延(MBE)和脈衝雷射沉積系統(PLD)的基礎上發展而來的,PLD與提供原位監測的反射高能電子衍射儀(RHEED)相結合,使得系統能夠實現類似於MBE的,單原子層精度的薄膜生長。相比於MBE的熱蒸發...
由於採用四極質譜儀對分子束的強度、相對比進行監控,並將測到的信息反饋到各個噴射爐,就可以精確地控制結晶生長。如果再裝上高能電子衍射儀及其他分析儀器,則可以進行沉積系統中結晶生長過程的研究。利用分子束外延不僅製取了雙質結雷射...
把分子束外延和脈衝雷射結合起來,發展成所謂雷射分子束外延(L-MBE)技術。它是用雷射照射靶來代替分子(原子)束源,更容易實現對蒸發過程精確的控制,顯示了比常規分子束外延更加廣闊的套用前景。分子束外延可能的套用領域由:在高溫超導...
LMBE450A雷射分子束外延系統是一種用於物理學、生物學、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2010年1月20日啟用。技術指標 1.極限真空優於:5.0x10-8Pa(經烘烤除氣後)2.真空漏率小於2.0x10-8Pa.l/S 3.系統從大氣開始抽...
雷射分子束外延真空腔體是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月17日啟用。技術指標 外延室: 直徑500mm不鏽鋼球形腔體,裝配有靶組件、基片台等部件及多種視窗/觀察窗、接口、樣品傳遞(磁傳送桿) 外延室背底真空...
超高真空雷射分子束外延系統 超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標 RHEED振盪。主要功能 可提供多種氧化物單晶薄膜製備,並實現原位金屬電極沉積。
No.2001C21)資助項目。收稿日期: 2003-7-31 修改稿日期: 2003-7-31 作者簡介:任韌,(1960年)男,西安交通大學博士,教師,主要從事大功率雷射技術、半導體雷射、雷射分子束外延、脈衝雷射沉積和光電子技術研究。
《雷射法氧化物薄膜及異質結構製備科學》是依託南京大學,由劉治國擔任項目負責人的重點項目。基本信息 項目摘要 本項目擬系統地研究用脈衝雷射澱積(PLD)和雷射分子束外延(LMBE)兩種技術製備複雜氧化和薄膜中雷射電漿的形成與輸運,...
本項目中,我們以磁性單晶納米線系統為研究對象,採用分子束外延、脈衝雷射沉積等薄膜生長手段,並且結合電子束曝光、離子束刻蝕等一系列微加工工藝,製備出了高質量的納米線結構;並進一步,通過磁光成像等設備,對疇壁的退釘扎過程進行...
脈衝雷射沉積系統(PLD)、雷射分子束外延系統(L-MBE)、蒸發系統以及退火爐、快速晶化爐等,這為本項目各種功能薄膜材料的研製提供了必要的手段;微細加工平台擁有1000級超淨間、4~6英寸基片0.56微米和1.2微米光刻機、反應離子刻蝕機...
電路設計平台擁有多台Sun、Dell工作站及微波電路設計與仿真軟體;薄膜製備與處理工藝平台包括射頻/直流磁控濺射系統、脈衝雷射沉積系統(PLD)、雷射分子束外延系統(L-MBE)、蒸發系統以及退火爐、快速晶化爐等;微細加工平台擁有1000級超淨間...
設計和組建自旋電子學實驗室,新添了分子束外延系統、脈衝雷射沉積系統、超導量子干涉磁強計、交流梯度磁強計、光致發光譜儀等大型儀器。研究過渡金屬化合物磁性半導體和自旋電子注入半導體。2000年2月—2002 年10 月,研究員,美國阿拉巴馬...
河南大學光伏材料省重點實驗室在建設期內,累計獲得建設經費投入4000多萬元,實驗室新增採購超高真空掃描隧道顯微鏡 (Unisoku USM-11T-400mk)、超高真空掃描隧道顯微鏡-分子束外延系統 (Omicron LT STM-AFM)、超高真空掃描隧道顯微鏡 (CreaTe...
實驗室有良好的從事光學與光子器件技術研究的條件,有實驗用房2000多平方米,有飛秒雷射振盪源和飛秒雷射放大器、雷射分子束外延系統、器準分子雷射器、半導體泵浦的單縱模綠光雷射器、原子力顯微鏡、掃描電鏡、弱光光譜探測系統和雷射光譜...
模組式三級拉曼光譜系統以及自行研製的超高真空低溫強場雙探針STM、高解析度TEM-掃描探針SPM原位物性研究系統、雷射分子束外延系統II型雷射分子束外延系統、國際首台超高能量解析度真空紫外雷射角分辨光電子能譜儀和峰值功率大於350太瓦的超強...
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材料表面分析 :三維形貌儀,白光干涉儀,雷射共聚焦顯微鏡,原子力顯微鏡等 半導體設備/CMP :原子層沉積系統(ALD),MBE分子束外延系統,雷射脈衝沉積(PLD),物理氣相沉積系統(PVD),化學機械拋光設備(CMP)生化儀器:雷射拉曼光譜儀 ...