分子束外延系統

分子束外延系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的分析儀器，於2013年11月22日啟用。

基本介紹

• 中文名：分子束外延系統
• 產地：美國
• 學科領域：物理學、化學、材料科學
• 啟用日期：2013年11月22日
• 所屬類別：分析儀器 > X射線儀器

技術指標

超高真空沉積腔體，本底真空優於10-9mbar。可集成多種薄膜製備和表面分析設備，如磁控濺射源、離子源、STM、XPS等。可以通過軟體編寫工藝流程，系統自動執行，可實現多層膜的自動化生長。提供雷射分子束外延系統原位監測的RHEED的電子槍通常需要工作在較高的真空環境下（小於10-6mbar），但LMBE系統在成膜過程中往往需要較高的工藝壓力，我們的LMBE採用的是STAIB公司生產的差分抽氣RHEED，系統的最高工作氣壓可達100Pa。

主要功能

雷射分子束外延系統（LMBE）是在傳統的分子束外延（MBE）和脈衝雷射沉積系統（PLD）的基礎上發展而來的，PLD與提供原位監測的反射高能電子衍射儀（RHEED）相結合，使得系統能夠實現類似於MBE的，單原子層精度的薄膜生長。相比於MBE的熱蒸發，它是使用脈衝雷射的高能量使材料蒸發甚至電離，因此被稱作LaserMBE（雷射分子束外延系統）。LMBE屬於高端薄膜製備設備，適用於生長各種納米尺度的單層膜或多層膜。