超高真空分子束外延生長和原位測量系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2008年8月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高真空分子束外延生長和原位測量系統
- 產地:美國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2008年8月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
本底真空可達1*10^-10Torr PLD靶數量:6個 熱蒸發源數量:5個 樣品架變溫範圍:-200~1000攝氏度。
主要功能
主要用於薄膜樣品的生長以及物理性質的原位測量。