陳劍豪，北京大學量子材料中心副教授，博士生導師。
陳劍豪博導長期從事納米材料研究，在石墨烯研究領域擁有多項成果，在國際上首次證明了石墨烯可以成為高比表面積的、高導電率的集電極。陳劍豪在國際頂級學術雜誌上發表多篇文章，如《自然*物理》（英國），《自然*納米技術》（英國），《先進材料》（德國），《物理學評論快報》（美國）等等，其論文的國際引用次數已經超過3000次。
基本介紹
- 中文名：陳劍豪
- 國籍：中國
- 職業：教師
- 性別：男
人物經歷,研究方向,主要貢獻,
人物經歷
2004年畢業於浙江大學竺可楨學院。
2009年在馬里蘭大學獲物理博士學位 (Ellen Williams Group)。
2009年至2010年在馬里蘭大學任博士後 (Michael Fuhrer Group)。
2010年至2012年在加州大學伯克利分校及洛倫茲伯克利國家實驗室任博士後 (Alex Zettl Group)。
2012年成為北京大學量子材料科學中心博士生導師、研究員、副教授。
研究方向
實驗手段：新型超高真空原位量子輸運測量儀器。
實現功能：在低溫和高磁場條件下的電子輸運測量，同時實現對低維電子器件表面的精確原位控制，將來會增加在連續超高真空條件下的分子束外延材料生長和器件製造，以及可在原位輸運測量中同時運行的掃描探針系統。
實驗內容：低維納米電子材料和器件的物性研究，具體包括：
（1）石墨烯及其與其他材料複合結構的量子輸運性質表征與套用研究；（2）三維拓撲絕緣體表面態的量子輸運；（3）載流子散射機理、二維電子局域化原理、局域化－超導相變原理。
主要貢獻
主要成果：
（1）首次量化測量帶電雜質對石墨烯輸運性質的影響，解決了學界在關於石墨烯最主要散射源的持久爭論，證明帶電雜質為高質量石墨烯器件的最主要散射源；
（2）首次量化測量石墨烯聲學聲子及器件基底極化光學聲子對石墨烯載流子的散射，實驗發現在只考慮聲子散射的情況下石墨烯為室溫下最好的導體，導電率高於銅，電子遷移率遠高於常規半導體材料，並在存在各種散射源的情況下對石墨烯電子遷移率的極限作出預測；
（3）首次量化測量晶格缺陷對石墨烯輸運性質的影響，並發現晶格缺陷引入了多種量子散射效應，如弱局域化效應；
（4）首次發現單層石墨烯的晶格缺陷有磁性並與石墨烯的載流子有很強的自旋相互作用而導致Kondo效應；
（5）首次使用轉移印刷方法在透明彈性基底上成功製造出高電子遷移率的單原子層石墨烯場效應管，刷新了轉移印刷方法的套用極限，及展示了石墨烯在彈性電子器件方面的套用前景。
學術活動：
在國際學術期刊發表了13篇論文。其中第一作者包括2篇Nature Physics, 1篇Nature Nanotechnology, 1篇Physical Review Letters，1篇Advanced Materials，1篇 Solid State Communications。文章被引用總數超過1600次，h-index為11。
在國際會議上發表學術報告多次，其中在APS March Meeting，MRS Spring Meeting, International Conference on Low Temperature Physics 上做過邀請報告，並應邀在Harvard University, Massachusetts Institute of Technology, Stanford University, UC Berkeley, IBM Watson Research Center, IBM Almaden Research Center等大學和科研院所做過學術報告。
現為APS、IOP、IEEE、Wiley-VCH等國際學術出版機構旗下系列科學雜誌的審稿人（審閱過如PRL, PRB,JPCM, EPL, Nanotechnology, NJP, IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Nanotechnology, Advanced Materials, Advanced Energy Materials 等等雜誌的投稿）。
