氧化物分子束外延系統

氧化物分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月14日啟用。

基本介紹

• 中文名：氧化物分子束外延系統
• 產地：德國
• 學科領域：物理學、材料科學
• 啟用日期：2016年9月14日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備

技術指標

整套氧化物MBE系統由3個主要部分組成，分別是快速進樣室（Loadlock chamber）、緩衝室（Buffer chamber）、生長室（Growth chamber）。生長室部分配備烘烤罩，烘烤溫度不低於150℃。可程式實現自動程式烘烤。系統具有緊急停機功能，真空互鎖功能，分子泵斷電自我保護等功能。

主要功能

分子束外延是一種超高真空條件下的物理氣相澱積方法。其工作原理是在超高真空系統中，使分子或原子束連續不斷地撞擊到被加熱的襯底表面上而獲得均勻外延 層。在分子束外延過程中，各種成分的束強度可以分別控制。分子束外延的特點是生長速率相當低，典型的為0.1～0.2μm/h，因而能精細控制生長層的厚度，可以生長極薄的外延層。氧化物分子束外延系統則是可以在真空腔體中通入氧氣氣氛，並與其他蒸發材料結合在襯底上直接生長出氧化物薄膜的一類設備。其基本工作原理同普通的分子束外延相同，但是可以通入氧氣氣氛，並且在一定的氧氣分壓下進行分子束外延，並在襯底上形成氧化物薄膜。其主要用途是不僅可以外延生長常規的半導體材料，。