超高真空分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年11月2日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高真空分子束外延系統
- 產地:德國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2017年11月2日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
超高真空分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年11月2日啟用。
超高真空分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年11月2日啟用。技術指標500 EBV。1主要功能薄膜生長。1...
超高真空雷射分子束外延系統 超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標 RHEED振盪。主要功能 可提供多種氧化物單晶薄膜製備,並實現原位金屬電極沉積。
超高真空分子束外延生長和原位測量系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2008年8月1日啟用。技術指標 本底真空可達1*10^-10Torr PLD靶數量:6個 熱蒸發源數量:5個 樣品架變溫範圍:-200~1000攝氏度。主要功能 主要用於薄膜...
超高真空分子束外延和線性傳輸系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2018年6月15日啟用。技術指標 超高真空至2*10-10mbar,樣品台溫度控制精度在0.1oC,束流控制精度在0.01埃/s。主要功能 分子束外延法生長薄膜半導體材料設備。
超高真空外延系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2015年12月15日啟用。技術指標 真空度優於10 -10mbarbake溫度能達到150℃配備冷泵、離子泵和小分子泵配備各種類型真空規。主要功能 本設備屬於超高真空外延設備(為科研定製產品)...
分子束外延,就是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,從爐中噴出後,沉積在溫度保持在幾百度的單晶基片上。如果設定幾個噴射爐,就可以製取多元半導體混晶,又可以同時進行摻雜。由於...
分子束外延的設備較其他外延技術的設備複雜,要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看,當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體,而後是針對Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體,最近正轉向針對Si半導體器件...
雷射分子束外延及表面檢測系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於1997年9月28日啟用。技術指標 配置了目前國際上溫度最低(6 K)的四探針SPM系統;配置了解析度可達20nm的原位超高真空SEM;四探針測試平台可外加磁場(1.0 ...
(1)成本高。所涉及設備,如超高真空分子束外延及原位表征系統( MBE-SPM系統)、雷射直寫光刻系統等價格昂貴維護成本高,且每生長-爐IVI族半 導體外延材料需耗費幾千元、耗時十幾個小時,耗時、耗材。(2)對環境條件要求苛刻。需超高真空...
真空鍍膜設備,主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。書籍 內容簡介 《真空鍍膜設備》詳細介紹了真空鍍膜設備的...
主要設備:石墨烯CVD系統、超高真空石墨烯外延系統、分子束外延系統(MBE)、雷射分子束外延系統等。人物經歷 2001年6月獲四川大學材料學博士學位,2001.7月-2005.1先後在中科院物理研究所、台灣清華大學從事博士後研究,2005.3-2008.5...
開發包括各類控制器、精密放大器、束源爐、低溫恆溫器等在內的一批核心關鍵部件,並先後主持或核心參與研製搭建了各類真空系統十餘台套,包括掃描探針顯微鏡系統、分子束外延系統、雷射分子束外延系統、原子層沉積系統等。
河南大學光伏材料省重點實驗室在建設期內,累計獲得建設經費投入4000多萬元,實驗室新增採購超高真空掃描隧道顯微鏡 (Unisoku USM-11T-400mk)、超高真空掃描隧道顯微鏡-分子束外延系統 (Omicron LT STM-AFM)、超高真空掃描隧道顯微鏡 (CreaTe...
擁有超高真空分子束外延薄膜製備系統、場發射環境掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、綜合物性測量系統、原位傅立葉變換紅外光譜儀、氣相色譜-質譜聯用儀、紫外可見近紅外分光光度計、螢光光譜儀、熱重分析儀、全自動比表面和孔徑分析儀等大型...
一、材料生長與表征:超高真空分子束外延/掃描探針顯微鏡系統(UHV-MBE/SPM)1套(連續加熱條件:100K-1100K;瞬時加熱:1300K,升降溫速率>50K/sec;STM/AFM雙模式掃描,原子分辨);高分辨薄膜X射線衍射儀(HR-XRD)1套,真空管式...