超高真空外延系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2015年12月15日啟用。
超高真空外延系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2015年12月15日啟用。技術指標真空度優於10 -10mbarbake溫度能達到150℃配備冷泵、離子泵和小分子泵配備各種類型真空規。1主要功能本設備屬於超高真空...
超高真空分子束外延系統 超高真空分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年11月2日啟用。技術指標 500 EBV。主要功能 薄膜生長。
超高真空分子束外延和線性傳輸系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2018年6月15日啟用。技術指標 超高真空至2*10-10mbar，樣品台溫度控制精度在0.1oC，束流控制精度在0.01埃/s。主要功能 分子束外延法生長薄膜半導體材料設備。主要研究不同結構或不同材料的晶體和超晶格的生長。超高真空至2*10-10mbar，樣品...
超高真空雷射分子束外延系統 超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月21日啟用。技術指標 RHEED振盪。主要功能 可提供多種氧化物單晶薄膜製備，並實現原位金屬電極沉積。
超高真空分子束外延生長和原位測量系統 超高真空分子束外延生長和原位測量系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2008年8月1日啟用。技術指標 本底真空可達1*10^-10Torr PLD靶數量：6個 熱蒸發源數量：5個 樣品架變溫範圍：-200~1000攝氏度。主要功能 主要用於薄膜樣品的生長以及物理性質的原位測量。
分子束外延是一種超高真空條件下的物理氣相澱積方法。其工作原理是在超高真空系統中，使分子或原子束連續不斷地撞擊到被加熱的襯底表面上而獲得均勻外延 層。在分子束外延過程中，各種成分的束強度可以分別控制。分子束外延的特點是生長速率相當低，典型的為0.1～0.2μm/h，因而能精細控制生長層的厚度，可以生長...
分子束外延設備有很多種。但就其主要結構而論是大同小異的。分子束外延的設備較其他外延技術的設備複雜，要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看，當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體，而後是針對Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體，最近正轉向針對Si半導體器件的套用開發。從MBE...
分子束外延，就是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束，從爐中噴出後，沉積在溫度保持在幾百度的單晶基片上。如果設定幾個噴射爐，就可以製取多元半導體混晶，又可以同時進行摻雜。由於採用四極質譜儀對分子束的強度、相對比進行監控，並將測到的信息反饋到各個噴射...
超高真空表面分析系統是一種用於化學領域的分析儀器，於2012年3月15日啟用。技術指標 PHOIBOS 100 多通道能量分析器技術指標： 100mm平均分析半徑；安裝法蘭為DN100CF； Ag3d5/2計數率/FWHM＞1.7 Mcps/0.85 eV,＞4.6 Mcps/1.00 eV, ＞12 Mcps/1.40 eV （300W MgKa，陽極-樣品間距＜15 mm）。 XR ...
氧化物分子束外延生長系統 氧化物分子束外延生長系統是一種用於能源科學技術、物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年3月31日啟用。技術指標 超高真空：10-9 torr；多個穩定可控蒸發源；樣品台溫度800℃；束流測試精度優於0.01A/s。主要功能 外延生長高質量單晶薄膜。
分子束外延生長和鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年12月26日啟用。技術指標 極限真空≤1E-5Pa（經烘烤除氣後），單襯底固定，可放置10×10cm2方形樣品。主要功能 外延是一種製備單晶薄膜的新技術，它是在適當的襯底與合適的條件下，沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜的方法。該技術的優點是：...
(1)成本高。所涉及設備,如超高真空分子束外延及原位表征系統( MBE-SPM系統)、雷射直寫光刻系統等價格昂貴維護成本高,且每生長-爐IVI族半 導體外延材料需耗費幾千元、耗時十幾個小時,耗時、耗材。(2)對環境條件要求苛刻。需超高真空等極端環境。(3)微觀機理難以展示。內容複雜深奧、概念抽象難懂且設備封裝程度高,...
雷射分子束外延及表面檢測系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於1997年9月28日啟用。技術指標 配置了目前國際上溫度最低（6 K）的四探針SPM系統；配置了解析度可達20nm的原位超高真空SEM；四探針測試平台可外加磁場（1.0 T）；超高真空變溫四探針SPM具有單探針SPM的所有功能，每一根探針不僅可以精確地...
二維材料分子束外延超高真空生長腔室 二維材料分子束外延超高真空生長腔室是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器，於2017年11月13日啟用。技術指標 直徑250mm，標準CF35接口。主要功能 二維材態分析。
高真空薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2008年10月21日啟用。技術指標 極限真空度： 外延室經烘烤 ≤5*10-8Pa 進樣室經烘烤 ≤1*10-5Pa 系統漏率： 外延式漏率 2.0*10-8Pa.1/S 進樣室漏率 5.0*10-8Pa.1/S。主要功能 在合適的工藝條件下，可製備...
雷射分子束外延真空腔體是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2014年12月17日啟用。技術指標 外延室: 直徑500mm不鏽鋼球形腔體，裝配有靶組件、基片台等部件及多種視窗/觀察窗、接口、樣品傳遞（磁傳送桿） 外延室背底真空度：2 x 10-8Pa以上 靶組件：最大可裝25.4mm（1英寸）*5mm靶材4塊，可...
中國科學院上海微系統與信息技術研究所原名中國科學院上海冶金研究所，前身是成立於1928年的國立中央研究院工程研究所，是中國最早的工學研究機構之一。新中國成立後隸屬中國科學院，曾命名中國科學院工學實驗館、中國科學院冶金陶瓷研究所。2001年8月，根據科研領域和科技發展目標的調整，更名為中國科學院上海微系統與信息...
陳遠富，男，博士、教授。 研究興趣和方向：石墨烯的宏量、可控制備及物理效應研究；石墨烯射頻石墨烯場效應電晶體研究；石墨烯基光電器件研究；石墨烯基新能源器件（太陽能電池、鋰離子電池、超級電容器）研究；磁性、介電、半導體的集成生長、界面控制與調製耦合效應。主要設備：石墨烯CVD系統、超高真空石墨烯外延系統...
研製成功用於VLSI的紅外快速熱處理系統、超高真空CVD外延系統，獲得中國和美國專利，並被授予國家發明二等獎，已在國內企業和研究院所廣泛套用。《鍺矽高性能微波器件與微波積體電路研發及產業化》項目通過驗收 在積體電路設計技術研究和專用積體電路（ASIC）產品開發方面 從1981年開始，在國內率先研製成功1K位 SRAM、4K...
郇慶，男，中國科學院大學專職教師。主要成果 致力於高端科研儀器裝備的自主研製和開發，帶領團隊從共性技術和核心關鍵部件著手，開發包括各類控制器、精密放大器、束源爐、低溫恆溫器等在內的一批核心關鍵部件，並先後主持或核心參與研製搭建了各類真空系統十餘台套，包括掃描探針顯微鏡系統、分子束外延系統、雷射分子束外延...
現在清華大學微電子學研究所微納器件與系統研究室工作，中國電子學會半導體工藝設備學會委員。研究領域 MEMS微電子機械系統研究；汽車電子"輪胎壓力感測器"的產業化開發研究；GeSi快速加熱超高真空化學氣相澱積外延系統研製；GeSi薄膜外延工藝技術研究；GeSi HBT異質結電晶體研究；超大規模積體電路快速熱退火技術與設備研究與...
重點實驗室將堅持長期、系統、穩定的工作。以矽為核心的半導體材料的基礎研究和套用領域：在堅持微電子用大直徑矽單晶晶體生長、加工和缺陷工程研究的基礎上，著重拓展矽外延、太陽能矽材料、矽基光電子材料以及納米矽材料的研究；半導體薄膜領域：在堅持ZnO薄膜生長和摻雜特色的基礎上，重點開展半導體薄膜在LED照明領域的...
擁有超高真空分子束外延薄膜製備系統、場發射環境掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、綜合物性測量系統、原位傅立葉變換紅外光譜儀、氣相色譜-質譜聯用儀、紫外可見近紅外分光光度計、螢光光譜儀、熱重分析儀、全自動比表面和孔徑分析儀等大型儀器設備。研究團隊 先進能源與催化材料研究室 先進能源與催化材料研究室是一支由...
河南大學光伏材料省重點實驗室在建設期內，累計獲得建設經費投入4000多萬元，實驗室新增採購超高真空掃描隧道顯微鏡 (Unisoku USM-11T-400mk)、超高真空掃描隧道顯微鏡-分子束外延系統 (Omicron LT STM-AFM)、超高真空掃描隧道顯微鏡 (CreaTec LT STM)、原子力顯微鏡 (AR MFP-3D-Infinity)、太陽能電池測試系統、脈衝...
分子束外延 分子束外延：MBE 是利用分子束或原子束在超高真空系統中進行外延生長的。在生長過程中，可對生長環境和薄膜組成及結構進行原位監測和控制，因而可獲得高純、厚度可控的超薄膜，特別適用於外延單晶膜和超晶格的製備，成為製備半導體超薄膜、多層量子結構、超晶格的主要手段之一。溶膠－凝膠法 溶膠－凝膠法：...
《磁性納米結構中原子位置和磁各向異性關聯研究》是依託南京大學，由丁海峰擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 磁性納米結構中的磁各向異性研究是磁性納米結構和磁電子學廣泛套用的前提基礎，是目前國際上剛剛起步的熱點問題之一。利用超高真空分子束外延技術在不同單晶襯底上生長出由非磁材料和磁性材料所組成的...
《Ni-Mn-Z(Z= Sn,In)哈斯勒合金巨磁電阻效應和交換耦合機制的研究》是依託上海大學，由敬超擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 在超高真空系統中，利用脈衝雷射沉積方法，外延生長新型Ni-Mn基哈斯勒合金（Ni-Mn-Z和 Ni-Co-Mn-Z，Z=Sn，In）單晶磁性薄膜，研究薄膜在外加磁...
高通量磁控濺射組合材料晶片製備系統等材料基因組工程專用實驗裝備10餘台，同時具備超高真空掃描隧道-分子束外延（MBE&SPM）聯合系統、TRAL光電探測器測試系統、高性能計算伺服器、高解析度衍射儀、量子效率-光譜回響/光電轉換效率測試系統、準分子雷射分子束外延薄膜沉積系統、光致螢光譜測試儀、高通量微區電化學測試系統...
研究內容主要包括在原有超高真空系統上建立STM裝置，並利用超高真空和大氣環境下工作的STM對半導體表面結構進行研究。到目前為止，已在大氣環境中對矽分子束外延生長的GeSi超晶格材料等樣品表面進行了形貌觀測，研究了表面氧化對STM隧道成像過程的影響，探討了在大氣中獲得半導體表面結構真實信息的可能性。套用STM還研究了Si...
飛秒雷射放大級系統 飛秒光學參量放大器 自旋分辨光電子能譜儀 高亮度紫外光源 高單色x光光源 差分離子源 低能量電子槍 IPES 探測器 低能量電子衍射儀 分子束外延超高真空室 電漿真空室 有機材料真空室 光電測試真空室 低溫掃描探針顯微鏡系統 原子力顯微鏡 半導體特徵分析系統 低溫探針台 器件壽命測試系統 三聯裝...
