雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年5月6日啟用。
雷射分子束外延及表面檢測系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於1997年9月28日啟用。技術指標 配置了目前國際上溫度最低（6 K）的四探針SPM系統；配置了解析度可達20nm的原位超高真空SEM；四探針測試平台可外加磁場（1.0 ...
雷射分子束外延成膜系統是一種用於電子與通信技術、物理學領域的工藝試驗儀器，於2011年12月1日啟用。技術指標 極限真空：5.0×10-8 Pa。主要功能 用於生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料。
超高真空雷射分子束外延系統 超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月21日啟用。技術指標 RHEED振盪。主要功能 可提供多種氧化物單晶薄膜製備，並實現原位金屬電極沉積。
組合雷射分子束外延系統 組合雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年12月2日啟用。技術指標 功率：5kW, 真空度：1e-9torr，溫度：20-1000℃。主要功能 生長連續梯度組分薄膜。
開發包括各類控制器、精密放大器、束源爐、低溫恆溫器等在內的一批核心關鍵部件，並先後主持或核心參與研製搭建了各類真空系統十餘台套，包括掃描探針顯微鏡系統、分子束外延系統、雷射分子束外延系統、原子層沉積系統等。
電路設計平台擁有多台Sun、Dell工作站及微波電路設計與仿真軟體；薄膜製備與處理工藝平台包括射頻/直流磁控濺射系統、脈衝雷射沉積系統(PLD)、雷射分子束外延系統(L-MBE)、蒸發系統以及退火爐、快速晶化爐等；微細加工平台擁有1000級超淨間...
主要設備：石墨烯CVD系統、超高真空石墨烯外延系統、分子束外延系統（MBE）、雷射分子束外延系統等。人物經歷 2001年6月獲四川大學材料學博士學位，2001.7月-2005.1先後在中科院物理研究所、台灣清華大學從事博士後研究，2005.3-2008.5...
Materials Studio、HFSS、Microwave Studio、ADS、L-Edit等），可滿足項目材料與薄膜電路設計的需要；薄膜製備與處理工藝平台包括射頻/直流磁控濺射系統、脈衝雷射沉積系統(PLD)、雷射分子束外延系統(L-MBE)、蒸發系統以及退火爐、快速晶化爐...
實驗室有良好的從事光學與光子器件技術研究的條件，有實驗用房2000多平方米，有飛秒雷射振盪源和飛秒雷射放大器、雷射分子束外延系統、器準分子雷射器、半導體泵浦的單縱模綠光雷射器、原子力顯微鏡、掃描電鏡、弱光光譜探測系統和雷射光譜...
擁有場發射掃描電鏡、雷射分子束外延系統、橢圓偏振光譜儀、飛秒雷射放大系統、多層精密鍍膜機等先進的科研設備，教學科研儀器設備總值3700餘萬元。理論物理是山東省“十一五”期間強化建設的重點學科、山東省“十二五”重點建設學科，光學專業...
