《RF電漿增強脈衝雷射沉積o-BN薄膜生長機理研究》是依託天津大學，由李衛青擔任項目負責人的專項基金項目。
基本介紹
- 中文名：RF電漿增強脈衝雷射沉積o-BN薄膜生長機理研究
- 項目類別：專項基金項目
- 項目負責人：李衛青
- 依託單位：天津大學
- 批准號：10647140
- 申請代碼：A25
- 負責人職稱：講師
- 研究期限：2007-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：2（萬元）
項目摘要
由於氮化硼（BN）薄膜具有高硬度、高熱導率、好的化學穩定性和抗離子轟擊能力、低負電子親和勢（4.5ev）、良好的電子發射特性等許多優良特性，已成為人們研究和套用的熱點。正交晶結構的o-BN（又叫E-BN）,是一種新的BN的超硬結構，帶隙寬度為5.5eV，又是一種寬頻隙材料，因此象c-BN和w-BN一樣，它具有廣泛的套用前景。本項目的主要研究內容是依據前期工作的試驗數據對o-BN薄膜的生長機理進行較
