脈衝雷射沉積鍍膜系統是一種用於動力與電氣工程領域的雷射器，於2016年4月9日啟用。
脈衝雷射沉積鍍膜系統是一種用於動力與電氣工程領域的雷射器，於2016年4月9日啟用。技術指標1、最大wafer直徑 2” 。2、最大靶材數量 6個1” 或3個2” 。3、壓力(Torr) 10-6 。4、真空室直徑 18...
脈衝雷射沉積鍍膜機系統 脈衝雷射沉積鍍膜機系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2014年1月1日啟用。技術指標 真空室真空最高可達6×10-5Pa，加熱溫度＞900度。主要功能 雷射沉積。
脈衝雷射沉積薄膜系統是一種用於物理學、化學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年12月10日啟用。技術指標 真空室直徑Ф 500mm。主腔室（PLD chamber）：本底極限真空度 主要功能 製備半導體材料、沉積複雜...
脈衝雷射沉積和磁控濺射雙模式沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年7月29日啟用。技術指標 本底真空度10（-8）Torr；3/6 PLD 靶材 和 2個濺射靶源； 直徑50mm 沉積襯底可旋轉，可加熱至900度； 氧氣和氬氣流量可...
超高真空脈衝雷射沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2019年11月11日啟用。技術指標 主腔體:(1)本底真空度優於5E-9Torr; (2) 配置紅外雷射加熱和電阻加熱雙加熱系 統，最高加熱溫度不低於1100攝氏度；(3) 配置30 keV高...
脈衝雷射沉積設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2005年9月1日啟用。技術指標 真空度6.7×10-7Pa ;基板尺寸2 ;最高加熱溫度850℃ ;靶托6個,Φ20mm ;雷射器:Nd:YAG,355nm,10Hz,5ns,200mj/pulse。主要功能 用於高溫...
脈衝雷射濺射沉積系統 脈衝雷射濺射沉積系統是一種用於物理學領域的計量儀器，於2009年12月30日啟用。技術指標 真空室450mm、極限真空1*10-5Pa、襯底最大700℃。主要功能 氧化物薄膜製備。
《不同化學計量比B-C系列薄膜的脈衝雷射沉積與成分控制》是依託武漢理工大學，由張聯盟擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 項目以不同化學計量比B-C系列薄膜的最佳脈衝雷射沉積工藝及其組成成分控制為研究目標，重點研究B-C陶瓷的放電...
脈衝雷射沉積腔室 脈衝雷射沉積腔室是一種用於物理學領域的分析儀器，於2017年3月28日啟用。技術指標 真空度：小於10-9mbar；可放置6塊圓形靶材。主要功能 用於在不同的襯底上沉積氧化物薄膜和異質結。
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空電阻加熱蒸發，電子槍加熱蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD雷射濺射沉積，離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片...
(5)雷射加熱：脈衝雷射加熱表面可實現材料的瞬時蒸發，脈衝雷射作為一種新的加熱源，其特點之一是能量在時間和空間上高度集中，與常規的熱蒸發有顯著區別。帶有離子轟擊裝置的雷射蒸發，已用於若干材料的低溫沉積，其中包括高質量的高溫超導...
濺射一般是在充有惰性氣體的真空系統中，通過高壓電場的作用，使得氬氣電離，產生氬離子流，轟擊靶陰極，被濺出的靶材料原子或分子沉澱積累在半導體晶片或玻璃、陶瓷上而形成薄膜。脈衝雷射沉積（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被稱為...
(CreaTec LT STM)、原子力顯微鏡 (AR MFP-3D-Infinity)、太陽能電池測試系統、脈衝雷射沉積鍍膜設備、掃描探針顯微鏡、物性測量系統、X-螢光光譜儀、雷射切割機、PECVD氣相薄膜沉積設備、德國真空手套箱、雙室熱蒸發系統、場發射掃描電子...
