脈衝雷射濺射沉積系統是一種用於物理學領域的計量儀器,於2009年12月30日啟用。
基本介紹
- 中文名:脈衝雷射濺射沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2009年12月30日
- 所屬類別:計量儀器 > 聲學計量儀器 > 氣導聽力零級基準裝置
脈衝雷射濺射沉積系統是一種用於物理學領域的計量儀器,於2009年12月30日啟用。
脈衝雷射濺射沉積系統 脈衝雷射濺射沉積系統是一種用於物理學領域的計量儀器,於2009年12月30日啟用。技術指標 真空室450mm、極限真空1*10-5Pa、襯底最大700℃。主要功能 氧化物薄膜製備。
脈衝雷射沉積和磁控濺射雙模式沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月29日啟用。技術指標 本底真空度10(-8)Torr;3/6 PLD 靶材 和 2個濺射靶源; 直徑50mm 沉積襯底可旋轉,可加熱至900度; 氧氣和氬氣流量可...
超高真空脈衝雷射沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2019年11月11日啟用。技術指標 主腔體:(1)本底真空度優於5E-9Torr; (2) 配置紅外雷射加熱和電阻加熱雙加熱系 統,最高加熱溫度不低於1100攝氏度;(3) 配置30 keV高...
雷射脈衝沉積過程模擬虛擬仿真實驗教學是湘潭大學建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 材料製備工藝及技術是無機非金屬材料類本科生專業基礎的核心課程之一,也是材料類本科生培養目標中的重要環節。由於功能薄膜與條成電路工藝的密切關係...
實驗二十一準分子雷射光束變換與整形 實驗二十二飛秒雷射微納加工 實驗二十三三維微結構加工 實驗二十四光纖雷射微細切割 實驗二十五脈衝雷射濺射沉積製備薄膜 實驗二十六雷射輻照改性功能材料 實驗二十七試樣製備(包括腐蝕)實驗二十八金相觀察系統...
雷射分子束外延系統(LMBE)是在傳統的分子束外延(MBE)和脈衝雷射沉積系統(PLD)的基礎上發展而來的,PLD與提供原位監測的反射高能電子衍射儀(RHEED)相結合,使得系統能夠實現類似於MBE的,單原子層精度的薄膜生長。相比於MBE的熱蒸發...
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現有的儀器設備包括準分子脈衝雷射沉積系統、雙室磁控濺射沉積系統、掃描探針顯微鏡、真空鍍膜機、電化學工作站、移動探針冷熱台系統、鐵電參數測試系統、探針測試台、微波催化合成儀、管式爐、掃描探針顯微鏡、INOVA 600 MHz液-固兩用核磁...
本項目擬採用磁控濺射-脈衝雷射沉積複合系統,通過控制生長條件和探索工藝參數,致力於在MgO和GaAs上獲得高晶體質量、結構穩定的Co基Heusler合金薄膜以及揭示影響薄膜晶體質量和有序度的關鍵因素;並且揭示異質結構表/界面處的原子排列方式,...
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4.4 脈衝雷射沉積技術 4.4.1 脈衝雷射沉積的原理和特點 4.4.2 雷射光源 4.4.3 沉積系統 參考文獻 第5章 AlN薄膜的濺射沉積和刻蝕 5.1 射頻磁控濺射製備AlN薄膜 5.1.1 AlN薄膜的製備工藝 5.1.2 射頻功率對薄膜結構...