《不同化學計量比B-C系列薄膜的脈衝雷射沉積與成分控制》是依託武漢理工大學，由張聯盟擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：不同化學計量比B-C系列薄膜的脈衝雷射沉積與成分控制
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張聯盟
- 依託單位：武漢理工大學
- 批准號：50772082
- 申請代碼：E0204
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：32（萬元）
項目摘要
項目以不同化學計量比B-C系列薄膜的最佳脈衝雷射沉積工藝及其組成成分控制為研究目標，重點研究B-C陶瓷的放電等離子反應燒結，揭示原料配比、模具滲碳與B-C陶瓷中硼碳比之間的變化規律及其對B-C陶瓷物相、微觀結構、純度、緻密度等的影響，實現B-C陶瓷成分的準確控制，製備出高純、高緻密、不同化學計量比的B-C系列陶瓷；研究B-C薄膜的脈衝雷射沉積工藝，建立靶材中硼碳比、沉積工藝參數（雷射能量密度、襯底溫度、襯底-靶距、襯底與雷射羽輝中心夾角等）與沉積B-C薄膜中硼碳比之間的定量關係，探討沉積工藝參數以及後續退火對B-C薄膜物相、晶態、表面形貌、微觀結構和純度等的影響，獲得結構完整、具有既定化學計量比的B-C系列薄膜，闡明其成膜機理和成分控制技術。預期成果將為國家點火裝置所需的B-C薄殼類高增益靶丸的製備提供合理的沉積工藝和成膜理論依據。
