脈衝雷射沉積設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2005年9月1日啟用。
脈衝雷射沉積設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2005年9月1日啟用。技術指標真空度6.7×10-7Pa ;基板尺寸2 ;最高加熱溫度850℃ ;靶托6個,Φ20mm ;雷射器:Nd:YAG,355nm,10H...
隨著雷射技術和設備的發展，特別是高功率脈衝雷射技術的發展，脈衝雷射沉積（PLD）技術的特點逐漸被人們認識和接受。歷史背景 早於1916年，愛因斯坦（Albert Einstein）已提出受激發射作用的假設。可是，首次以紅寶石棒為產生雷射媒介的雷射器，卻要到1960年，才由梅曼（Theodore H. Maiman）在休斯實驗研究所建造出來。...
超高真空脈衝雷射沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2019年11月11日啟用。技術指標 主腔體:(1)本底真空度優於5E-9Torr; (2) 配置紅外雷射加熱和電阻加熱雙加熱系 統，最高加熱溫度不低於1100攝氏度；(3) 配置30 keV高氣壓高能電子束衍射系統 ，可在最高不低於0.4 Torr氧壓下原位監控樣品生長；(4...
脈衝雷射沉積鍍膜機系統 脈衝雷射沉積鍍膜機系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2014年1月1日啟用。技術指標 真空室真空最高可達6×10-5Pa，加熱溫度＞900度。主要功能 雷射沉積。
脈衝雷射沉積腔室 脈衝雷射沉積腔室是一種用於物理學領域的分析儀器，於2017年3月28日啟用。技術指標 真空度：小於10-9mbar；可放置6塊圓形靶材。主要功能 用於在不同的襯底上沉積氧化物薄膜和異質結。
脈衝雷射沉積和磁控濺射雙模式沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年7月29日啟用。技術指標 本底真空度10（-8）Torr；3/6 PLD 靶材 和 2個濺射靶源； 直徑50mm 沉積襯底可旋轉，可加熱至900度； 氧氣和氬氣流量可控制等。主要功能 系統真空腔室中可完成PLD和測控濺射兩個方式沉積鍍膜。
脈衝雷射沉積薄膜系統是一種用於物理學、化學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年12月10日啟用。技術指標 真空室直徑Ф 500mm。主腔室（PLD chamber）：本底極限真空度 主要功能 製備半導體材料、沉積複雜氧化物薄膜、合成新的高溫超導材料、鐵電材料、電-光和光學材料、透明導電氧化物...
脈衝雷射沉積鍍膜系統是一種用於動力與電氣工程領域的雷射器，於2016年4月9日啟用。技術指標 1、最大wafer直徑 2” 。2、最大靶材數量 6個1” 或3個2” 。3、壓力(Torr) 10-6 。4、真空室直徑 18”. 5、最高樣品溫度 850℃。主要功能 可用來製備納米厚度的金屬、半導體、超導材料、氧化物、氮化物、...
脈衝雷射沉積與熱蒸發組合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年12月11日啟用。技術指標 主腔體背景真空可達1*10-10 Torr；主腔體能夠同時裝六個靶材；採用雷射加熱與紅外測溫，生長溫度可達1000 °C；具有高壓RHEED，可在2-~30 Pa氧壓下工作。主要功能 用於生長組合薄膜。
脈衝雷射濺射沉積系統 脈衝雷射濺射沉積系統是一種用於物理學領域的計量儀器，於2009年12月30日啟用。技術指標 真空室450mm、極限真空1*10-5Pa、襯底最大700℃。主要功能 氧化物薄膜製備。
《RF電漿增強脈衝雷射沉積o-BN薄膜生長機理研究》是依託天津大學，由李衛青擔任項目負責人的專項基金項目。 項目摘要 由於氮化硼（BN）薄膜具有高硬度、高熱導率、好的化學穩定性和抗離子轟擊能力、低負電子親和勢（4.5ev）、良好的電子發射特性等許多優良特性，已成為人們研究和套用的熱點。正交晶結構的o-BN（...
南京大學物理系脈衝雷射沉積實驗室是南京大學物理學院的重要組成部分。機構簡介 亞里士多德生前在呂克昂學院講課，去世後該學院的第11代繼承人安德羅尼柯整理亞里士多德的舊稿與講義，編纂了當時所能收集到的亞里士多德全部遺稿。有形物體的學說著作編在一起，取名《物理學》(希臘語作tà physiká ，拉丁語作physica)...
雷射焊字機專業用於精品字焊接，適合各類廣告字的製作工藝，從台面，機械結構乃至光路的調整而誕生，具有焊字效率快，鐵皮字牢固，鏡面鋼材不凸影等特點.設備特點 此雷射沉積焊接系統的工作原理，是以雷射高熱能並集中定點的熔接技術，有效處理一切微小部分的焊接，彌補了傳統氬弧焊技術在修補焊接精細表面時的不足。
這種冷加工在雷射標記加工中具有特殊的意義，因為它不是熱燒蝕，而是不產生"熱損傷"副作用的、打斷化學鍵的冷剝離，因而對被加工表面的裡層和附近區域不產生加熱或熱變形等作用。例如，電子工業中使用準分子雷射器在基底材料上沉積化學物質薄膜，在半導體基片上開出狹窄的槽。不同標記方法的比較 與噴墨打標法相比，...
《不同化學計量比B-C系列薄膜的脈衝雷射沉積與成分控制》是依託武漢理工大學，由張聯盟擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 項目以不同化學計量比B-C系列薄膜的最佳脈衝雷射沉積工藝及其組成成分控制為研究目標，重點研究B-C陶瓷的放電等離子反應燒結，揭示原料配比、模具滲碳與B-C陶瓷中硼碳比之間的變化規律及其...
隨著材料科學和材料製備技術的發展，各種先進的薄膜製備工藝和手段不斷湧現，如電漿蒸發沉積、脈衝雷射沉積，電子京蒸發沉積、電弧放電加熱蒸發法、高頻感應加熱蒸發法、離於濺射法等。但是由於這些先進的薄膜製備工藝和技術往往是在板端條件(如高真空條件)、高消耗下進行的，要在材料類本科培養環節完成該實驗工藝的...
《脈衝雷射沉積動力學與玻璃基薄膜》是2006年湖北科技出版社出版的圖書，作者是張端明。本書是國際上第一本詳細介紹脈衝雷射沉積動力學原理的專著。簡介 圖書品相：十品 庫 存 量：3 本 圖書類別：理科、工程技術 圖書標籤：上書時間：2011-10- 主要介紹了作者建立的反映該技術各個階段物理過程的統一動力學模型；...
《脈衝雷射沉積製備ZnCdTe薄膜的太赫茲波段的物理性質研究》是依託山東師範大學，由劉玫擔任項目負責人的專項基金項目。項目摘要 本項目主要利用有限差分法和蒙特卡洛法對脈衝雷射沉積方法製備高質量的ZnCdTe薄膜材料在太赫茲波段性質的研究和探討，並對其結晶質量和其他性能引起太赫茲波段光譜變化規律進行分析和總結。...
CO2雷射切割機是一種套用於工業生產的切割設備。簡介 非金屬雷射打標領域常見的有固體雷射打標機和氣體雷射打標機（CO₂雷射切割機）非金屬雷射切割機一般靠雷射電源帶動雷射管發光，通過幾個反光鏡的折射，使光線傳輸到雷射頭，再由雷射頭上安裝的聚焦鏡將光線匯聚成為一點，而這一點可以達到很高的溫度，從而將材料...
雷射焊接機-WY180（模具）是一款專門針對模具行業設計，用於精密模具的修補的工具。技術參數 產品介紹 雷射沉積焊接系統（雷射模具焊接機）專門針對模具行業設計，用於精密模具的修補，如數碼產品、手機、玩具、汽車、機車等模具製造和成型行業。通過模具的修補，可以將原來的模具重新充分利用，大大節約了生產成本和提高了...
《氧化物熱電薄膜材料的脈衝雷射沉積與熱電性能最佳化》是依託北京科技大學，由陳吉堃擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 熱電薄膜材料的生長是進一步製備微型熱電器件從而實現熱能與電能在微尺度內相互轉換的重要基礎步驟。同時，通過維度的降低可以有效調節熱電材料能帶結構與能態密度分布，為實現電導率與賽貝克係數的...
《基於脈衝雷射沉積富硼B-C薄膜的關鍵技術研究》是2017年科學出版社出版的圖書，作者是章嵩。內容簡介 本書旨在利用脈衝雷射沉積技術，將其分別採用碳化硼陶瓷靶與硼碳拼合靶為靶材。通過對靶材成分、組成形式及沉積溫度等工藝參數的調整，得到表面平整、厚度均勻及成分可控的富硼B-C薄膜，建立靶材成分、組成形式和沉積...
在此基礎上，我們採用脈衝雷射沉積設備，利用不同組分的Ni1-xMgxO陶瓷靶材，在石英襯底上製備出了高結晶質量Ni1-xMgxO固溶體薄膜，研究了不同生長參數，不同Mg組分對薄膜形貌、結構及能帶調節等性能的影響，獲得了尺寸、禁頻寬度可調的Ni1-xMgxO固溶體薄膜製備工藝條件和調節手段。通過在氮氣中快速退火處理，進一步提...
(CreaTec LT STM)、原子力顯微鏡 (AR MFP-3D-Infinity)、太陽能電池測試系統、脈衝雷射沉積鍍膜設備、掃描探針顯微鏡、物性測量系統、X-螢光光譜儀、雷射切割機、PECVD氣相薄膜沉積設備、德國真空手套箱、雙室熱蒸發系統、場發射掃描電子顯微鏡、深能級瞬態譜儀等30餘件大型科研儀器以及與之配套的小型實驗儀器設備；...
《半導體薄膜技術與物理（第三版）》是2021年浙江大學出版社出版的圖書。內容簡介 本書全面系統地介紹了半導體薄膜的各種製備技術及其相關的物理基礎，全書共分十一章。第一章概述了真空技術，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學氣相沉積、脈衝雷射沉積、分子束外延、液相外延、濕化學合成等各種半導體薄膜的沉積...
現有的主要儀器設備有數控三、四軸加工中心、三坐標測量儀、快速成型機、電火花線切割、磨床等原型和模具工設備。科研成就 1、模壓一次成型石墨複合雙極板。863子項目 2、脈衝雷射沉積超硬多層薄膜法修復精密模具研究；嘉興科技計畫 3、5KW燃料電池一次模壓成型石墨雙極板工藝研究；大學生科技創新項目 4、脈衝雷射沉積法...
5.2.1 雷射與靶的相互作用 5.2.2 燒蝕物的傳輸 5.2.3 燒蝕粒子在襯底上的沉積 5.3 顆粒物的抑制 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的套用 5.4.1 Zn0薄膜的PLD生長 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生長 參考文獻 第6章 分子束外延 6.1 引言 6.2 分子束外延的原理和特點 6.3 外延生長設備 6....
脈衝雷射濺射沉積設備、四靶三英寸超導鍍膜沉積裝置、熔體快淬纖維/薄帶爐、旋轉式真空晶化爐、球型真空室、熔體轉輪超速急冷爐、高真空磁控與離子束濺射鍍膜系統、AFM等大型設備進行了改進，以上設備改進後，使用率上升，保障了實驗室科研項目高質量的完成，有力地推動了實驗室環境、科研設備等基礎條件的改善，使器件...
濺射鍍膜中的雷射濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差（因為是脈衝濺射），晶向（外沿）生長的控制也比較一般。操作程式 真空鍍膜機操作程式具體操作時請參照該設備說明書 和設備上儀錶盤指針顯示及各旋鈕下的標註說明。① 檢查真空鍍膜機各操作控制開關是否在"關"位置。② 打開總電源開關...
“河北省新型薄膜材料實驗室”依託物理學省強勢特色學科、凝聚態物理省重點學科和物理學一級學科博士點，有研究人員35人，博碩士研究生130人，有多功能磁控濺射儀、脈衝雷射沉積儀、QD-PPMS、計算機集群、SPM等大型設備，與中國電子科技集團十三所等半導體和磁性材料企業長期密切合作。實驗室主要研究納米磁性材料、量子...
