真空物理沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的儀器,於2017年11月28日啟用。
基本介紹
- 中文名:真空物理沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:信息科學與系統科學、物理學
- 啟用日期:2017年11月28日
真空物理沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的儀器,於2017年11月28日啟用。
真空物理沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的儀器,於2017年11月28日啟用。技術指標380V,50Hz,PC控制。1主要功能測量用。1...
真空沉積系統 真空沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2014年3月1日啟用。技術指標 φ400*600。主要功能 有機薄膜沉積。
真空物理沉積 真空物理沉積是一種用於信息科學與系統科學領域的分析儀器,於2018年10月9日啟用。技術指標 真空檢測儀器。主要功能 測量用。
高真空薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年10月21日啟用。技術指標 極限真空度: 外延室經烘烤 ≤5*10-8Pa 進樣室經烘烤 ≤1*10-5Pa 系統漏率: 外延式漏率 2.0*10-8Pa.1/S 進樣室漏率 5.0*10-8Pa.1/S。主要功能 在合適的工藝條件下,可製備...
真空鍍膜沉積系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的儀器,於2015年08月06日啟用。技術指標 機械泵(DUO)351台,抽速10L/s。真空計(PKR251)1套,量程5*10-9mbar~1000mbar。插板閥(HVA11221-0604R)1套,極限真空1*10-10torr。可程式直流電源(TDK8-180)2台,電流精度:0.1A。樣品架1套,容納1個...
電子束蒸發真空薄膜沉積系統 電子束蒸發真空薄膜沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的計算機及其配套設備,於2017年12月7日啟用。技術指標 380v,立式。主要功能 測量用。
大腔室物理氣相沉積系統 大腔室物理氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年10月31日啟用。技術指標 基本圖層工藝:CrN、CrCN、CrAlN等;腔室工作溫度:室溫~500℃;有效鍍膜空間:500*500;轉台工作方式:三重旋轉;轉台轉速範圍:0~4rpm;背底真空度:≤5*10(-3)材料。主要功能 表面鍍膜。
脈衝雷射沉積和磁控濺射雙模式沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月29日啟用。技術指標 本底真空度10(-8)Torr;3/6 PLD 靶材 和 2個濺射靶源; 直徑50mm 沉積襯底可旋轉,可加熱至900度; 氧氣和氬氣流量可控制等。主要功能 系統真空腔室中可完成PLD和測控濺射兩個方式沉積鍍膜。
全自動雙離子束濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學領域的儀器,於2018年10月20日啟用。技術指標 真空室極限真空≤6.6×10-6Pa; 濺射沉積薄膜前本底壓強≤5×10-4Pa; 薄膜厚度均勻度:Ф200mm; 直徑範圍RSM值≤±5%、Ф150mm直徑範圍RSM值≤±3%; 樣品台:自轉帶公轉,轉速0~30RPM可調; 靶槍:帶水冷,...
雙室薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 立式雙室,行星夾具,分子泵機械泵真空系統。主要功能 本系統設有直流磁控濺射、射頻磁控濺射和熱蒸發法鍍膜裝置,既能獨立實現濺射鍍膜,還能實現多靶共濺射,基本上滿足不同類別材料薄膜和化合物薄膜的鍍制。
霧化沉積系統是一種用於物理學、化學、材料科學、冶金工程技術領域的工藝試驗儀器,於2015年12月31日啟用。技術指標 感應加熱系統:溫度可高達1700℃,頻率0-8000Hz,100KW;熔煉坩堝:50Kg;真空度:熱態下真空度可達5Pa以內; 導流系統:導流嘴加熱; 霧化系統:雙噴嘴; 沉積系統:基板轉速45-100r/min範圍可調。
微晶矽薄膜高速沉積系統 微晶矽薄膜高速沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年12月26日啟用。技術指標 4室PECVD,真空度≤8*10-5Pa。主要功能 微晶/非晶矽基薄膜,矽基化合物薄膜等PECVD沉積。
有機薄膜沉積系統是一種用於物理學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月25日啟用。技術指標 該設備主要由蒸發沉積室、手套箱、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、樣品傳遞裝置、計算機控制系統、電控系統、配氣系統等部分組成。標準配置:(1)全自動計算機控制(蒸發源、膜厚、樣品台、真空);(2)計算機...