低壓化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2017年8月15日啟用。
基本介紹
- 中文名:低壓化學氣相沉積系統
- 產地:法國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2017年8月15日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
低壓化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2017年8月15日啟用。
低壓化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2017年8月15日啟用。技術指標1、適用於矽片尺寸及管路數:6英寸(150mm)及以下尺寸,三管系統。2、裝片數量:25片及以下。3、澱積膜種類:氮化矽...
低壓化學氣相沉積 低壓化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 在低於一個大氣壓的條件下進行的化學氣相沉積。出處 《材料科學技術名詞》。
廣義上講,化學氣相沉積反應器的設計可分成常壓式和低壓式,熱壁式和冷壁式。常壓式反應器運行的缺點是需要大流量攜載氣體、大尺寸設備,膜被污染的程度高;而低壓化學氣相沉積系統可以除去攜載氣體並在低壓下只使用少量反應氣體,此時,氣體從一端注入,在另一端用真空泵排出。因此,低壓式反應器已得到廣泛套用和...
低溫化學氣相沉積技術工藝過程是: 經清洗後的待處理物件,按要求擺放在不鏽鋼製造的盛物框上,放人沉積室並接好電源,罩上沉積室。系統經檢漏密封合格後,通人H恢復常壓。再罩上加熱爐對沉積室進行加熱。當工件溫度升至規定沉積溫度後,啟動真空泵對系統排氣抽空,並通人Ar或N₂,通過直流脈衝電源對物件表面進行...
化學氣相沉積的方法很多,如常壓化學氣相沉積(Atmospheric pressure CVD,APCVD)、低壓化學氣相沉積(Low pressure CVD,LPCVD)、超高真空化學氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD,UHVCVD)、雷射化學氣相沉積(Laser CVD,LCVD)、金屬有機物化學氣相沉積(Metal-organic CVD,MOCVD),電漿增強化學氣相沉積(Plasma enhanced CVD...
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2011年11月28日啟用。技術指標 MCVD機械控制系統,包括:機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣調節火焰形狀主燈、主燈火焰抽風罩、紅外高溫探測儀、SOOT自動去除系統、預製棒...
低壓金屬有機化學氣相沉積 低壓金屬有機化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 在低於一個大氣壓條件下,將金屬有機化合物通過氣相輸運到材料的襯底上的工藝。生長的薄層不一定是單晶。
常用的有常壓化學氣相澱積、低壓化學氣相澱積以及電漿增強化學氣相澱積等。原理 CVD是利用氣態物質在固體表面進行化學反應,生成固態沉積物的工藝過程。它一般包括三個步驟:(1)產生揮發性物質;(2)將揮發性物質輸運到沉積區;(3)於基體上發生化學反應而生成固態產物。技術分類 反應器是CVD裝置最基本的部件。根據反應...
超高真空化學氣相沉積 超高真空化學氣相沉積,在低於10-6帕的非常低壓環境下化學氣相沉積的薄膜生長方法。其裝置主要包括:不鏽鋼生長室、靶台及加熱系統、預真空室及樣品傳送系統、生長室和預真空室各自配有真空系統、氣路系統、反射高能電子衍射(RHEED)及真空檢測系統。
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展起來的製備無機材料的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質、研製新晶體、澱積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、...
電化學氣相沉積方法製備的膜厚度均勻,附著力強,在不用較高沉積溫度的基礎上,每小時可使膜的厚度增長5~10pm,適用於製造各種問體氧化物燃料電池中各種厚度的膜,並且可以廣泛使用多種金屬氧化物作膜材。其基本過程是在孔基片的兩邊分別通以金屬鹵化物和含氧氣流,在高溫低壓下完成電化學沉積。研究過程 Tsutomalo...
另外CVD過程涉及高溫化學反應,耗時耗能,且對外部條件的變化十分敏感,難以通過一次常規實驗完全掌握該項技術。鑒於此,本項目以通過CVD法製備低維納米材料為切入點,與Mlabs協作,構建雙語虛擬仿真系統(中文版和英文版)。一方面,通過仿真系統的構建,可以實現學生對CVD過程的反覆操作練習,加深對化學氣相反應過程的理解。另...
化學氣相沉積監測系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標 BOL-10000|| ||LED光源,波長405nm,950nm和1050nm測量溫度範圍500-1200°C,精度+-1K940反射率測量精度+-0.2%。主要功能 線上的溫度監測,非接觸式測量方法,對被測物無損傷,溫度測量範圍400℃~1300℃,測量精度...
電漿化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。按產生電漿的方法,分為射頻電漿、直流電漿和微波電漿CVD等。簡介 電漿化學氣相沉積( plasma chemical vapor deposition)簡稱PCVD,是一種用電漿激活...
光化學氣相沉積(Photo-CVD)是於20世紀80年代初期發展起來的低溫成膜工藝。所謂光化學氣相沉積(Photo-CVD)是將光能引入化學氣相沉積系統,使參與化學反應的源氣體分子對光子進行選擇性吸收,通過反應劑分子的氣相光分解,表面光分解,光敏化反應以及襯底表面加熱等途徑,可使原在高溫下才能形成高質量薄膜的材料,在100~...
原子層化學氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2008年10月8日啟用。技術指標 沉積高K介電薄膜,緻密無漏點,大面積且均勻性好;薄膜可低溫生長(從室溫到350℃),膜厚可精確控制在~1Å.。主要功能 微納電子學、納米材料及相關器件等領域,可作為積體電路中MIM電容器塗層,防反射包覆層...
4.7.3 金屬有機化學氣相沉積MOCVD 4.7.4 原子層沉積ALD 4.8 物理氣相沉積 4.8.1 真空蒸鍍 4.8.2 濺射鍍膜 4.9 剝離 4.9.1 單層膠氯苯處理法 4.9.2 雙層膠法 4.9.3 圖形反轉膠法 4.9.4 其他方法 習題與思考題 參考文獻 第5章 微機電系統測試 5.1 引言 5.2 工藝參數...
石墨烯高溫化學氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2014年9月10日啟用。技術指標 最高溫度1700攝氏度,最大樣品面積1平方厘米,可進行低壓、近常壓以及電漿增強CVD。主要功能 樣品退火,金屬、絕緣體和半導體上的石墨烯CVD生長,碳納米管生長。最大面積2英寸,當使用最...
常壓化學氣相沉積 常壓化學氣相沉積,在常壓條件下的化學氣相沉積方法。反應氣體(如矽烷、硼烷和氧)在常壓下起化學反應而生成一層固態的生成物沉積於襯底上。其沉積工藝參數易控制,重複性好、宜於批量生產。
微波電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年7月8日啟用。技術指標 微波源N=1.5KW,f=2450MHz 連續可調。ECR離子發生器:調節微波輸出功率,磁場強度,偏壓,實現低氣壓放電;放電室:約Ф200×250(mm), 沉積室:約Ф500×500(mm)。主要功能 沉積類金剛石薄膜。
高壓化學氣相沉積 高壓化學氣相沉積(high pressure chemical vapor deposition)是2005年公布的航天科學技術名詞,出自《航天科學技術名詞》第一版。公布時間 2005年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《航天科學技術名詞》第一版。
石墨烯化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2016年8月2日啟用。技術指標 1、全套石英器件,4條獨立控制氣路(氬氣、氫氣、高、低流量甲烷),氣體泄漏探測器。2、獨立三溫區,最高溫度1100℃,恆溫均勻性小於0.5℃。3、不小於98%面積的單層石墨烯。4、100mtorr...
濺射(sputtering),也稱濺鍍(sputter deposition/coating),是一種物理氣相沉積技術,指固體靶"target"(或源"source")中的原子被高能量離子(通常來自電漿)撞擊而離開固體進入氣體的物理過程。濺射一般是在充有惰性氣體的真空系統中,通過高壓電場的作用,使得氬氣電離,產生氬離子流,轟擊靶陰極,被濺出的靶...
化學氣相沉積 化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)是通過化學反應的方式,利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源,在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態薄膜的技術。常用的化學氣相沉積技術有以下三種:(1)常壓化學氣相沉積;(2)低壓化學氣相沉積;(3)等離子增強...
為了節省材料,人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶矽薄膜,但由於生長的矽膜晶粒大小,未能製成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜,人們一直沒有停止過研究,並提出了很多方法。製備多晶矽薄膜電池多採用化學氣相沉積法,包括低壓化學氣相沉積(LPCVD)和等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝。此外,...
金立盾電子設備有限公司,作為國內領先的高端半導體裝備製造企業,開發的擴散設備(Diffusion)、化學氣相沉積設備 (CVD)、退火設備(Annealing)等核心產品已廣泛套用於集電(Semiconductor)、半導體照明(LED)、微機電系統 (MEMS)、功率半導體(Power IC)、先進封裝(Advanced Packaging)、光通(Optical Communication)及...
對於普通的無油真空系統來說,雖然可用油封式真空泵加上冷阱或吸附阱之類附屬檔案來防止返流,但不能徹底解決問題,而且使系統顯得複雜。而使用適當型式的乾式機械真空泵,則可以達到理想的使用效果。套用 乾式機械真空泵的套用是廣泛的,主要有以下幾個方面:(1)低壓化學氣相沉積中的多晶矽製備工藝中;(2)半導體刻蝕...
他們共同獲得2010年諾貝爾物理學獎,石墨烯常見的粉體生產的方法為機械剝離法、氧化還原法、SiC外延生長法,薄膜生產方法為化學氣相沉積法(CVD)。這以後,製備石墨烯的新方法層出不窮。2009年,安德烈·蓋姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫在單層和雙層石墨烯體系中分別發現了整數量子霍爾效應及常溫條件下的量子霍爾效應,他們也...
AWB04鍵合機、MA6/BA6 Karlsuss雙面光刻機和鍵合機、POLI-400化學機械拋光機、WL2040鋁絲壓焊機、OPTI CAOT 22i噴塗膠機系統、ZSH406全自動劃片機、DQ-500等離子去膠機、全自動清洗甩乾機、AXTRON MOCVD金屬有機物化學氣相沉積系統、4470微控四管擴散爐、4371LPCVD低壓化學沉積系統、OMICRON分子束外延系統、JS-...
NMC反應離子式深矽刻蝕系統(DRIE-II)PVA-TePla微波等離子去膠機/表面處理機 測試設備 FSM薄膜應力測量儀 Ocean Optics紫外干涉膜厚儀 測試區 測試設備 Zeiss Ultra Plus場發射掃描電子顯微鏡 Bruker ICON原子力顯微鏡 Agilent BA1500半導體參數測試儀與MM探針台 氧化擴散區 氧化擴散設備 SVCS臥式低壓化學氣相沉積爐管 ...