高壓化學氣相沉積(high pressure chemical vapor deposition)是2005年公布的航天科學技術名詞,出自《航天科學技術名詞》第一版。
基本介紹
- 中文名:高壓化學氣相沉積
- 外文名:high pressure chemical vapor deposition
- 所屬學科:航天科學技術
- 公布時間:2005年
高壓化學氣相沉積(high pressure chemical vapor deposition)是2005年公布的航天科學技術名詞,出自《航天科學技術名詞》第一版。
高壓化學氣相沉積(high pressure chemical vapor deposition)是2005年公布的航天科學技術名詞,出自《航天科學技術名詞》第一版。公布時間2005年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發...
在沉積表面上不僅存在著通常的熱化學反應,還存在著複雜的電漿化學反應,沉積膜就是在這兩種化學反應的共同作用下生長成膜。激發輝光放電的方法主要有:射頻激發,直流高壓激發,脈衝激發和微波激發。電漿增強化學氣相沉積的主要優點是沉積溫度低,對基體的結構和物理性質影響小;沉積速率快;膜的厚度及成分均勻性...
如表面淬火(火焰加熱、高中頻加熱表面淬火、接觸電加熱表面淬火、電解液加熱表面淬火、雷射電子束加熱表面淬火等)、滲碳、氮化、氰化、滲硼、滲金屬(TD法)、雷射強化、化學氣相沉積(CVD法)、物理氣相沉積(PVD法)、電漿化學氣相沉積(PCVD法)等離子噴塗等。物理氣相沉積(PVD法)◆在真空中套用蒸鍍、離子鍍...
CVD(Chemical Vapor Deposition化學氣相沉積)金剛石。含碳氣體(如甲烷)和氫氣的混合物在高溫和低於標準大氣壓的壓力下被激發分解,形成等離子態碳原子,並在基體上沉積互動生長成聚晶金剛石(或控制沉積生長條件沉積生長金剛石單晶或者準單晶)。產品介紹 由於 CVD 金剛石中不含任何金屬催化劑,因此它的熱穩定性接近...
實驗室培育寶石是在實驗室里模擬天然寶石的自然形成環境從而培育出與天然寶石成分、特性均完全一致的寶石(HPHT高溫高壓法)。CVD(化學氣相沉積法)技術也可以培育出。發展歷史 1963年 中國的第一顆人造細粒鑽石誕生,由中科院地球化學研究所、中科院物理研究所、鄭州三磨研究所和地質科學院等單位研製而出,但合成的鑽石...
在真空條件下,將金屬氣化成原子或分子,或者使其離子化成離子,直接沉積到工件表面,形成塗層的過程,稱為物理氣相沉積,其沉積粒子束來源於非化學因素,如蒸發鍍濺射鍍、離子鍍等。(二)離子注入 高電壓下將不同離子注入工件表面令其表面改性的過程,稱為離子注入,如注硼等。(三)化學氣相沉積(CVD)低壓(有...
2.1.2 高壓化學氣相沉積法 2.1.3 壓力輔助熔體填充法 2.1.4 雷射加熱基座拉絲法 2.2 玻璃-玻璃複合光纖 2.2.1 有源玻璃-玻璃複合光纖 2.2.2 無源玻璃-玻璃複合光纖 2.3 納米晶-玻璃複合光纖 2.3.1 稀土離子摻雜納米晶-玻璃複合光纖 2.3.2 過渡金屬離子摻雜納米晶-玻璃複合光纖 2.3.3 量子點-...
低壓法 低壓法,全稱“低壓氣相沉積法”。在低壓、高溫條件下,由含碳氣體沉積成金剛石的方法。不需要複雜的高壓高溫設備,費用低。最有成效的是用化學氣相沉積法生長金剛石薄膜。金剛石在亞穩態形成,採用外延法生長金剛石。化學氣相法和物理氣相沉積法所能生產的是多晶金剛石薄膜。
薄膜材料是指厚度介於單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。電子半導體功能器件和光學鍍膜是薄膜技術的主要套用。薄膜的生長是半導體製造中一項重要的工藝。薄膜生長技術總的來說可以分為物理方法和化學方法。常見的薄膜生長技術包括:熱氧化法、物理氣相沉積和化學氣相沉積。簡介 積體電路在製造過程中需要在晶圓片的表面...