微波等離子化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年4月9日啟用。
微波等離子體化學氣相沉積是使反應氣體的分子離化的微波。微波電漿 CVD （Microwave PCVD, MPCVD）將微波發生器產生的微波用波導管經隔離器進入反應器，並通入 CH4與 H2的混合氣體，在微波的激勵下，在反應室內產生輝光放電，使反應氣體的分子離化，產生電漿，在襯底上沉積得到金剛石膜。
等離子體化學氣相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年1月4日啟用。技術指標 工藝溫度 300~350℃沉積速率 40nm/min膜厚均一性 ?2% (100mm樣品)?4% (200mm樣品)重複性 ?3% 折射率 (measured at 632.8nm) 1.46 (control 1.46-1.50)折射率均一性 ? 0.05 (200...
電漿化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用電漿激活反應氣體，促進在基體表面或近表面空間進行化學反應，生成固態膜的技術。按產生電漿的方法，分為射頻電漿、直流電漿和微波等離子體CVD等。簡介 電漿化學氣相沉積（ plasma chemical vapor deposition）簡稱PCVD，是一種用電漿激活...
微波化學氣相沉積系統 微波化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年8月12日啟用。技術指標 微波功率5kW。主要功能 超寬頻隙半導體材料生長。
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器，於2011年11月28日啟用。技術指標 MCVD機械控制系統，包括：機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣調節火焰形狀主燈、主燈火焰抽風罩、紅外高溫探測儀、SOOT自動去除系統、預製棒...
（3）在固體上產生化學反應並產生固態物質 。最基本的化學氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等幾種。特點 1）在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。2）可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好）。3）採用等離子和...
等離子體增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。技術指標 （1） 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥，截流閥連續可調，控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm，襯底旋轉，轉速為30～60轉/分;基片加熱為700±1℃; （2） 噴淋頭分為三層結構...
等離子增強化學沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年6月30日啟用。技術指標 等粒子源: 射頻淋浴源（RF）、空心陰極高密度電漿源（HCD）、感應耦合電漿源(ICP)或微波等離子體源, VHF（甚高頻）電源 襯體直徑:最大12” (300 mm)直徑 帶RF偏壓的襯底托； 加熱溫度:最高800°C...
等離子體化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源：1200W和600W各一台 氣路系統：不低於6路 刻蝕均勻性：≦±5% 刻蝕樣品台帶水冷 自動...
6微波放電電漿技術與套用106 6.1微波電漿原理106 6.1.1微波在電漿中的傳播特性107 6.1.2微波電漿的電子能量吸收的計算109 6.2微波電漿化學氣相沉積系統112 6.2.1微波電漿化學氣相沉積系統112 6.2.2溶膠霧化微波電漿化學氣相製備薄膜材料115 6.3微波等離子化學氣相沉積的套用119 6....
全自動等離子體增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
甚高頻等離子體化學氣相沉積系統 甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器，於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統； 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室； 極限真空：10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si、nc-SiGe、Ge量子點、AZO、ITO 薄膜。
等離子化學氣相沉積機 等離子化學氣相沉積機是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2017年11月9日啟用。技術指標 氧化矽成膜速率大於400nm/min，氮化矽成膜速率大於100nm/min。主要功能 成膜。
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3（氬電漿）的等離子密度； 其下電極可容納直徑最大8 寸的晶圓，碎片可由載片器裝載； 工藝溫度控制在20°C 到400°C 之間...
研究了基於氟化學的cBN化學氣相沉積機理，本項目在微波等離子體化學氣相沉積系統中基於摻硼金剛石過渡層在Si3N4刀具基體上成果製備了低應力高純度的cBN塗層。cBN塗層厚度3μm，殘餘應力1.5GPa，膜基結合性能良好。 3. 研究了cBN塗層的機械性能並評估了其切削性能。研究了cBN薄膜的納米力學性能、膜基結合性能以及...
（3）薄膜沉積和刻蝕過程和機理研究。如放電等離子體中的各種反應基團的行為和分布；薄膜沉積，團蔟、納米顆粒的形成機理；器壁對基團和材料合成的效應等。實驗室-設備 經過近10年的建設和運行，實驗室擁有了多種薄膜材料製備設備，如微波ECR電漿化學氣相沉積系統、雙頻RF-CCP/ICP化學氣相沉積系統、多靶磁控濺射...
