電漿化學氣相澱積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2014年02月28日啟用。
基本介紹
- 中文名:電漿化學氣相澱積系統
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學、能源科學技術
- 啟用日期:2014年02月28日
- 所屬類別:工藝試驗儀器
電漿化學氣相澱積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2014年02月28日啟用。
電漿化學氣相沉積( plasma chemical vapor deposition)簡稱PCVD,是一種用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成...
電漿化學氣相澱積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2014年02月28日啟用。技術指標 反應室數量為雙室,極限真空為2.0×10-5Pa(環境濕度≤55%),最大樣品尺寸為φ300mm,澱積不均勻性為≤±5%(φ...
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和...
甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統; 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室; 極限真空:10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si...
全自動電漿增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底...
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3(氬電漿)的等離子密度; 其下電極可容納直徑...
電漿化學氣相澱積 電漿化學氣相澱積是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2009年3月1日啟用。技術指標 ICP=500,生長速率10nm/min。主要功能 生長SiN,SiO。
感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2,SiN,a-Si;厚度範圍10nm~1μm;均勻性10%。主要功能 低溫工藝,可在溫室下進行SiO2澱積。
等離子增強化學沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年6月30日啟用。技術指標 等粒子源: 射頻淋浴源(RF)、空心陰極高密度電漿源(HCD)、感應耦合電漿源(ICP)或微波電漿源, VHF(甚高頻)電源 ...
直流熱陰極電漿化學氣相沉積,材料科學技術術語。中文名稱 直流熱陰極電漿化學氣相沉積 英文名稱 direct current hot cathode plasma chemical vapor deposition 定 義 採用高溫熱陰極以及在大的放電電流和高的氣體氣壓下實現長時間...
電漿化學氣相沉積設備是一種用於動力與電氣工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月5日啟用。技術指標 薄膜厚度,均勻性,折射率,透過率。主要功能 電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體...
脈衝電漿化學氣相沉積 脈衝電漿化學氣相沉積,採用低的脈衝直流電源而進行的電漿化學氣相沉積的方法。
射頻電漿化學氣相沉積 射頻電漿化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用射頻電磁場產生的電漿促進化學反應降低反應溫度的化學氣相沉積技術。出處 《材料科學技術名詞》。
微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積,一級套用學科:材料科學技術,二級套用學科:材料科學技術基礎。中文名稱 微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積 定 義 將電場與磁場結合運用,使電場的頻率與電子在磁場中的迴旋的頻率相匹配,即電子...
其中澱積溫度低和台階覆蓋好對超大規模積體電路的製造十分有利。因此是積體電路生產過程中最重要的薄膜澱積方法。常用的有常壓化學氣相澱積、低壓化學氣相澱積以及電漿增強化學氣相澱積等。原理 CVD是利用氣態物質在固體表面進行化學反應,...
膜層成分均勻,電漿對基片有清洗作用。主要功能 低溫成膜,溫度對基片影響小,可製備厚膜,膜層成分均勻;電漿對基片有清洗作用;該設備主要套用電漿化學氣相沉積技術,用來製作SiO2、SiN4、非品Si等介電、半導體及金屬膜。
與實驗符合。對電漿化學氣相沉積提出了二元動力學理論,研究了電漿輸運過程對薄膜沉積率,質量轉換率等影響。用PCVD方法製備了薄膜並用各種探針診斷電漿參量,研究了了電漿參量對薄膜的影響。實驗與理論符合很好。
等離子化學氣相沉積機 等離子化學氣相沉積機是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2017年11月9日啟用。技術指標 氧化矽成膜速率大於400nm/min,氮化矽成膜速率大於100nm/min。主要功能 成膜。
電漿化學氣相澱積台是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2010年08月15日啟用。技術指標 極限真空:反應室8.0*10-5Pa,進樣取樣室5.0*10-1Pa;澱積速率:200-500?/min;澱積均勻性:≤±4%;樣品尺寸:400mm*500mm;裝片量...
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展起來的製備無機材料的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質、研製新...
電漿增強沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2015年7月1日啟用。技術指標 300W,13.56MHz高頻源;500W,50kHz-460kHz 低頻源;反應腔室本底真空度小於1mTorr。SiO2沉積速率大於30nm/min; 4”wafer膜厚均一性小於±3%,重複...
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2011年11月28日啟用。技術指標 MCVD機械控制系統,包括:機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣...
射頻電漿增強化學氣相沉積 射頻電漿增強化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 反應是由平行電極之間的射頻產生的電漿所激活的化學氣相沉積。出處 《材料科學技術名詞》。
多腔體電漿增強化學氣相沉積 多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年11月15日啟用。技術指標 襯底尺寸:6*6英寸,3個工藝腔體,不均勻性3.96%。主要功能 鍍膜。
APCVD即常壓化學氣相澱積,是指在大氣壓下進行的一種化學氣相澱積的方法,這是化學氣相澱積最初所採用的方法。這種工藝所需的系統簡單,反應速度快,但是均勻性較差,台階覆蓋能力差,所以一般用於厚的介質澱積。除了常壓化學氣相澱積(APCVD...