電漿化學氣相澱積是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2009年3月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:電漿化學氣相澱積
- 產地:英國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2009年3月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電路板製造工藝實驗設備
電漿化學氣相澱積是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2009年3月1日啟用。
是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料製備和其他材料薄膜的製備方法。電漿增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)技術是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料製備和其他材料薄膜的製備方法,其通過...
電漿化學氣相澱積 電漿化學氣相澱積是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2009年3月1日啟用。技術指標 ICP=500,生長速率10nm/min。主要功能 生長SiN,SiO。
電漿化學氣相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年1月4日啟用。技術指標 工藝溫度 300~350℃沉積速率 40nm/min膜厚均一性 ?2% (100mm樣品)?4% (200mm樣品)重複性 ?3% 折射率 (measured at 632.8nm) 1.46 (control 1.46-1.50)折射率均一性 ? 0.05 (200...
直流熱陰極電漿化學氣相沉積,材料科學技術術語。中文名稱 直流熱陰極電漿化學氣相沉積 英文名稱 direct current hot cathode plasma chemical vapor deposition 定 義 採用高溫熱陰極以及在大的放電電流和高的氣體氣壓下實現長時間穩定的輝光放電,製備大尺寸厚膜的方法。套用學科 材料科學技術(一級學科),材料...
常用的有常壓化學氣相澱積、低壓化學氣相澱積以及電漿增強化學氣相澱積等。原理 CVD是利用氣態物質在固體表面進行化學反應,生成固態沉積物的工藝過程。它一般包括三個步驟:(1)產生揮發性物質;(2)將揮發性物質輸運到沉積區;(3)於基體上發生化學反應而生成固態產物。技術分類 反應器是CVD裝置最基本的部件。根據反應...
電漿化學氣相澱積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2014年02月28日啟用。技術指標 反應室數量為雙室,極限真空為2.0×10-5Pa(環境濕度≤55%),最大樣品尺寸為φ300mm,澱積不均勻性為≤±5%(φ10吋範圍內)≤±7%(φ12吋範圍內)。主要功能 本系統為計算機控制的雙室...
化學氣相澱積方法簡稱CVD法,是以氣相原材料經化學反應而澱積固體薄膜的方法。由於製備的薄膜能與基體緊密附著,且幾乎對基體的幾何形狀沒有依賴關係,改變氣體成分或澱積條件(如溫度、氣壓等),即可改變成膜的化學或物理性質,對厚度又易於實施控制,因而CVD方法在材料研製過程中得到了廣泛的套用。按照反應條件,CVD法可...
電漿化學氣相澱積台是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2010年08月15日啟用。技術指標 極限真空:反應室8.0*10-5Pa,進樣取樣室5.0*10-1Pa;澱積速率:200-500?/min;澱積均勻性:≤±4%;樣品尺寸:400mm*500mm;裝片量1片;電極加熱:室溫~350℃(精度±0.5℃);壓力調節範圍:0.1Pa~100Pa;四...
射頻電漿化學氣相沉積 射頻電漿化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用射頻電磁場產生的電漿促進化學反應降低反應溫度的化學氣相沉積技術。出處 《材料科學技術名詞》。
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和600W各一台 氣路系統:不低於6路 刻蝕均勻性:≦±5% 刻蝕樣品台帶水冷 自動...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底旋轉,轉速為30~60轉/分;基片加熱為700±1℃; (2) 噴淋頭分為三層結構...
PECVD系統可以藉助微波或射頻源使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成電漿,利用電漿的強化學活性發生反應,從而在基片上沉積出所期的薄膜,具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好等優點。可沉積氧化矽、氮化矽、碳化矽、多晶矽等材料,能夠實現對沉積厚度的精確控制,還可以通過改變反應氣體組分在一定範圍內調節...
微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積,一級套用學科:材料科學技術,二級套用學科:材料科學技術基礎。中文名稱 微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積 定 義 將電場與磁場結合運用,使電場的頻率與電子在磁場中的迴旋的頻率相匹配,即電子迴旋共振方法產生電漿的化學氣相沉積方法。套用學科 材料科學技術(一級學科)...
主要發現在放電電漿中明顯存在高能,中能和低能電子流,控制這些電子流的大小與分布可以提高電離率。在陰極鞘層區電離率分布與電子平均能量分布的峰值不同,與傳統湯遜理論有所不同。在考慮了邊界影響,磁場中的電子非彈性碰撞隨磁場增加,與實驗符合。對電漿化學氣相沉積提出了二元動力學理論,研究了電漿輸運...
射頻電漿增強化學氣相沉積 射頻電漿增強化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 反應是由平行電極之間的射頻產生的電漿所激活的化學氣相沉積。出處 《材料科學技術名詞》。
PECVD通常用於澱積絕緣層,用射頻方式產生電漿。離子的轟擊為次生物質提供能量,使之能在較低的溫度下在矽片上發生化學反應形成薄膜沉積。例如使用PECVD法在P型矽片上沉積氮化矽(SiNx)薄膜。此外,PECVD法在矽通孔(through-silicon-via,簡稱TSV)領域也得到廣泛套用。雷射化學氣相沉積(LCVD)LCVD(1aser chemical ...
等離子化學氣相沉積機 等離子化學氣相沉積機是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2017年11月9日啟用。技術指標 氧化矽成膜速率大於400nm/min,氮化矽成膜速率大於100nm/min。主要功能 成膜。
電漿增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2019年12月6日啟用。技術指標 使用襯底尺寸200mm*200mm;襯底溫度最高為350℃,溫度均勻性正負5℃;可用於沉積SiO2,SiNx薄膜;薄膜均勻性正負5%;可接入6路工藝氣體;傳送腔室最終壓力小於10Pa;反應腔室最終壓力小於2Pa。主要功能 主要用於製備...
甚高頻電漿化學氣相沉積系統 甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統; 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室; 極限真空:10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si、nc-SiGe、Ge量子點、AZO、ITO 薄膜。
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展起來的製備無機材料的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質、研製新晶體、澱積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、...
感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統 感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2,SiN,a-Si;厚度範圍10nm~1μm;均勻性10%。主要功能 低溫工藝,可在溫室下進行SiO2澱積。
多腔體電漿增強化學氣相沉積 多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年11月15日啟用。技術指標 襯底尺寸:6*6英寸,3個工藝腔體,不均勻性3.96%。主要功能 鍍膜。
基於管式爐PECVD的化學氣相沉積薄膜製備虛擬仿真實驗是貴州師範學院建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 薄膜製備工藝在超大規模積體電路技術中有著非常廣泛的套用,按照其成膜方法河分為兩大類:物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積( CVD)。等離子增強型化學氣相澱積( PECVD )是化學氣相澱積的一-種,其澱積溫度低是...
全自動電漿增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
APCVD即常壓化學氣相澱積,是指在大氣壓下進行的一種化學氣相澱積的方法,這是化學氣相澱積最初所採用的方法。這種工藝所需的系統簡單,反應速度快,但是均勻性較差,台階覆蓋能力差,所以一般用於厚的介質澱積。除了常壓化學氣相澱積(APCVD)之外,還有低壓化學氣相澱積(LPCVD),電漿增強型澱積(PECVD)。在晶片...
《積體電路用低介電常數介質薄膜的製備與性能研究》是依託復旦大學,由王季陶擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 用電漿化學氣相澱積在國際上首次製備了可用於超大規模積體電路的非晶矽碳氧氟低介電常數介質薄膜。該薄膜介電常數可低至2.35,擊穿場強可達MV/cmo用拉曼光譜,傅立葉紅外光譜,X射線光電子譜,俄歇能...
輝光放電法:利用反應氣體在電漿中發生分解而在襯底上澱積成薄膜,實際上是在電漿幫助下進行的化學氣相澱積。電漿是由高頻電源在真空系統中產生的。根據在真空室內施加電場的方式,可將輝光放電法分為直流電、高頻法、微波法及附加磁場的輝光放電。在輝光放電裝置中,非晶矽膜的生長過程就是矽烷在電漿中...
一般可用反應氣相沉積方法製備,包括反應電子束蒸發或反應磁控濺射。大面積均勻氧化鋅膜用化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相澱積(PCVD)或平面直流磁控濺射法製成。種類及用途 不同工藝條件下制出的氧化鋅膜具有不同的性能,主要有:(1)氧化鋅透明導電薄膜:在100-800nm的可見光範圍內,透光率大於90%。在製備...