《積體電路用低介電常數介質薄膜的製備與性能研究》是依託復旦大學，由王季陶擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：積體電路用低介電常數介質薄膜的製備與性能研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王季陶
- 負責人職稱：教授
- 批准號：69776026
- 研究期限：1998-01-01 至 2000-12-31
- 申請代碼：F0406
- 支持經費：11（萬元）
項目摘要
用電漿化學氣相澱積在國際上首次製備了可用於超大規模積體電路的非晶矽碳氧氟低介電常數介質薄膜。該薄膜介電常數可低至2.35，擊穿場強可達MV/cmo用拉曼光譜，傅立葉紅外光譜，X射線光電子譜，俄歇能譜，二次粒子質譜，X射衍射和掃描電子顯微鏡等研究了該薄膜的結構和性能，用MIS結構測量了薄膜的C-V和I-V 特性。研究了N2和O2電漿處理改進低介電常數摻氟氧化矽介質抗溫性能的機理。採用旋塗工藝在國際上首次製備了新型超低介電常數的介質薄膜：多孔Teflon AF薄膜，並用FTIR、SEM、XPS和XRD等對該薄膜進行了仔細表征。上述三方面的工作共發表學術論文20篇，其中SCI期刊論文10篇，完成了基金項目所規定的研究任務。
