《低溫電漿輸運過程及其氣相沉積的機理研究》是依託華中科技大學，由劉祖黎擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：低溫電漿輸運過程及其氣相沉積的機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：劉祖黎
- 依託單位：華中科技大學
- 批准號：19275016
- 申請代碼：A2702
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1993-01-01 至 1995-12-31
- 支持經費：4（萬元）
項目摘要
本項目用蒙特卡洛等方法主要研究了在電磁場中電漿鞘層的輸運行為包括帶電粒子的能量分布，密度分布 ，速率分布等及輸運係數值電離係數，擴散係數，激發率，遷移率等。主要發現在放電電漿中明顯存在高能，中能和低能電子流，控制這些電子流的大小與分布可以提高電離率。在陰極鞘層區電離率分布與電子平均能量分布的峰值不同，與傳統湯遜理論有所不同。在考慮了邊界影響，磁場中的電子非彈性碰撞隨磁場增加，與實驗符合。對電漿化學氣相沉積提出了二元動力學理論，研究了電漿輸運過程對薄膜沉積率，質量轉換率等影響。用PCVD方法製備了薄膜並用各種探針診斷電漿參量，研究了了電漿參量對薄膜的影響。實驗與理論符合很好。
