直流電漿化學氣相沉積，利用直流電漿激活化學反應進行的化學氣相沉積的方法。
直流電漿化學氣相沉積，利用直流電漿激活化學反應進行的化學氣相沉積的方法。
直流電漿化學氣相沉積，利用直流電漿激活化學反應進行的化學氣相沉積的方法。...
電漿化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用電漿激活反應氣體，促進在基體表面或近表面空間進行化學反應，生成固態膜的技術。按產生電漿的方法，分為射頻電漿、直流電漿和微波電漿CVD等。簡介 電漿...
直流熱陰極電漿化學氣相沉積，材料科學技術術語。中文名稱 直流熱陰極電漿化學氣相沉積 英文名稱 direct current hot cathode plasma chemical vapor deposition 定 義 採用高溫熱陰極以及在大的放電電流和高的氣體氣壓下實現長時間...
在沉積表面上不僅存在著通常的熱化學反應，還存在著複雜的電漿化學反應，沉積膜就是在這兩種化學反應的共同作用下生長成膜。激發輝光放電的方法主要有：射頻激發，直流高壓激發，脈衝激發和微波激發。電漿增強化學氣相沉積的主要優點...
電漿化學氣相沉積是一種適合於前沿研究的薄膜製備技術也是一種用於納米技術研究的有效方法。典型的電漿化學氣相沉積套用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積各種薄膜。它可以對電路提供有效的保護和鈍化，在電子信息、納米科技、材料科學等...
電漿化學氣相沉積裝置及診斷系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器，於2015年12月9日啟用。技術指標 一 PECVD裝置： 1.腔體極限真空度：10-5pa；2.設備總體漏放率：關機12小時真空度≤5pa；3.樣品與電極間距：40~100...
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源：1200W和...
電漿增強氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年12月20日啟用。技術指標 氣路：N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2；清洗氣路: CF4/O2混合氣體；樣品尺寸：8英寸table,可沉積最大6英寸基片；射頻...
PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)技術是通過化學反應的方式，利用等離子能源，在反應器內使氣態或蒸氣狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術。電漿是在低真空條件下，利用直流電壓、交流電壓、...
電漿聚合裝置 電漿聚合可以認為是一種廣義上的電漿化學氣相沉積（PECVD），只不過放電用的氣體（工作介質）是可聚合的單體，生成的物質是高分子化合物（薄膜，粉狀物或油狀物）。因此，電漿聚合裝置與電漿化學氣相沉積...
281電漿的性質70 282PCVD的特點71 283常用的PCVD裝置73 2831直流等離子化學氣相沉積73 2832脈衝等離子化學氣相沉積75 2833射頻等離子化學氣相沉積78 2834微波等離子化學氣相沉積81 ...
電漿增強化學氣相沉積工藝用覆膜石英管 《電漿增強化學氣相沉積工藝用覆膜石英管》是2015年4月1日實施的一項行業標準。起草人 張葆青、白鳳茹等。起草單位 上海強華石英有限公司、久智光電子材料科技有限公司等。
3 電漿化學反應過程 4 電漿增強化學氣相沉積裝置 5 電漿增強化學氣相沉積工藝過程及特點 5.1 PECVD 211藝過程 5.2 PECVDI藝特點 5.3採用直流脈衝PECVD技術是硬質塗層的主要發展方向 6 電漿增強化學氣相沉積塗層組織特徵...
與實驗符合。對電漿化學氣相沉積提出了二元動力學理論，研究了電漿輸運過程對薄膜沉積率，質量轉換率等影響。用PCVD方法製備了薄膜並用各種探針診斷電漿參量，研究了了電漿參量對薄膜的影響。實驗與理論符合很好。
脈衝電漿化學氣相沉積 脈衝電漿化學氣相沉積，採用低的脈衝直流電源而進行的電漿化學氣相沉積的方法。
多腔體電漿增強化學氣相沉積 多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年11月15日啟用。技術指標 襯底尺寸:6*6英寸,3個工藝腔體，不均勻性3.96%。主要功能 鍍膜。
4.3.4直流電漿增強化學氣相沉積技術（DC—PECVD）4.3.5脈衝直流電漿增強化學氣相沉積（脈衝DC—PECVD）4.3.6射頻電漿增強化學氣相沉積（RF—PECVD）4.3.7微波電漿增強化學氣相沉積（MW—PECVD）4.3.8電子迴旋共振...
熱蒸發沉積又可按蒸發方法不同，分為電阻蒸發沉積與電子束蒸發沉積。電漿濺射沉積也可以根據電漿產生的方法不同，分為直流濺射、射頻濺射和磁控射頻濺射。化學氣相沉積（chemical vapour deposition,CVD）包括低壓型（LPCVD）、常壓型...
甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器，於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統； 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室； 極限真空：10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si...
(1)直流化學氣相沉積 通過直流輝光放電來分解碳氫氣，從而激發成電漿。電漿與基體表面發生相互作用，形成DLC膜。Whitmell等首次報導用甲烷氣體輝光放電產生等離子，在直流陰極板上沉積成膜，但該方法成膜的厚度小，速率低，因此套用...
《NiTi基C型對二甲苯生物膜及其表面生物相容性研究》是依託東南大學，由邵力為擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 用直流電漿表面處理和化學氣相沉積在φ8mmx25mm網狀筒形NiTi血管內皮架上深復牢固的C型聚對二甲苯膜，研製兼具形狀記憶...
第三代大型中試型等離子化學氣相沉積法模具表面強化技術設備和第四代具有完全自主智慧財產權的大功率逆變式脈衝直流電漿化學氣相沉積（PCVD）工模具表面強化工業設備；系統研究了脈衝直流PCVD硬質薄膜材料的套用基礎理論和若干製備關鍵技術；有...
4.2 電漿增強化學氣相沉積技術 4.2.1 電漿增強化學氣相沉積技術中電漿的 性質和特點 4.2.2 射頻電漿化學氣相沉積（RF-PCVD）技術 4.2.3 直流電漿增強化學氣相沉積技術 4.2.4 脈衝直流電漿化學氣相沉積技術...
《(TiAl)N/Si3N4納米複合超硬薄膜的穩定性研究》是依託西安交通大學，由馬勝利擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 基於納米複合超硬薄膜微觀結構設計思想及其最佳化方案，掌握脈衝直流電漿輔助化學氣相沉積製備nc-(TiAl)N/α-Si3N4...