UHV沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年9月15日啟用。
基本介紹
- 中文名:UHV沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2009年9月15日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
UHV沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年9月15日啟用。
UHV沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年9月15日啟用。技術指標外延室極限真空度:2.8*10^-8Pa;進樣室極限真空度:0.5*10^-5Pa;真空漏率2.0*10^-8Pa.l/S;靶材最大...
超高真空雙生長室UHV/CVD系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2006年1月1日啟用。技術指標 4英寸襯底外延生長,本底真空3*10(-8)Pa;襯底加熱溫度可達1000攝氏度。主要功能 在超高真空腔室內在襯底上通過化學氣相沉積的方法進行...
超高真空薄膜沉積系統 超高真空薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年7月8日啟用。技術指標 真空度:1*10^-4 pa。主要功能 有機薄膜沉積。
高真空薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年10月21日啟用。技術指標 極限真空度: 外延室經烘烤 ≤5*10-8Pa 進樣室經烘烤 ≤1*10-5Pa 系統漏率: 外延式漏率 2.0*10-8Pa.1...
PECVD沉積系統是一種用於動力與電氣工程、能源科學技術、計算機科學技術、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2008年5月1日啟用。技術指標 矽薄膜沉積設備,極限真空10-6,溫度可達250 ℃。主要功能 PECVD主要是對半導體材料矽的濺射。
PECVD系統 PECVD系統是一種用於統計學領域的分析儀器,於2006年8月1日啟用。技術指標 1*10-6pa。主要功能 PECVD系統。
自行設計研製了多功能UHV鍍膜系統,電子迴旋共振波電漿薄膜生長系統和脈衝電子束薄膜沉積系統。利用曲面上應力驅動自組織首次在微觀世界裡實現斐波那契螺旋型(Fibonacci Spiral Patterns),並實現了手性的控制;研究了球面上三角排布到迷宮...
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