PECVD系統是一種用於統計學領域的分析儀器，於2006年8月1日啟用。
基本介紹
- 中文名：PECVD系統
- 產地：英國
- 學科領域：統計學
- 啟用日期：2006年8月1日
- 所屬類別：分析儀器 > 電子光學儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
1*10-6pa。
主要功能
PECVD系統。
PECVD系統是一種用於統計學領域的分析儀器，於2006年8月1日啟用。
PECVD系統是一種用於統計學領域的分析儀器，於2006年8月1日啟用。技術指標1*10-6pa。1主要功能PECVD系統。1...
PECVD系統可以藉助微波或射頻源使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成電漿，利用電漿的強化學活性發生反應，從而在基片上沉積出所期的薄膜，具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好等優點。可沉積氧化矽、氮化矽、碳化矽、多晶矽等材料...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。技術指標 （1） 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥，截流閥連續可調，控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm，襯底...
雙室多功能薄膜沉積與實時監控PECVD系統 雙室多功能薄膜沉積與實時監控PECVD系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器，於2015年11月11日啟用。技術指標 基底真空度=5*10(-5)Pa。主要功能 雙室多功和質譜聯用測試。
於2018年03月02日啟用。技術指標 管道保壓測試，報警機制等。主要功能 微機械工藝氣體處理系統用於反應離子刻蝕系統（RIE）和電漿增強化學沉積系統(PECVD)的工藝氣體供應以及危險尾氣處理（處理尾氣包括矽烷、氨氣和其它工藝廢氣）。
超高真空薄膜沉積系統 超高真空薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2015年7月8日啟用。技術指標 真空度：1*10^-4 pa。主要功能 有機薄膜沉積。
高真空薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2008年10月21日啟用。技術指標 極限真空度： 外延室經烘烤 ≤5*10-8Pa 進樣室經烘烤 ≤1*10-5Pa 系統漏率： 外延式漏率 2.0*10-8Pa.1...
PECVD薄膜沉積虛擬仿真實驗對電漿增強化學氣相沉積微觀機理以虛擬動畫形象展示，使學生對微米、納米級抽象的物理效應和實際的半導體器件和工藝之間的聯繫建立聯繫，提高了學生理論知識的綜合理解能力，理解工藝對半導體器件特性及電路系統集成...
氮化矽PECVD是一種用於化學、信息與系統科學相關工程與技術、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器，於2019年3月11日啟用。技術指標 主反應腔室：可提供高真空、射頻、高溫、電漿環境的腔室，完成鍍膜的場所； LHQ-200 ...
平板式電極結構，用於PECVD系統，本實用新型提高非晶矽基薄膜材料生長速率及均勻性，減少由電漿產生的矽聚合物對系統的污染，並可獲得較好的物理及電學參數。包括：一上極板，帶有加熱器，基片放置於上極板；一下極板，設有上層孔板、...
通常的CVD工藝所獲得的氮化矽薄膜應力較大，而採用高低混頻PECVD工藝製備氮化矽薄膜可以較為方便地獲得低應力氮化矽薄膜。本項目將系統深入地研究混頻PECVD技術中工藝條件對氮化矽薄膜性能的影響規律；同時，為深入理解成膜機理，將模擬仿真...
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