氮化矽PECVD

氮化矽PECVD是一種用於化學、信息與系統科學相關工程與技術、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器，於2019年3月11日啟用。

基本介紹

• 中文名：氮化矽PECVD
• 產地：中國
• 學科領域：化學、信息與系統科學相關工程與技術、材料科學、化學工程
• 啟用日期：2019年3月11日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

 主反應腔室：可提供高真空、射頻、高溫、電漿環境的腔室，完成鍍膜的場所；  LHQ-200 系統平台：鍍膜系統還包括 RF 射頻系統、供氣系統、抽氣系統、冷卻系統，供 氣系統由流量計控制其流量，並由真空計測其真空度；  RF 射頻系統：LHQ-200 的 RF 射頻匹配器電源功率 1000W，使用範圍 0~1000W。

主要功能

本設備是一種新型的 PECVD（等離子增強化學氣相澱積），它是藉助射頻使含有薄膜組成原子 的氣體電離，在局部形成電漿，而電漿化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出 所期望的薄膜。本設備可以用於在基片上生成高質量 SiNx，SiO2和α-Si 等薄膜。