氮化矽膜(Silicon nitridc film)是指矽氮化合物的薄膜，常用作微電子技術電絕緣層。化學計量比的氮化矽由正方氮化矽晶胞組成，多餘的矽原子在其中排列成六方結構。
基本介紹
- 中文名：氮化矽膜
- 外文名：silicon nitride file
- 學科：材料工程
- 領域：工程技術
定義,特徵參量,套用,製備方法,優缺點,
定義
氮化矽膜是指矽氮化合物的薄膜。
特徵參量
化學計量比的氮化矽由正方氮化矽晶胞組成，多餘的矽原子在其中排列成六方結構。氮化矽低溫相的點陣常數為a=0.758nm，c=0.5623nm。它的介電常數高達6-7，擊穿場強1x10V·cm。可用化學氣相沉積和濺射法製備。
套用
氮化矽膜主要用作微電子技術電絕緣層。
製備方法
通常採用電漿化學氣相沉積（PCVD）製備，沉積溫度低於300℃。這樣得到的氮化矽膜(P-SiN)中通常含有大量氫(約2x10cm)，Si /N比在0.8-1.0範圍，這對於性能有明顯的影響，因此要求嚴格控制工藝參數。P-Si N用作絕緣層的優點是沉積溫度低、階梯覆蓋性好、耐水和鹼離子作用、機械強度大、粘著性好、內應力低於氮化矽膜、可製成厚膜而不開裂。
優缺點
由於氮化矽具有高硬度(塊體硬度HV17.2GPa)和優良的化學穩定性，它是很受重視的耐磨抗蝕膜。但由於膨脹係數低，當沉積在金屬基材上時，產生較大的界面應力，對基體附著差。
