結晶氮化矽膜c:ryslalhne silicon nitride filrt Si3V;一種晶體結構的絕緣膜。屬六角晶系。禁頻寬度3.9一4.OeV:,密度3 . 4glrm'。介電常數9.4。折射率L.1。電阻率lfl'n3.m腐蝕速率小於f.OZnm/min。採用直接氯化、濺射、低壓化學氣相沉積等方法製取。對鹼金屬原子有強的fl擋力。用作半導體器件鈍化膜。
氮化矽薄膜，作為增透膜廣泛套用於矽基太陽能電池製造領域，一般通過PECVD等手段生長。
結晶氮化矽膜c:ryslalhne silicon nitride filrt Si3V;一種晶體結構的絕緣膜。屬六角晶系。禁頻寬度3.9一4.OeV:,密度3 . 4glrm'。介電常數9.4。折射率L.1。電阻率lf...
含有氮化矽礦物的隕石也曾在中國貴州省境內發現過。除存在於地球上的隕石中以外，氮化矽也分布於外層空間的宇宙塵埃中。晶體結構和特性 藍色圓球是氮原子，灰色圓球是矽原子 氮化矽（Si₃N₄）存在有3種結晶結構，分別是α、β和γ...
氮化矽薄膜做為CMOS工藝兼容材料，由於其在晶片上可集成光電子學器件的潛在套用，其非線性光學性質研究是近幾年來的研究熱點。研究非原子配比及結晶結構等缺陷態對氮化矽薄膜非線性光學性質的影響具有重要學術價值和套用意義。實驗上，製備...
如在中國專利CN201310239191中，公開了一種具有抗PID效應的晶體矽太陽能電池。其做法是在矽襯底和氮化矽層之間，通過PECVD或熱氧化的方法製作一層氧化矽薄膜。然而經過該專利發明人的研究發現，上述發明專利中仍然存在如下的問題： 第一...
這其中澱積氮化矽膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由矽烷和氮反應形成的。而研究人員們發現為適應CVD技術的需要，選擇原料、產物及反應類型等通常應滿足：反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態或有較高的蒸氣壓而易於揮發成蒸汽...
第一部分 晶矽材料、晶矽太陽電池 磁場對矽太陽電池基體材料雜質的能級調控及其對轉換效率的影響 太陽電池生產製備中高填充因子的實現及控制 雙層PECVD氮化矽膜晶體矽太陽電池 矽烷氨氣比對PECVD氮化矽薄膜性能的影響 單晶矽太陽能電池表面...
