PECVD氧化矽生長製備

PECVD氧化矽生長製備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年3月1日啟用。

基本介紹

• 中文名：PECVD氧化矽生長製備
• 產地：中國
• 學科領域：材料科學
• 啟用日期：2012年3月1日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

可通氧氣、四氟化碳、笑氣、氨氣、氮氣、矽烷等多路氣體；氣體通過mfc控制，流量控制精度±1 sccm。 兩寸片可同時生長54片。

主要功能

用於氧化矽和氮化矽的生長。