氧化物薄膜沉積系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2016年12月22日啟用。
基本介紹
- 中文名:氧化物薄膜沉積系統
- 產地:荷蘭
- 學科領域:物理學、電子與通信技術
- 啟用日期:2016年12月22日
- 所屬類別:分析儀器 > 樣品前處理及製備儀器 > 旋轉薄膜蒸發儀
氧化物薄膜沉積系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2016年12月22日啟用。
原子層沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年05月30日啟用。技術指標 反應腔腔壁加熱溫度應不低於300℃;反應腔能夠適應在8英寸及以下尺寸平面基底上沉積薄膜材料且對基底形狀沒有嚴格要求,基底加熱溫度可達500℃...
項目團隊不僅通過脈衝雷射沉積系統,生長了系列3d、4d 過渡金屬氧化物薄膜與異質界面,而且在其中:1)國際上首次發現了3d過渡金屬氧化物中高溫多重電子序的晶體學行為,並用20T級的強磁場下MFM觀察到了電子晶體的實空間圖像與其動力學...
0×10^-3Pa;沉積室極限真空度2.0×10^-5Pa,本底真空度6.6×10^-4Pa;樣品台加熱500度。主要功能 適用於多種材料的功能薄膜如金屬及合金薄膜、氧化物薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、鐵磁薄膜、磁性薄膜等的研製開發。
電漿輔助類金剛石薄膜沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2018年11月19日啟用。技術指標 上電極為鋁製電極由13.56MHz射頻源驅動,噴淋頭直徑218mm,溫度控制在200°C到400°C。主要功能 用於在直徑2吋到8吋的單個晶圓上...
脈衝電子束沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2010年1月1日啟用。技術指標 真空度10-5Pa,脈衝電子束能量0kV-18KV,脈衝頻率1-30Hz,基片溫度最高達800 oC。主要功能 脈衝電子束沉積系統,沉積氧化物、氮化物等薄膜。
其中材料製備設備方面有:四靶磁控濺射系統、準分子脈衝雷射外延生長系統、原子層沉積薄膜生長系統、電漿增強化學氣相沉積系統、電子束蒸發薄膜沉積系統和真空氣氛條件下薄膜快速熱處理系統;器件研製方面有:紫外光刻機和反應離子刻蝕系統;...