金屬鍍膜電子束蒸發台是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月4日啟用。
基本介紹
- 中文名:金屬鍍膜電子束蒸發台
- 產地:中國
- 學科領域:信息科學與系統科學、電子與通信技術
- 啟用日期:2016年4月4日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 汽車工藝實驗設備 > 紅外線汽車排氣分析儀
金屬鍍膜電子束蒸發台是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月4日啟用。
金屬鍍膜電子束蒸發台是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月4日啟用。技術指標金屬鍍層厚度、均勻性。1主要功能電子束蒸發系統是化合物半導體器件製作中的一種重要工藝技術;它是在高真空...
Ti、Al、Ni、Au、Pt、Ag、Ni等; 膜厚均勻性:≤±5%。主要功能 電子束蒸發台常見於鍍膜工藝流程,其原理是利用加速後的電子能量打擊材料標靶,使材料標靶蒸發升騰,最終沉積到目標基底上。主要用於Ti、Al、Ni、Au、Pt、Ag、Ni等金屬的鍍膜,一爐可以依次蒸鍍6種不同金屬,可以蒸鍍高熔點金屬Pt、W等。
電子束蒸發鍍膜儀是一種用於數學領域的分析儀器,於2014年12月1日啟用。技術指標 1、 真空度< 2x10-7 Torr (可達到3.0×10-8 Torr)。2、 電壓源型號ST6;電壓2-10kV可調,電子束流0-0.6A。3、 樣品台可以適用於6英寸晶片。4、 電子槍離子電壓:100-1000eV。主要功能 1、 樣品襯底在蒸鍍前可以通過...
電子束蒸發鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年3月26日啟用。技術指標 1.基片尺寸≤Ф12英寸2.電子槍功率:5-10KW3.極限真空度:5×10-5Pa4.真空抽速:3×10-4Pa/20min5.襯底溫度:350℃6.溫度均勻性:±10℃7.樣平台轉速:≤20r/min8.坩堝數量:49.鍍膜均勻性:±5%(Al)10.控制...
小型電子束蒸發台是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年11月7日啟用。技術指標 鍍膜室開門後抽至5*10-7Torr的時間少於30分鐘;基片通過預真空室裝樣後,鍍膜真空恢復原真空時間小於10分鐘;實現蒸鍍高熔點金屬功能,如蒸鉑,鎢等。主要功能 在真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發材料,使蒸發材料氣化並...
電子束蒸發鍍膜設備是一種用於數學領域的分析儀器,於2017年3月1日啟用。技術指標 真空室極限真空度≤8E-5Pa,從大氣抽至1E-3Pa時間≤40min,漏率≤2E-10AtmCC/Sec。電子槍:最大加速功率10KW,最大電流1A;偏轉角270度。電子束位置調節範圍至少覆蓋+20mm到-20mm,電子束掃描範圍至少覆蓋+20mm到-20mm,電子...
電子束熱蒸發鍍膜機是一種用於物理學、材料科學、機械工程領域的計量儀器,於2015年1月27日啟用。技術指標 腔體尺寸:600mm(直徑)×700mm(高);前級乾泵加低溫泵真空系統,30分鐘以內抽進10-4Pa,極限真空小於5x10-5Pa;樣品托盤6寸矽片向下兼容,至少裝載4寸3片或6寸;坩堝數量6個,單個容積不小於20cc;樣品最...
真空電子束蒸發鍍膜儀 真空電子束蒸發鍍膜儀是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年07月02日啟用。技術指標 直徑4英寸基片,片內均勻性優於±3%,片間均勻性優於±2%,重複性優於±2%。主要功能 蒸發沉積各種金屬和介質。
高真空電子束蒸發鍍膜機是一種用於化學工程領域的工藝試驗儀器,於2014年11月12日啟用。技術指標 1、真空腔室:Φ600×650mm;立式前開門結構。2、真空系統:複合分子泵+機械泵系統,氣動真空閥門,“兩低一高”數顯複合真空計。*3、極限真空:優於6.67×10-5Pa;系統真空檢漏率:≤1×10-8PaL/s*4、抽速:...
(Tmax-Tmin)/Tavg/2。主要功能 電子束蒸發鍍膜系統是一種適合於前沿研究的金屬薄膜製備技術也是一種用於納米技術研究的有效方法。典型的電子束蒸發鍍膜系統套用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積各種金屬薄膜。它主要套用微納加工金屬薄膜製備,在電子信息、納米科技、材料科學等多個領域有著廣泛的套用。
高真空雙電子束蒸發鍍膜儀是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2018年12月18日啟用。技術指標 1 極限真空≤5E-8Torr;2 抽速: 暴露大氣抽至1.5E-6Torr,時間不超過30分鐘;3 6英寸膜厚均勻性:優於+/-3%; 4 膜厚探頭監控精度:鍍膜速率0.01A/S;5 加熱器穩定精度:加熱溫度700℃,控制精度:+/-1...
高真空電子束蒸發鍍膜是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月14日啟用。技術指標 1.真空腔室:要求採用304不鏽鋼材質,尺寸不小於Φ565×H618mm;配方便拆卸的防污板;真空腔體整體水冷優良;2.真空系統:主泵採用具有不低於1700升/秒抽吸能力的高性能分子泵,前級泵採用無油乾泵; 主泵需採用國產或進口...
離子輔助電子束蒸發鍍膜機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月22日啟用。技術指標 箱式,前開門;內腔尺寸為710*850nm;採用oCr8Ni9不鏽鋼材質;陽極電壓為6-10KV;束流:0-800mA可調。主要功能 主要用於為實驗室承擔的基於薄膜結構的科研,提供在各種基底上鍍各種厚度為納米級的薄膜。
根據不同材料的性質分為固態升華和液態蒸發,整個蒸發過程是物理過程,實現物質從源到薄膜的轉移。裝有蒸發材料的坩堝周圍有冷卻系統,避免坩堝內壁與蒸發材料發生反應影響薄膜質量。通過調節電子束的功率,可以方便的控制鍍膜材料的蒸發速率,特別適用於高熔點以及高純金屬材料,通過膜厚測量系統可實時精確測量蒸發速率和...
電子束蒸鍍是利用加速電子轟擊鍍膜材料,電子的動能轉換成熱能使鍍膜材料加熱蒸發,並成膜。電子槍有直射式、環型和E型之分。電子束加熱蒸鍍的特點是能獲得極高的能量密度,最高可達109w/cm²,加熱溫度可達3000~6000℃,可以蒸發難熔金屬或化合物;被蒸發材料置於水冷的坩堝中,可避免坩堝材料的污染,製備高純...
超高真空電子束多腔蒸發鍍膜系統 超高真空電子束多腔蒸發鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月6日啟用。技術指標 蒸發室和氧化室真空度可以達到1E-9 Torr的級別。生長的鋁膜製備的共面波導超導諧振腔的Q值平均值為50萬。主要功能 電子束蒸發高質量鋁膜。
離子輔助電子束蒸發鍍膜系統是一種用於物理學領域的海洋儀器,於2016年11月10日啟用。技術指標 六類四對非禁止雙絞線,305米/箱 六類模組化配線架-24口 六類跳線3米 機架式理線架-1U 多模OM3光纖跳線-3米LC雙工 多模OM3室內光纜-24芯 多模OM3光纖配線架-24口LC雙工 光纖熔接 布線管理軟體 IMU智慧型管理單元-...
電子束鍍膜機是一種用於機械工程領域的分析儀器,於2013年10月31日啟用。技術指標 技術指標: 1、真空腔室:寬約400mm,深約400mm,高約500mm,腔室表面做拋光處理。2、真空系統:帶有自動切換功能及互鎖機構。3、 電子槍: 有自動的控制和匹配單元。4、鍍膜控制單元:可以實現共蒸控制;可以儲存100個蒸鍍過程和...
真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料,使其蒸發並凝結於鍍件(金屬、半導體或絕緣體)表面而形成薄膜的一種方法。例如,真空鍍鋁、真空鍍鉻等。簡述 真空鍍膜是真空套用領域的一個重要方面,它是以真空技術為基礎,利用物理或化學方法,並吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新...
(2)電子束加熱:電子束加熱法的基本原理是基於由熱陰極發射的電子在電場作用下,獲得動能轟擊到作為陽極的蒸發材料上,將其動能轉化為加熱材料的內能而使材料蒸發。由於聚集電子束的能量密度大,可使材料表面局部區域達到3 000℃~4 000℃的高溫,適於蒸發高熔點金屬、化合物材料和要求高蒸發速率的場合。(3)射頻感應...
Denton電子束蒸發鍍膜設備 Denton多靶磁控濺射鍍膜系統 HARRICK等離子清洗機 微納圖形加工設備 Zeiss Auriga場發射電子束/聚焦離子束雙束系統 測試設備 KLA-Tencor P7 台階儀 薄膜II區 薄膜沉積設備 Oxford 電漿增強化學氣相沉積系統 刻蝕設備 Sentech ICP反應離子刻蝕機(用於金屬薄膜)NMC ICP反應離子刻蝕機(用於...
在平板顯示器件、真空電子器件和信息光子器件研究與開發方面,擁有一批功能完善、性能先進的實驗裝備和設計軟體,儀器設備總價值4000餘萬元。實驗室現有大型儀器設備包括:電子束蒸發真空鍍膜機,多功能磁控濺射儀,雷射分子束外延機,精密絲網印刷機,表面形貌分析儀,高溫燒結爐,時空分辨真空紫外光譜測量系統,超快非線性...
噴鍍金屬 將乾燥的樣品用導電性好的粘合劑或其他粘合劑粘在金屬樣品台上,然後放在真空蒸發器中噴鍍一層50~300埃厚的金屬膜,以提高樣品的導電性和二次電子產額,改善圖象質量,並且防止樣品受熱和輻射損傷。如果採用離子濺射鍍膜機噴鍍金屬,可獲得均勻的細顆粒薄金屬鍍層,提高掃描電子圖象的質量。冷凍法製備樣品 低...
中心具有的關鍵工藝和測試設備:電子束光刻設備、MA6/BA6雙面光刻機和EVG光刻機;分別用於矽、氧化矽、金屬和III-V族半導體材料刻蝕的感應耦合電漿(ICP)刻蝕設備;電子束金屬蒸發設備、離子束濺射鍍膜設備、磁控濺射設備、等離子增強化學氣相澱積系統(PECVD)、低壓增強化學氣相澱積系統(LPCVD);離子注入系統、...
蒸發HF刻蝕;深矽刻蝕;金屬刻蝕機;金屬ICP刻蝕機松下;濕法刻蝕系統;電漿去膠機;電漿增強化學氣相沉積;微波等離子化學氣相沉積;快速熱處理;氧化爐及;離子束鍍膜機 ;原子層沉積 ;電子束蒸發鍍膜;濺射鍍膜;反射式光譜膜厚儀;光譜型橢圓偏振儀;散射式掃描近場光學顯微鏡;台階儀;半導體參數分析儀;...
自2021年公司成立,公司完全自主設計製造分子束外延設備(MBE)、全自動磁控濺射設備、電子束鍍膜機、OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備,採用磁控濺射與電漿增強化學氣相沉積PECVD技術,設計製造了團簇式太陽能薄膜電池中試線;採用熱絲法,設計製造金剛石薄膜製備設備;設計製造高真空電阻熱蒸發鍍膜機...
OPTI CAOT 22i噴塗膠機系統、ZSH406全自動劃片機、DQ-500等離子去膠機、全自動清洗甩乾機、AXTRON MOCVD金屬有機物化學氣相沉積系統、4470微控四管擴散爐、4371LPCVD低壓化學沉積系統、OMICRON分子束外延系統、JS-3X100B磁控濺射台、PECVD-2E等離子澱積台、ZZSX500C電子束蒸發台、JC500-3/D磁控濺射鍍膜機、石英管...
OPTI CAOT 22i噴塗膠機系統、ZSH406全自動劃片機、DQ-500等離子去膠機、全自動清洗甩乾機、AXTRON MOCVD金屬有機物化學氣相沉積系統、4470微控四管擴散爐、4371LPCVD低壓化學沉積系統、OMICRON分子束外延系統、JS-3X100B磁控濺射台、PECVD-2E等離子澱積台、ZZSX500C電子束蒸發台、JC500-3/D磁控濺射鍍膜機、石英管...
學院具有良好的研究生培養環境和條件,具有先進的教學實驗儀器設備。其中超淨真空鍍膜室、電子束蒸發鍍膜、飛行時間質譜譜儀、分子束外延、計算機集群系統和掃描電子顯微鏡等大型儀器設備的設定達到國際先進水平。儀器設備總價值達2000餘萬元。學校圖書館和學院資料室圖書資料豐富,訂閱了Scicence,Nature,Physical Review系列...
多層膜製備主要有電子束蒸發和濺射方法兩類。電子束蒸發法是利用高能電子束氣化待鍍材料,使其沉積到基板,其真空度高,特別適於蒸鍍易氧化材料。但此法產生的蒸鍍粒子動能,膜系疏鬆,實現穩定的鍍膜速率控制較難。濺射法分離子束濺射和磁控濺,它用氣體離子將被鍍材料濺射沉積到基板上。此產生的濺射粒子的動能較...