蒸發鍍膜系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2004年03月01日啟用。
蒸發鍍膜系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2004年03月01日啟用。技術指標極限真空5.0E-5Pa4英寸寸矽片表面膜厚均勻性小於5%電子槍最大功率 10kW最大電壓8kV襯底溫度最高可到350℃樣品台自轉速度最高可...
雙室蒸發鍍膜系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2012年07月02日啟用。技術指標 （1）極限真空：5*10-5Pa（2）抽速：從大氣抽至7*10-4Pa，用時小於40min（3）真空保持：系統停泵關機12小時後，真空度≤5Pa（4）基片加熱：溫度可達600度，升溫速率5-20℃/min。主要功能 雙室熱蒸發鍍膜系統可為...
高真空蒸發鍍膜系統 高真空蒸發鍍膜系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月10日啟用。技術指標 有機小分子與金屬分為兩個蒸發腔體。主要功能 蒸發電子器件功能薄膜。
電子束蒸發鍍膜系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年11月17日啟用。技術指標 1 鍍膜腔體極限真空度 ≤ 5.0×10-9Torr 以真空計儀表顯示值為準2 預真空室極限真空度 ≤ 5.0×10-8Torr 以真空計儀表顯示值為準3 預真空室真空抽速 可在10分鐘之內抽到5E-6托 以真空計...
多源蒸發濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2019年6月10日啟用。技術指標 1.濺射室極限真空度：≤6x10-8Pa(經烘烤除氣後)，真空獲得採用分子泵(1200L/S) 和機械泵（8L/S）+ CF200主閥組成（分子泵和機械泵、真空規、用戶已備）；2.系統真空檢漏率：≤5.0x10-8Pa.l/S；系統從...
熱蒸發鍍膜系統 熱蒸發鍍膜系統是一種用於化學工程領域的工藝試驗儀器，於2015年10月01日啟用。技術指標 系統極限壓強可達≤5×10-6Torr；帶有可變速旋轉樣品台，電機驅動，最大轉速 20rpm。主要功能 蒸鍍各種金屬膜。主要用於製備納米器件、有機光電器件的金屬電極等。
超高真空電子束多腔蒸發鍍膜系統 超高真空電子束多腔蒸發鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月6日啟用。技術指標 蒸發室和氧化室真空度可以達到1E-9 Torr的級別。生長的鋁膜製備的共面波導超導諧振腔的Q值平均值為50萬。主要功能 電子束蒸發高質量鋁膜。
高真空雙電子槍蒸發鍍膜系統 高真空雙電子槍蒸發鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2018年7月4日啟用。技術指標 真空室尺寸500mm*500mm*700mm;真空系統，主泵為brooks cti 1500L/s冷凝泵。主要功能 用於高真空下多種材料的蒸發鍍膜。
離子輔助電子束蒸發鍍膜系統是一種用於物理學領域的海洋儀器，於2016年11月10日啟用。技術指標 六類四對非禁止雙絞線，305米/箱 六類模組化配線架-24口 六類跳線3米 機架式理線架-1U 多模OM3光纖跳線-3米LC雙工 多模OM3室內光纜-24芯 多模OM3光纖配線架-24口LC雙工 光纖熔接 布線管理軟體 IMU智慧型管理單元-...
真空蒸發鍍膜設備主要由兩大部分組成，即真空鍍膜室和真空抽氣系統。真空鍍膜室內有蒸發源、基片、被蒸鍍材料和基片支架等，其原理如圖3所示。製備質量較好的外延薄膜，可以在製備過程中，通過調整蒸發速度，改變加熱電流來實現。通過改變蒸發軸與基地表面直接的夾角可以製備不同形狀的薄膜，如沉積均勻薄膜時需使夾角為90...
真空有機蒸發鍍膜手套箱系統是一種用於電子與通信技術領域的科學儀器，於2017年10月25日啟用。技術指標 1.惰性氣體作業系統：水氧含量可維持在0.1ppm 2.真空熱蒸鍍系統：真空度可達1*10-6mbar。主要功能 1.可提供無水無氧的操作環境 2.可提供金屬蒸鍍高真空氛圍和對應熱蒸鍍控制系統 3.主要用於有機半導體材料...
磁控在蒸發複合鍍膜系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2018年5月31日啟用。技術指標 1、6英寸襯底薄膜均勻性：=5% 2、工藝腔真空度：=5.0e-7Torr，進樣室真空度：=5.0e-7Torr。主要功能 具備射頻磁控、電子束蒸發、熱蒸發薄膜生長能力，配備...
8）數顯複合真空計（9）機台架（10）觀察窗 (11)CF35 玻璃視窗。主要功能 教學中，該設備可用於物理學院全院研究生以及部分本科生的教學及演示實驗；在科研中，該超高真空多功能薄膜製備系統具備如下基本功能：氫、氧電漿處理；樣品退火處理；功能有機薄膜生長；功能無機薄膜生長；原位發光光譜測量；樣品封裝等。
(4)取件。膜層厚度達到要求以後，用擋板蓋住蒸發源並停止加熱，但不要馬上導入空氣。設備 真空蒸鍍裝置由真空抽氣系統和蒸發室組成。真空抽氣系統由（超）高真空泵、低真空泵、排氣管道和閥門等組成。此外，還附有冷阱(用以防止油蒸氣的返流)和真空測量計等。蒸發室大多用不鏽鋼製成。在蒸發室內配有真空蒸鍍時...
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空電阻加熱蒸發，電子槍加熱蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD雷射濺射沉積，離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面...
熱蒸發直流電源的最高加熱溫度1800℃。磁控腔室基片最高加熱溫度600度，蒸發腔室最高加熱溫度400度。磁控腔室中頻電源的最大功率10kW。偏壓電源的最高功率30kw。三路氣體;Ar、N2、O2，最大流量為100sccm。主要功能 電子束蒸發設備系統具有兩個真空腔室——磁控濺射腔室和蒸發腔室。磁控濺射腔室中配置了雙陰極輸出...
高真空蒸發系統是一種用於物理學、電子與通信技術、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年9月28日啟用。技術指標 電子束蒸發源：8kW，2MHz 晶圓尺寸：最大6英寸 真空度：10E-7Torr 蒸發物料：Ti、Au等 典型沉積速率：0.1-10A/s 樣品台最大傾斜角：±45° 樣品台工作距離：40-60cm。主要功能 高真空電子束...
集成鍍膜系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2014年12月01日啟用。技術指標 1.系統配有四個腔室，分別為UHV蒸發室、UHV處理室、UHV濺射室和load lock，用於電子束蒸發沉積Ti, Au, Al, Al2O3等薄膜材料以及磁控濺射Nb,NbN薄膜材料。2.電子束蒸發源：4 x15cc ，2-10KV可調。3.濺射室配有兩個2英寸磁控...
電子束熱蒸發鍍膜機是一種用於物理學、材料科學、機械工程領域的計量儀器，於2015年1月27日啟用。技術指標 腔體尺寸：600mm(直徑)×700mm(高);前級乾泵加低溫泵真空系統，30分鐘以內抽進10-4Pa，極限真空小於5x10-5Pa;樣品托盤6寸矽片向下兼容，至少裝載4寸3片或6寸;坩堝數量6個，單個容積不小於20cc;樣品最...
高真空蒸發鍍膜機是一種用於物理學、化學、材料科學領域的儀器，於2012年03月16日啟用。技術指標 該設備主要由蒸發沉積室、手套箱、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、計算機控制系統、電控系統、配氣系統等部分組成。配置：全自動計算機控制蒸發源、膜厚、樣品台和真空度；計算機控制樣品和擋板轉動；4個有機源、2...
真空蒸發鍍膜儀是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年06月01日啟用。技術指標 系統的極限壓強可達≤2x10-7Torr;三組熱阻蒸發源;可儲存100個工藝，1000層，50種薄膜;最大轉速可達20轉/分鐘;最高加熱溫度不低於350℃。主要功能 真空蒸發鍍膜是一種由物理方法產生薄膜材料的技術。該設備被廣泛套用...
1.基片尺寸≤Ф12英寸2.電子槍功率：5-10KW3.極限真空度：5×10-5Pa4.真空抽速：3×10-4Pa/20min5.襯底溫度：350℃6.溫度均勻性：±10℃7.樣平台轉速：≤20r/min8.坩堝數量：49.鍍膜均勻性：±5%（Al）10.控制系統：PC+PLC全自動控制。主要功能 電子蒸發鍍膜機是一種普適鍍膜機，用於鍍制各種單層膜...
高真空電子束蒸發鍍膜是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月14日啟用。技術指標 1.真空腔室：要求採用304不鏽鋼材質，尺寸不小於Φ565×H618mm；配方便拆卸的防污板；真空腔體整體水冷優良；2.真空系統：主泵採用具有不低於1700升/秒抽吸能力的高性能分子泵，前級泵採用無油乾泵； 主泵需採用國產或進口...
金屬鍍膜電子束蒸發台是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年4月4日啟用。技術指標 金屬鍍層厚度、均勻性。主要功能 電子束蒸發系統是化合物半導體器件製作中的一種重要工藝技術；它是在高真空狀態下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融後蒸發到所需基片上形成金屬膜。可蒸發很多難...
真空鍍膜系統是一種用於化學領域的工藝試驗儀器，於2017年12月13日啟用。技術指標 有機蒸鍍腔體配備4個有機蒸發源，2個金屬蒸發源和3個探頭。金屬蒸鍍腔體配備4個金屬蒸發源和2個探頭。兩個鍍膜腔體配備高真空鍍膜系統真空系統，真空度小於1.0E-06 mbar；金屬蒸鍍腔體配備INFICON 310C真空鍍膜控制器；有機蒸鍍...
電子束熱蒸發系統 電子束熱蒸發系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年6月1日啟用。技術指標 10min內真空達到5E-3Torr；30nm鍍膜非均勻度＜3%。主要功能 電子束鍍膜和電阻式熱蒸發鍍膜。
真空熱蒸發鍍膜機是一種用於信息科學與系統科學領域的分析儀器，於2013年12月24日啟用。技術指標 直徑400mm，高475mm,D字形結構；鋁合金或不鏽鋼艙體可供選擇；最大可處理直徑200mm的基片；整體尺寸600mmx1000mm。主要功能 支持多個PVD操作；最多可安裝6個蒸發源；獨立或共蒸功能；可與手套箱集成；多種備選功能...
濺射和碳絲蒸發鍍膜儀是一種用於畜牧、獸醫科學領域的科學儀器，於2018年12月30日啟用。技術指標 工作時氣壓：Ar, 約1×10－2mbar，工作前真空度需達到5×10－5mbar，全無油真空系統：隔膜泵×1+分子泵×1。主要功能 全自動電腦控制，自動完成抽真空，鍍膜，放氣等全過程，一鍵操作；可進行離子濺射鍍金屬膜，...
真空鍍膜是真空套用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，並吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜製備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射，使其在被塗覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固並...
星型多功能鍍膜系統 星型多功能鍍膜系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2017年1月1日啟用。技術指標 系統有多個子系統組成，各個子系統均可以獨立工作；極限真空度8E-5Pa。主要功能 可以實現使用熱阻蒸發、直流/射頻磁控濺射、熱升華等三種技術沉積薄膜；可以在不暴露於大氣的情形下用三種方法沉積多層薄膜。
