電子束熱蒸發系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年6月1日啟用。
基本介紹
- 中文名：電子束熱蒸發系統
- 產地：中國台灣
- 學科領域：材料科學
- 啟用日期：2014年6月1日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
10min內真空達到5E-3Torr；30nm鍍膜非均勻度＜3%。
主要功能
電子束鍍膜和電阻式熱蒸發鍍膜。
電子束熱蒸發系統
相關詞條
- 電子束熱蒸發系統
電子束熱蒸發系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年6月1日啟用。技術指標10min內真空達到5E-3Torr；30nm鍍膜非均勻度＜3%。1主要功能電子束鍍膜和電阻式熱蒸發鍍膜。1...
- 電子束蒸發系統
電子束蒸發系統 電子束蒸發系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年8月25日啟用。技術指標 極限真空:5.98E－5Pa;排氣時間:2.01E-4Pa(14min),1.45E-4Pa(29min);基板加熱溫度:MAX300℃;膜厚均勻性:片內3.66％，片間4.54％，爐間4.19％。主要功能 金屬電極蒸鍍。
- 磁控濺射電子束蒸發系統
磁控濺射電子束蒸發系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年8月31日啟用。技術指標 極限真空≤5.0E-5Pa（經烘烤除氣後），襯底固定4襯底固定，可放置4片10×10cm2方形樣品，。主要功能 電子束蒸鍍（Electron Beam Evaporation）是物理氣相沉積的一種，是在真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發材料，使...
- 超高真空電子束蒸發系統
超高真空電子束蒸發系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2018年11月30日啟用。技術指標 電子束蒸發腔室和氧化腔室極限真空度≤5*10-9 Torr；最大支持尺寸≥4英寸；電子束蒸發腔室和清洗腔室樣品架可旋轉和雙向傾斜，傾斜角度≥±75度，角度控制精度≤0.1度；...
- 高真空電子束蒸發系統
高真空電子束蒸發系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2014年12月1日啟用。技術指標 真空度可達到10-8Torr量級；具有基片加熱功能，最高可以加熱到450℃。主要功能 該設備具有以下特點：真空度可達到10-8Torr量級；具有基片加熱功能，最高可以加熱到450℃；可對8英寸及以下矽片進行鍍膜；蒸發速率快,均勻性好；所...
- 超高真空脈衝雷射沉積電子束蒸發系統
超高真空脈衝雷射沉積電子束蒸發系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2017年12月1日啟用。技術指標 本系統主體由預真空進樣室、超高真空脈衝雷射沉積室、超高真空電子束蒸發室和 準分 子雷射器四部分組成。所有主要部件皆須使用進口產品。主要分項技術指標如下： （一） 預真空進樣室 1、本底真空度優於5E-7 ...
- 電子束蒸發鍍膜設備
電子束蒸發設備系統具有兩個真空腔室——磁控濺射腔室和蒸發腔室。磁控濺射腔室中配置了雙陰極輸出中頻電源（10KW），連線兩個孿生磁控靶，磁控靶為英國真科的閉合非平衡磁控靶。同時配置了30kW的偏壓電源，具有直流和脈衝兩種偏壓形式，最高電壓為1000V，最高電流為75A，頻率為1-30kHz。占空比為5~95%。磁控腔室...
- 高真空蒸發系統
高真空蒸發系統是一種用於物理學、電子與通信技術、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年9月28日啟用。技術指標 電子束蒸發源：8kW，2MHz 晶圓尺寸：最大6英寸 真空度：10E-7Torr 蒸發物料：Ti、Au等 典型沉積速率：0.1-10A/s 樣品台最大傾斜角：±45° 樣品台工作距離：40-60cm。主要功能 高真空電子束...
- 電子束熱蒸發鍍膜機
電子束熱蒸發鍍膜機是一種用於物理學、材料科學、機械工程領域的計量儀器，於2015年1月27日啟用。技術指標 腔體尺寸：600mm(直徑)×700mm(高);前級乾泵加低溫泵真空系統，30分鐘以內抽進10-4Pa，極限真空小於5x10-5Pa;樣品托盤6寸矽片向下兼容，至少裝載4寸3片或6寸;坩堝數量6個，單個容積不小於20cc;樣品最...
- 金屬鍍膜電子束蒸發台
金屬鍍膜電子束蒸發台是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年4月4日啟用。技術指標 金屬鍍層厚度、均勻性。主要功能 電子束蒸發系統是化合物半導體器件製作中的一種重要工藝技術；它是在高真空狀態下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融後蒸發到所需基片上形成金屬膜。可蒸發很多難...
- 複合型蒸發系統
複合型蒸發系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，產地為日本，於2013年8月9日啟用。技術指標 極限真空度≤1x10-5 Pa ;6個電子束蒸發工位，2個舟型熱蒸發工位；襯底採用紅外加熱，最高溫度≥150C；支持樣品尺寸：最大支持6英寸晶圓，可一次裝載5片6英寸...
- 金屬電子束蒸發台
基板尺寸：2、4、6英寸； 基板加熱：最高溫度250℃，控溫精度1℃； 系統極限真空度： 2×10-7 torr； 蒸發源數量：6個坩堝； 可蒸發金屬：Ti、Al、Ni、Au、Pt、Ag、Ni等； 膜厚均勻性：≤±5%。主要功能 電子束蒸發台常見於鍍膜工藝流程，其原理是利用加速後的電子能量打擊材料標靶，使材料標靶蒸發升騰，...
- 真空蒸發工藝
真空蒸發工藝在微電子技術中主要用於製作有源元件、器件的接觸及其金屬互連、高精度低溫度係數的薄膜電阻器，以及薄膜電容器的絕緣介質和電極等。薄膜磁性元件如存儲元件、邏輯元件、光磁元件、聲表面波器件、薄膜超導元件等的薄膜，都可用真空蒸發方法獲得。在真空蒸發工藝中，系統真空度是直接影響成膜質量的關鍵。為了...
- 電子束加熱
工作室通常是用不鏽鋼製成的真空容器，外周必要時用水套或水管冷卻，內部有工作檯或柑渦、物料支承、輸送機構等；外殼壁上有連線電子槍、真空機組、測溫裝置等的連線管。真空系統由機械泵、增壓泵和擴散泵等組成。軸向槍通常另配一套真空機組，槍室真空度在10³Pa以上。高壓電源電子槍在直流高壓下工作，如熔煉爐的...
- 蒸發沉積系統
蒸發沉積系統 蒸發沉積系統是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2010年8月26日啟用。技術指標 腔室本底真空優於5x10-8torr；4 個7cc的蒸發坩堝；2個熱蒸發電極。主要功能 可以用熱阻和電子束兩種方式，在各種基片上沉積蒸發各種金屬材料薄膜。
- 有機柔性器件製備系統
≤10Pa；配置充氣保護角閥；電子束蒸發配備6坩堝電子槍一套；功率：8KW；。主要功能 保證電阻熱蒸發室和電子束蒸發室均在手套箱內，樣品可在氮氣環境中傳遞，避免暴露大氣。實現對水氧敏感器件的製作。包括有機層的蒸鍍，金屬電極的蒸鍍，器件的封裝。如OLED，太陽能電池等的製作和封裝。
- 高真空雙腔自動化電子束蒸鍍系統
高真空雙腔自動化電子束蒸鍍系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年6月7日啟用。技術指標 蒸發源:旋轉式坩堝6個,容量為7cc,電源功率6kW.樣品台:水冷基座,可0-180度傾轉.。主要功能 配備進樣室,真空抽速快;樣品台與蒸發源距離大,降低熱輻射對樣品的影響,利於鍍膜後的光刻膠剝離;.配置有...
- 電子束加工
能量的發生和供應源可精確地靈活移動，並具有高的加工生產率；4)可方便地控制能量束，實現加工自動化；5)設備的使用具有高度靈活性，並可使用同一台設備進行電子束焊接、表面改善處理和其他電子束加工；6)電子束加工是在真空狀態下進行，對環境幾乎沒有污染；7)電子束加工對設備和系統的真空度要求較高，使得電子束...
- 高真空電子束蒸發鍍膜
e型電子槍一支，槍功率不小於10Kw，束偏轉角270度；配置一套偏轉掃描電源，一套電子槍燈絲電源；5.膜厚控制系統：採用Inficon薄膜沉積控制器線上監測、控制蒸鍍速率和膜厚，1隻水冷探頭；膜厚儀速率顯示精度± 0.015Ā，厚度顯示精度± 0.015Ā；6.熱蒸發源及蒸發電源：至少1組熱蒸發源，1台2000VA蒸發電源...
- 朱俊(電子科技大學教授)
\Lambda physik compex 201雷射器 雷射分子束外延(L-MBE)系統。電子束蒸發/熱蒸發 介電、半導體材料及其結構電性能測試平台。主要貢獻 主要從事電子功能薄膜材料製備以及結構與性能相關性的研究。負責或參加了重大基礎研究“973”項目（兩項）、國家自然科學基金重點項目和國家自然科學基金面上項目。對Hf系氧化物高介電...
- 真空蒸鍍金屬薄膜
1.蒸發系統 ①真空鍍金屬。是一種將蒸發物質加熱的方法。其中包括常用的電阻加熱法，電子束加熱法，高頻感應加熱法以及雷射光束加熱法等。②分子束蒸發法。在極高真空中分析其鍍膜的增長，並以單位原子層能級控制其鍍金屬膜的形成的方法。③離子鍍。將待蒸發物質置於等離子狀態中.並將其產生的離子供鍍金屬之用的...
- 磁控在蒸發複合鍍膜系統
磁控在蒸發複合鍍膜系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2018年5月31日啟用。技術指標 1、6英寸襯底薄膜均勻性：=5% 2、工藝腔真空度：=5.0e-7Torr，進樣室真空度：=5.0e-7Torr。主要功能 具備射頻磁控、電子束蒸發、熱蒸發薄膜生長能力，配備...
- 蒸發鍍膜系統
根據不同材料的性質分為固態升華和液態蒸發，整個蒸發過程是物理過程，實現物質從源到薄膜的轉移。裝有蒸發材料的坩堝周圍有冷卻系統，避免坩堝內壁與蒸發材料發生反應影響薄膜質量。通過調節電子束的功率，可以方便的控制鍍膜材料的蒸發速率，特別適用於高熔點以及高純金屬材料，通過膜厚測量系統可實時精確測量蒸發速率和...
- 電子束
的極細束流，高速（光速的60%~70%）衝擊到工件表面，並在極短的時間內，將電子的動能大部分轉換為熱能，形成“小孔”效應，使工件被衝擊部位的材料達到幾千攝氏度，致使材料局部熔化或蒸發，達到焊接目的。雷射器利用原子受激輻射的原理，使物質受激而產生波長均一，方向一致和強度非常高的光束。通過光學系統將雷射...
- 先進電子材料與器件平台
Vistec EBPG-5200+電子束光刻系統 SUSS MA 6雙面對準光刻機 Princision Imprint PI-D01納米壓印機 熱處理設備 SVS OV-12 HMDS 烘箱 旋塗設備 SUSS高性能塗膠機I Laurell 650-8N高性能塗膠機 測試設備 Ocean Optics 可見光膜厚測量儀 薄膜I區 薄膜沉積設備 Denton電子束蒸發鍍膜設備 Denton多靶磁控濺射鍍膜系統 H...
- 高真空電子束蒸發鍍膜機
高真空電子束蒸發鍍膜機是一種用於化學工程領域的工藝試驗儀器，於2014年11月12日啟用。技術指標 1、真空腔室：Φ600×650mm；立式前開門結構。2、真空系統：複合分子泵+機械泵系統,氣動真空閥門，“兩低一高”數顯複合真空計。*3、極限真空：優於6.67×10-5Pa；系統真空檢漏率：≤1×10-8PaL/s*4、抽速：...
- 直槍電子束物理氣相沉積系統
直槍電子束物理氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年11月25日啟用。技術指標 真空室技術指標： 1、尺寸：600*600*650 2、材料：SUS304不鏽鋼 3、結構：箱式前開門 4、冷卻方式：殼體水冷 5、帶觀察窗，並且觀察窗帶護目鏡 6、禁止板1套，採用304不鏽鋼材料製造，方便拆卸、互換 7、加熱...
- 超高真空脈衝雷射沉積系統
電子束蒸發室：(7)本底真空度 優於1E-9Torr; (8)樣品台可連續旋轉，可加熱，最高加熱溫度不低於800攝氏度； （9）與超高真空系統兼容的電子束蒸發源，不少於6個pocket（10）配置高品質清 洗離子源；（11）配置掩膜系統，（12）配置臭氧氣路。主要功能 1、製備高質量氧化物薄膜、金屬薄膜，以及通過原位傳遞在...
- 中國科學院物理研究所微加工實驗室
刻蝕設備：反應離子刻蝕機（RIE）；感應耦合電漿刻蝕系統(ICP)；等離子去膠機(PS)；生長設備：原子層沉積系統(ALD)；熱蒸發(TE)；電子束蒸發(EB)；磁控濺射(MS)；化學氣相沉積（CVD）薄膜生長系統；以及電漿增強化學氣相沉積系統（PECVD）。測量設備：掃描探針顯微鏡(AFM)；雙探針掃描電鏡原位測量系統(DB-...
- 四川省柔性顯示材料基因組工程研究中心
中心現有科研場地面積3000㎡，擁有各類科研設備2800餘台套，總價值超過9000萬元，其中單台價值50萬元以上的設備33台套，總價值為4000餘萬元，包括具有自主智慧財產權的高通量離子束濺射組合材料晶片製備系統、電子束蒸發組合材料晶片高通量製備系統、高通量磁控濺射組合材料晶片製備系統等材料基因組工程專用實驗裝備10餘台，...
