高真空電子束蒸發系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2014年12月1日啟用。
高真空電子束蒸發系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2014年12月1日啟用。技術指標真空度可達到10-8Torr量級；具有基片加熱功能，最高可以加熱到450℃。1主要功能該設備具有以下特點：真空度可達到10-8Torr...
超高真空電子束蒸發系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2018年11月30日啟用。技術指標 電子束蒸發腔室和氧化腔室極限真空度≤5*10-9 Torr；最大支持尺寸≥4英寸；電子束蒸發腔室...
高真空蒸發系統是一種用於物理學、電子與通信技術、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年9月28日啟用。技術指標 電子束蒸發源：8kW，2MHz 晶圓尺寸：最大6英寸 真空度：10E-7Torr 蒸發物料：Ti、Au等 典型沉積速率：0.1-10A/s ...
電子束蒸發系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年8月25日啟用。技術指標 極限真空:5.98E－5Pa;排氣時間:2.01E-4Pa(14min),1.45E-4Pa(29min);基板加熱溫度:MAX300℃;膜厚均勻性:片內3.66％，片間4.54％，...
超高真空電子束多腔蒸發鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月6日啟用。技術指標 蒸發室和氧化室真空度可以達到1E-9 Torr的級別。生長的鋁膜製備的共面波導超導諧振腔的Q值平均值為50萬。主要功能 電子...
超高真空脈衝雷射沉積電子束蒸發系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2017年12月1日啟用。技術指標 本系統主體由預真空進樣室、超高真空脈衝雷射沉積室、超高真空電子束蒸發室和 準分 子雷射器四部分組成。所有主要部件皆須使用進口...
在真空蒸發工藝中，系統真空度是直接影響成膜質量的關鍵。為了使蒸發原子或分子能澱積在離開蒸發源一定距離的襯底上，真空室的真空度通常應優於6×10-2帕，製作鋁膜需要在1×10-3帕以上，製作高純薄膜須優於10-8帕（見真空獲得技術...
電子束蒸發鍍膜系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年11月17日啟用。技術指標 1 鍍膜腔體極限真空度 ≤ 5.0×10-9Torr 以真空計儀表顯示值為準2 預真空室極限真空度 ≤ 5.0×10-8Torr 以真空...
高真空雙電子束蒸發鍍膜儀是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2018年12月18日啟用。技術指標 1 極限真空≤5E-8Torr；2 抽速： 暴露大氣抽至1.5E-6Torr，時間不超過30分鐘；3 6英寸膜厚均勻性：優於+/-3%； 4 膜厚探頭...
高真空多腔室電子束蒸發製備約瑟夫森結機 高真空多腔室電子束蒸發製備約瑟夫森結機是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器，於2018年7月10日啟用。技術指標 真空度10-10 Torr或10-11 Torr。主要功能 高真空態分析。
磁控濺射電子束蒸發系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年8月31日啟用。技術指標 極限真空≤5.0E-5Pa（經烘烤除氣後），襯底固定4襯底固定，可放置4片10×10cm2方形樣品，。主要功能 電子束蒸鍍（Electron Beam ...
高真空電子束蒸發鍍膜是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月14日啟用。技術指標 1.真空腔室：要求採用304不鏽鋼材質，尺寸不小於Φ565×H618mm；配方便拆卸的防污板；真空腔體整體水冷優良；2.真空系統：主泵採用具有不低於1700...
金屬鍍膜電子束蒸發台是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年4月4日啟用。技術指標 金屬鍍層厚度、均勻性。主要功能 電子束蒸發系統是化合物半導體器件製作中的一種重要工藝技術；它是在高真空狀態下由...
薄膜生長系統 薄膜生長系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2014年12月29日啟用。技術指標 LMBE450A/TRP-450。主要功能 金屬、氧化物薄膜的製備。
複合型蒸發系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，產地為日本，於2013年8月9日啟用。技術指標 極限真空度≤1x10-5 Pa ;6個電子束蒸發工位，2個舟型熱蒸發工位；襯底採用紅外...
