電子束蒸發鍍膜系統

電子束蒸發鍍膜系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年11月17日啟用。

基本介紹

• 中文名：電子束蒸發鍍膜系統
• 產地：美國
• 學科領域：信息科學與系統科學、材料科學
• 啟用日期：2015年11月17日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備

技術指標

1 鍍膜腔體極限真空度 ≤ 5.0×10-9Torr 以真空計儀表顯示值為準2 預真空室極限真空度 ≤ 5.0×10-8Torr 以真空計儀表顯示值為準3 預真空室真空抽速 可在10分鐘之內抽到5E-6托 以真空計儀表顯示值為準4 基片自傳 基片0-20rpm轉速自傳，計算機控制轉速 改變轉速設定及觀察轉速大小5 膜厚均勻性 膜厚均勻性：≤+/-1.5% 在旋轉的4英寸矽片沉積2000A鈦膜不計5毫米邊緣，在基片半徑直線方向至少取5個點測量膜厚（每個點至少測量3次），按照下面公式計算膜厚均勻性：(Tmax-Tmin)/Tavg/2。

主要功能

電子束蒸發鍍膜系統是一種適合於前沿研究的金屬薄膜製備技術也是一種用於納米技術研究的有效方法。典型的電子束蒸發鍍膜系統套用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積各種金屬薄膜。它主要套用微納加工金屬薄膜製備，在電子信息、納米科技、材料科學等多個領域有著廣泛的套用。