蒸發沉積系統是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2010年8月26日啟用。
基本介紹
- 中文名:蒸發沉積系統
- 產地:美國
- 學科領域:材料科學、電子與通信技術
- 啟用日期:2010年8月26日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電路板製造工藝實驗設備
蒸發沉積系統是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2010年8月26日啟用。
蒸發沉積系統 蒸發沉積系統是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2010年8月26日啟用。技術指標 腔室本底真空優於5x10-8torr;4 個7cc的蒸發坩堝;2個熱蒸發電極。主要功能 可以用熱阻和電子束兩種方式,在各種基片上沉積蒸發各種金屬材料薄膜。
電子束蒸發真空薄膜沉積系統 電子束蒸發真空薄膜沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的計算機及其配套設備,於2017年12月7日啟用。技術指標 380v,立式。主要功能 測量用。
高真空蒸發系統是一種用於物理學、電子與通信技術、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年9月28日啟用。技術指標 電子束蒸發源:8kW,2MHz 晶圓尺寸:最大6英寸 真空度:10E-7Torr 蒸發物料:Ti、Au等 典型沉積速率:0.1-10A/s 樣品台最大傾斜角:±45° 樣品台工作距離:40-60cm。主要功能 高真空電子束...
(Tmax-Tmin)/Tavg/2。主要功能 電子束蒸發鍍膜系統是一種適合於前沿研究的金屬薄膜製備技術也是一種用於納米技術研究的有效方法。典型的電子束蒸發鍍膜系統套用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積各種金屬薄膜。它主要套用微納加工金屬薄膜製備,在電子信息、納米科技、材料科學等多個領域有著廣泛的套用。
磁控濺射電子束蒸發系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年8月31日啟用。技術指標 極限真空≤5.0E-5Pa(經烘烤除氣後),襯底固定4襯底固定,可放置4片10×10cm2方形樣品,。主要功能 電子束蒸鍍(Electron Beam Evaporation)是物理氣相沉積的一種,是在真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發材料,使...
真空有機薄膜蒸鍍設備是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2010年09月25日啟用。技術指標 該設備主要由蒸發沉積室、手套箱、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、樣品傳遞裝置、計算機控制系統、電控系統、配氣系統等部分組成。標準配置:(1)全自動計算機控制(蒸發源、膜厚、樣品台、真空...
真空鍍膜沉積系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的儀器,於2015年08月06日啟用。技術指標 機械泵(DUO)351台,抽速10L/s。真空計(PKR251)1套,量程5*10-9mbar~1000mbar。插板閥(HVA11221-0604R)1套,極限真空1*10-10torr。可程式直流電源(TDK8-180)2台,電流精度:0.1A。樣品架1套,容納1個...
本研究面向量子調控等基礎研究重大前沿方向,針對量子功能材料和器件製備中的多種工藝和精密度要求,突破現有真空蒸發技術的局限性,創新性的研製一種以納米移定位系統為核心技術的直寫式真空蒸發儀器。該儀器通過將高純度氣態靶材經過掩模控制形成高度定向,沉積率可控的靶材束流直接沉積在襯底基片上,並通過控制承載襯底...
有機薄膜OLED蒸發設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年9月4日啟用。技術指標 該設備主要由蒸發沉積室、手套箱、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、樣品傳遞裝置、計算機控制系統、電控系統、配氣系統等部分組成。標準配置:(1)全自動計算機控制(蒸發源、膜厚、樣品台、真空);(2)計算機控制...
化學氣相沉積相對於其他薄膜沉積技術具有許多優點:它可以準確地控制薄膜的組分及摻雜水平使其組分具有理想化學配比;可在複雜形狀的基片上沉積成膜;由於許多反應可以在大氣壓下進行,系統不需要昂貴的真空設備;化學氣相沉積的高沉積溫度會大幅度改善晶體的結晶完整性;可以利用某些材料在熔點或蒸發時分解的特點而得到其他...
熱蒸發鍍膜系統 熱蒸發鍍膜系統是一種用於化學工程領域的工藝試驗儀器,於2015年10月01日啟用。技術指標 系統極限壓強可達≤5×10-6Torr;帶有可變速旋轉樣品台,電機驅動,最大轉速 20rpm。主要功能 蒸鍍各種金屬膜。主要用於製備納米器件、有機光電器件的金屬電極等。
《上揚子區早、中三疊世岩相、古地理及蒸發岩沉積模式》是由地礦部成都地質礦產研究所擔任第一完成單位,由吳應林、朱忠發、王吉禮、王澤文、袁敬閬擔任主要完成人的科研項目。成果信息 成果摘要 套用改進後的地層圖法、等時面法、斷面投影法、相參數法等系統研究了早中三疊及其演化,確定T1(1)為緩坡-障壁...
金屬與有機材料薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2017年3月8日啟用。技術指標 (1) 抽氣效率:40分鐘後可達≤5.0*10-6 Torr(粗抽管路至腔體在2m內);終極壓力:12小時後可達≤ 8*10-7 Torr; (2) 基載:處理量為10片玻璃(玻璃尺寸40mm*40mm);Mask 20片 (有機10個;金屬10);可...
高真空蒸發鍍膜機是一種用於物理學、化學、材料科學領域的儀器,於2012年03月16日啟用。技術指標 該設備主要由蒸發沉積室、手套箱、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、計算機控制系統、電控系統、配氣系統等部分組成。配置:全自動計算機控制蒸發源、膜厚、樣品台和真空度;計算機控制樣品和擋板轉動;4個有機源、2...
雙室薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 立式雙室,行星夾具,分子泵機械泵真空系統。主要功能 本系統設有直流磁控濺射、射頻磁控濺射和熱蒸發法鍍膜裝置,既能獨立實現濺射鍍膜,還能實現多靶共濺射,基本上滿足不同類別材料薄膜和化合物薄膜的鍍制。
薄膜鋰離子電池氣相沉積系統 薄膜鋰離子電池氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月29日啟用。技術指標 磁控濺射、蒸發、真空度5x10-7toor。主要功能 薄膜鋰離子電池氣相沉積系統。
集成鍍膜系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2014年12月01日啟用。技術指標 1.系統配有四個腔室,分別為UHV蒸發室、UHV處理室、UHV濺射室和load lock,用於電子束蒸發沉積Ti, Au, Al, Al2O3等薄膜材料以及磁控濺射Nb,NbN薄膜材料。2.電子束蒸發源:4 x15cc ,2-10KV可調。3.濺射室配有兩個2英寸磁控...
太陽電池材料沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年9月27日啟用。技術指標 一、結構形式:真空室採用U型箱體前開門; 二、真空室:500*500*600mm2; 三、真空系統配置:複合分析泵、機械泵、閘板閥; 四、極限壓力:≤6.67*10-5Pa; 五、電子束蒸發源:e型電子槍:陽極電壓:6kV; 六、...
(1)本底真空度優於5E-9Torr; (2) 配置紅外雷射加熱和電阻加熱雙加熱系 統,最高加熱溫度不低於1100攝氏度;(3) 配置30 keV高氣壓高能電子束衍射系統 ,可在最高不低於0.4 Torr氧壓下原位監控樣品生長;(4)配置高濃度臭氧產生、 供給和後處理裝置;(5)樣品托可在進樣室、脈衝雷射沉積室和電子束蒸發室之間...
高真空OLED薄膜沉積系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、自然科學相關工程與技術、產品套用相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2015年12月30日啟用。技術指標 該系統為雙室結構有機無機氣相分子沉積系統,主要用來生長薄膜太陽能電池,OLED分子有機電致發光器件薄膜的研究工作。 1、系統採用直線式結構,系統...
鹽湖沉積學不僅研究古鹽湖的沉積 ,而且研究現代鹽湖沉積 ,並進行 比較沉積 學研究 。同時還進行模擬實驗 ,並利用各種環境指標綜合深入探討鹽湖沉積 、礦物成因 、全球 變化機理 ,除全面 系統地進行沉積相與岩相古地理分析 ,還研究其演化與大地構造、鹽類資源與油氣儲藏的關係。目前,鹽湖沉積學的研究方法主要基於...
氧化物薄膜沉積系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2016年12月22日啟用。技術指標 1、真空度:優於10-8 mbar 2、薄膜監控:30 KV RHEED 3、樣品大小:10x10 mm2 4、襯底加熱/方式:1100 oC/雷射加熱 5、紫外雷射器:248 nm。主要功能 (1) 高質量氧化物薄膜、鐵電/半導體異質結及新型...