薄膜生長系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2014年12月29日啟用。
基本介紹
- 中文名：薄膜生長系統
- 產地：中國
- 學科領域：物理學
- 啟用日期：2014年12月29日
- 所屬類別：物理性能測試儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
LMBE450A/TRP-450。
主要功能
金屬、氧化物薄膜的製備。
薄膜生長系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2014年12月29日啟用。
薄膜生長系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2014年12月29日啟用。技術指標LMBE450A/TRP-450。1主要功能金屬、氧化物薄膜的製備。1...
多功能超高真空薄膜生長系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的分析儀器，於2017年1月1日啟用。技術指標 金屬生長室（真空度≤5×10-7Mbar、樣品轉速在0-30rpm間可調、樣品尺寸20×20mm蒸發速度在0.01-2nm/s間可調）特殊腔室（真空度10-8Mbar、樣品台可使樣品與蒸發源間距離在）。主要功能 5個真空腔室...
氧化物薄膜生長系統 氧化物薄膜生長系統是一種用於物理學領域的分析儀器，於2015年12月3日啟用。技術指標 真空度最高達10^-10mbar，可通氧氣和臭氧，2個蒸發源。主要功能 生長高質量厚度精確可控的氧化物薄膜。
原子層精度氧化物簿膜生長系統 原子層精度氧化物簿膜生長系統是一種用於電子與通信技術領域的科學儀器，於2016年1月21日啟用。技術指標 輸出波長248nm,最大脈衝能量：不小於400mj。主要功能 原子層精度氧化薄膜生產。
石墨烯薄膜卷對卷生長系統 石墨烯薄膜卷對卷生長系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年10月31日啟用。技術指標 工作尺寸6000*610*100。主要功能 用於石墨烯薄膜卷對卷生長。
磁性薄膜聯合生長系統 磁性薄膜聯合生長系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年1月31日啟用。技術指標 壓力E-8 tore, 烘烤後可至E-9以下。主要功能 材料表面膜的生長。
濺射一般是在充有惰性氣體的真空系統中，通過高壓電場的作用，使得氬氣電離，產生氬離子流，轟擊靶陰極，被濺出的靶材料原子或分子沉澱積累在半導體晶片或玻璃、陶瓷上而形成薄膜。脈衝雷射沉積（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被稱為脈衝雷射燒蝕（英語：pulsed laser abalation，PLA）為物理氣相沉積(英語：Physical...
氧化物薄膜生長標定系統 氧化物薄膜生長標定系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2016年12月31日啟用。技術指標 真空5x10^-10 mbar以上,電子槍最高能量15keV。主要功能 利用反射高能電子衍射在位測量生長中薄膜的厚度和結構特性。
第十至十三章主要介紹金屬薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜的生長和生長中出現的分形現象。第十四、十五章介紹薄膜製備和研究的各種方法。本書不僅系統地介紹了有關薄膜生長的固體物理學知識，而且介紹了薄膜生長的前沿進展和薄膜檢測的各種先進方法。本書可作為固體物理、材料科學專業的研究生教學用書，也可供從事薄膜研製和...
本項目採用最新研製的強磁場下脈衝雷射沉積薄膜生長系統，選取BiFeO3基和磁鉛石結構六角型鐵氧體等具有室溫多鐵性和不同磁電機制的材料體系，進行強磁場下的薄膜原位生長和退火處理，研究磁場對薄膜的微結構和磁電性能的影響以及調控作用與機理；結合強磁場下拉曼譜、太赫茲時域譜等表征技術，研究多鐵性薄膜材料中磁電...
主要研究內容包括以下三個部分：1、雷射分子束外延法製備高質量β-Ga2O3外延薄膜，研究工藝參數對薄膜生長的影響規律；2、選擇不同晶格失配度的體系，研究界面微結構對外延取向，晶格應變和遷移率的調控規律；3、利用第一性原理，研究β-Ga2O3的物理性能，並結合實驗結果，系統分析界面微結構影響遷移率大小的物理機制...
光學薄膜按套用分為反射膜、增透膜、濾光膜、光學保護膜、偏振膜、分光膜和位相膜。常用的是前4種。光學反射膜用以增加鏡面反射率，常用來製造反光、折光和共振腔器件。光學增透膜沉積在光學元件表面，用以減少表面反射，增加光學系統透射，又稱減反射膜。光學濾光膜用來進行光譜或其他光性分割，其種類多，結構複雜...
利用該方法台階復型好的優點，製備光子晶體二維波狀結構薄膜。研究用原子層沉積技術製備的光學薄膜的抗雷射損傷能力，探索用該方法製備抗強雷射薄膜的可能性。項目的研究工作將拓寬光學薄膜的製備技術，在大面積，複雜形貌元件如光學微機電系統等方面有重要的套用前景。所以，該研究既具有強的前瞻性、創新性，又具有重要...
利用製備過程中傾斜粒子流在基片上發生的動力學自組織過程可以批量化製備形貌可控的金屬雕塑薄膜結構，其不同於傳統薄膜的光電特性可廣泛套用於微納光電器件領域。為實現金屬雕塑薄膜的量化可控制備，本項目通過計算機仿真系統的研究了生長中的動力學過程，總結其生長機制並克服了金屬不易形成微納結構的難點，得到具有較好...
熱絲CVD材料生長系統 熱絲CVD材料生長系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年1月13日啟用。技術指標 高效製作薄膜材料。主要功能 用於薄膜材料生長。
《矽上單晶碳化矽薄膜的生長和結構研究》是依託南京大學，由張榮擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 傳統生長碳化矽薄膜的方法，具有生長溫度高（通常大於1000度），系統複雜，操作難度大等特點。本文通過分析研究碳化矽的生長機制和生長方法，提出了一種低溫生長碳化矽單晶薄膜的新方法，即熱絲輔助化學氣相澱積法，...
《生長在液相基底表面功能薄膜的物理機理研究》是依託浙江大學，由葉高翔擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用實驗研究、計算機模擬和解析計算相結合的方法, 對沉積在不同種類液相基底表面的諸多功能薄膜系統(鐵、氧化鋅、有機半導體薄膜等)進行深入系統的研究。在諸如薄膜內應力形成及演化、內應力與薄膜功能的關係(...
（2）研究了磁場參數，沉積參數對金剛石薄膜性能的影響。獲得了強磁場下各工藝參數對金剛石薄膜晶粒度、表面粗糙度、生長速率等的影響規律。獲得的金剛石薄膜晶粒尺寸小於40nm、粗糙度小於20nm，薄膜的沉積速率比未加磁場時提高約11%。 （3）通過對強磁場下金剛石膜生長規律的系統研究，探索了強磁場下金剛石薄膜的成...
高真空OLED薄膜沉積系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、自然科學相關工程與技術、產品套用相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2015年12月30日啟用。技術指標 該系統為雙室結構有機無機氣相分子沉積系統，主要用來生長薄膜太陽能電池，OLED分子有機電致發光器件薄膜的研究工作。 1、系統採用直線式結構，系統...
低壓化學氣相沉積生長系統 低壓化學氣相沉積生長系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2017年1月17日啟用。技術指標 1．設備類型。主要功能 製備各種碳材料薄膜。
PLD空薄膜材料製備系統是具有薄膜質量高，膜層和基底互擴散小等特點，用於製備金屬膜及半導體薄膜等的系統。基本信息 自1987年貝爾實驗室用準分子雷射研製出高質量釔鋇銅氧超導薄膜以來，人們發現這種方法是製備薄膜的最好方法之一，可以制出各種鐵電、介電、巨磁阻、半導體、金屬等薄膜和多種超晶格，異質結，P-N結...
《MOCVD法生長高阻ZnO薄膜及其紫外光探測器的研製》是依託吉林大學，由杜國同擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 氧化鋅紫外光探測器在信息轉換、環境監測、航天、天文、生命科學和軍事領域均哂芯藪?的套用前景。尤其在軍事領域，它可利用太陽光線的真空地帶，追蹤飛彈和火箭，並可用於核武器系統，具有極高的軍事價值。
目前，關於薄膜台階失穩和應力釋放的研究多集中在原子薄膜領域，而關於有機分子薄膜的研究則很少。在本項目中，我們利用有機分子束沉積技術和超高真空掃描隧道顯微鏡設備，系統研究了兩種最具代表性的有機半導體分子（並五苯和紅熒烯）薄膜的生長規律，如薄膜台階失穩，形貌演化，和應力釋放的動力學過程，在分子尺度上...
本項目通過4年系統研究，以環境友好、易操作的鎢粉為原材料，通過非化學計量比調控、嵌段聚合物接枝、納米糰簇晶格匹配等工藝，採用溶膠-凝膠技術，成功地研製出了尺寸為140X80cm2、退色態與致色態透射率差（對比度）為54.04%、致色時光學均勻性為98.72%、致色後遮陽係數為0.30、致色平均回響時間為1.7秒、經...
超高真空分子束外延生長和原位測量系統 超高真空分子束外延生長和原位測量系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2008年8月1日啟用。技術指標 本底真空可達1*10^-10Torr PLD靶數量：6個 熱蒸發源數量：5個 樣品架變溫範圍：-200~1000攝氏度。主要功能 主要用於薄膜樣品的生長以及物理性質的原位測量。
《Beta-氧化鎵單晶薄膜的外延生長及性質研究》是依託山東大學，由馬瑾擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 採用MOCVD方法外延生長beta-氧化鎵單晶薄膜材料。襯底擬選用氧化鎂、釓鎵石榴石等和氧化鎵單晶材料。系統地研究在單晶襯底上異質外延生長氧化鎵薄膜的晶格適配問題，尋找生長氧化鎵薄膜的最佳襯底和製備工藝條件；研究...
對於低壓生氏，系統只需要配置機械泵和壓力控制器就可控制生長壓力；但是所配置的泵要有較大的氣體流量承載量。mocvd生長中，我們所用的許多反應源(例如ph3、ash3、h2s以及一些mo源)都是有毒的物品，進行合理的尾氣循環處理是非常必要的。因此，在設計和使用時要考慮到這些因素，做好安全防護措。對於一些功能金屬氧化...