PLD空薄膜材料製備系統是具有薄膜質量高，膜層和基底互擴散小等特點，用於製備金屬膜及半導體薄膜等的系統。
基本介紹
- 中文名：PLD空薄膜材料製備系統
- 主要用途：用於製備金屬膜及半導體薄膜等
- 主要特點：薄膜質量高，膜層和基底互擴散小
- 方法：分子雷射研製出釔鋇銅氧超導薄膜
基本信息,主要特點,
基本信息
自1987年貝爾實驗室用準分子雷射研製出高質量釔鋇銅氧超導薄膜以來，人們發現這種方法是製備薄膜的最好方法之一，可以制出各種鐵電、介電、巨磁阻、半導體、金屬等薄膜和多種超晶格，異質結，P-N結等數百種薄膜以及多層結構。
一束聚焦脈衝雷射打到位於真空室內的旋轉靶，焦點處的靶材迅速被加熱到2000－10000 K, 靶材物質瞬間被汽化、電離並膨脹而形成羽狀輝光（簡稱羽輝）。羽輝中的物質與被加熱到一定溫度的基片相遇時就在其上澱積成膜。
雷射澱積過程中生長室可以充氣，氣壓一般為10－8－100Pa 之間，所充氣體可以是氧、氮、氫、氬……氣體，也可以是電離氣體或其它活性氣體，還可以是化合物氣體。
主要用途：多真空室，採用分子泵抽氣系統，真空度可達10-6Pa。具有磁控濺射靶及離子源，樣品加熱、自轉、公轉、轉遞，可用於製備金屬膜、介質膜及半導體薄膜等。
主要特點
脈衝雷射製備薄膜的優點是：
1、薄膜成分容易實現與靶材一致；
2、澱積速率快，一般比射頻濺射法快6－10倍；
3、薄膜質量高，膜層和基底之間互擴散小；
4、容易引入新的單元技術，如引入高能電子衍射（RHEED）原位實時監測薄膜生長，引入活性氣體技術等。
5、使用範圍寬，尤其適用製備高熔點材料薄膜；
6、便於在相對高氣壓條件下工作。
