《矽上單晶碳化矽薄膜的生長和結構研究》是依託南京大學，由張榮擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：矽上單晶碳化矽薄膜的生長和結構研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：張榮
- 依託單位：南京大學
- 批准號：69306003
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1994-01-01 至 1995-12-31
- 支持經費：7（萬元）
項目摘要
傳統生長碳化矽薄膜的方法，具有生長溫度高（通常大於1000度），系統複雜，操作難度大等特點。本文通過分析研究碳化矽的生長機制和生長方法，提出了一種低溫生長碳化矽單晶薄膜的新方法，即熱絲輔助化學氣相澱積法，通過預碳化處理，大大降低了生長溫度及材料內部的熱應力和工藝難度。以甲烷、矽烷作為主要反應氣源，通過選擇合理的氣體流量及流量比，於600-750度範圍內成功地在矽襯底外延了立方結構的碳化矽薄膜，即β-SiC，X光衍射技術、雷射Raman光譜等表征表明外延薄膜是單晶SiC，XPS測試分析證明外延層是符合1：1化學配比的SiC，室溫下外延層可穩定地發射可見光，為外延生長GaN及矽碳鎵氮四元合金奠定了基礎。
