《矽基外延生長優質單晶碳化矽薄膜與缺陷控制方法研究》是依託中國科學技術大學，由王玉霞擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：矽基外延生長優質單晶碳化矽薄膜與缺陷控制方法研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王玉霞
- 依託單位：中國科學技術大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：E0206
- 研究期限：2002-01-01 至 2004-12-31
- 批准號：50172044
- 支持經費：20（萬元）
中文摘要
製備優質低價低缺陷密度的單晶碳化矽薄膜及體材料是第三代半導體要解決的關鍵問題，而目前仍存在許多待解決的難題，這嚴重阻礙了其套用進程。本項目旨在矽片上用有機物和矽氧化物溶膠疊層熱解，輔以PLD等方法，製備出無界面層錯等缺陷的優質、低價的4H，6H單薊璞∧ぃ芯考跎偃畢菪緯傻幕撇⑻剿骺刂憑圖敖緱嫖⒔峁溝淖羆壓ひ詹問
