《Fe-Si助溶劑法碳化矽單晶生長研究》是依託浙江大學，由潘頤擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：Fe-Si助溶劑法碳化矽單晶生長研究
- 依託單位：浙江大學
- 項目負責人：潘頤
- 項目類別：面上項目
- 批准號：50472059
- 申請代碼：E0201
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：27（萬元）
項目摘要
申請人發現碳化矽飽和的Fe-Si熔液中，碳化矽能經自發形核長大以碳化矽單晶顆粒析出。擬以Fe-Si為溶劑，開展Fe-Si助溶劑法大尺寸碳化矽單晶生長的基礎研究。定量分析Fe-Si-C體系高溫相平衡，確定碳矽飽和Fe-Si溶劑中碳化矽（而非單質碳）析出的熱力學條件，最佳化熔體組成。自製同心連通梯度輸運籽晶生長裝置，熔體中加入細顆粒度的碳化矽，形成同心連通裝置中非均質熔體區，與隔套內均質熔體區間形成等溫濃度梯度，再通過溫度梯度，實現籽晶面碳化矽過飽和度的有效控制，進行碳化矽單晶生長行為研究：選擇碳化矽籽晶及晶面，探討不同過飽和碳化矽在籽晶晶面上生長速率、生長形貌穩定性、晶型及晶體缺陷的變化規律；研究形核長大機理，缺陷形成機理，單晶結構。最佳化單晶生長工藝，確定大尺寸碳化矽單晶生長條件。
