氧化物薄膜生長系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2015年12月3日啟用。
基本介紹
- 中文名:氧化物薄膜生長系統
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2015年12月3日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器
氧化物薄膜生長系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2015年12月3日啟用。
氧化物薄膜生長系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2015年12月3日啟用。技術指標真空度最高達10^-10mbar,可通氧氣和臭氧,2個蒸發源。1主要功能生長高質量厚度精確可控的氧化物薄膜。1...
氧化物薄膜生長標定系統 氧化物薄膜生長標定系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月31日啟用。技術指標 真空5x10^-10 mbar以上,電子槍最高能量15keV。主要功能 利用反射高能電子衍射在位測量生長中薄膜的厚度和結構特性。
原子層精度氧化物簿膜生長系統 原子層精度氧化物簿膜生長系統是一種用於電子與通信技術領域的科學儀器,於2016年1月21日啟用。技術指標 輸出波長248nm,最大脈衝能量:不小於400mj。主要功能 原子層精度氧化薄膜生產。
薄膜生長系統 薄膜生長系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2014年12月29日啟用。技術指標 LMBE450A/TRP-450。主要功能 金屬、氧化物薄膜的製備。
薄膜材料是指厚度介於單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。電子半導體功能器件和光學鍍膜是薄膜技術的主要套用。薄膜的生長是半導體製造中一項重要的工藝。薄膜生長技術總的來說可以分為物理方法和化學方法。常見的薄膜生長技術包括:熱氧化...
《氧化物鐵電薄膜在賤金屬基片上的生長與界面調控研究》是依託電子科技大學,由林媛擔任醒目負責人的面上項目。項目摘要 賤金屬(如鎳、銅等)基片上集成鐵電氧化物薄膜,在高密度埋入電容器、結構健康檢測以及微機電系統等領域中展現出誘人...
第十至十三章主要介紹金屬薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜的生長和生長中出現的分形現象。第十四、十五章介紹薄膜製備和研究的各種方法。本書不僅系統地介紹了有關薄膜生長的固體物理學知識,而且介紹了薄膜生長的前沿進展和薄膜檢測的各種先進...
獲得了熱電性能優異的薄膜樣品;在 c 軸傾斜生長的鉍鍶鈷氧等層狀鈷氧化物薄膜中觀測到了光誘導的橫向熱電壓效應並系統地研究了該電壓信號的幅值和回響時間隨薄膜厚度、 c軸傾斜角度、薄膜微結構、光吸收層及輻射光參量的變化關係,為...
在高性能熱電薄膜材料的生長基礎上,進一步通過掩模與光刻等技術探索薄膜熱電微器件的製備工藝。結題摘要 在過去三年中,申請人按照研究計畫系統開展了關於熱電薄膜材料生長於薄膜熱電器件製備的相關工作,最佳化生長了摻雜鈦酸鍶(N-型)、鈣...
本項目擬系統地研究用脈衝雷射澱積(PLD)和雷射分子束外延(LMBE)兩種技術製備複雜氧化和薄膜中雷射電漿的形成與輸運,成膜機理、薄膜生長動力學和形態學及外延異質結構和形成機制。發展利用PLD和LMBE技術製備複雜氧化物外延膜,超晶格...
該雷射CVD配置有照射直徑20-100 mm、雷射功率高達500 W的超高斯分布連續性泵浦固體雷射,並建立液體原料噴霧供給系統使之適用於高溫超導長帶材的製備。重點研究雷射功率、氧氣分壓、沉積速度對薄膜的生長取向、外延模式、微觀結構的影響,...
電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2010年8月26日啟用。技術指標 腔室本底真空優於5x10-8torr;4 個7cc的蒸發坩堝;2個熱蒸發電極。主要功能 可以用熱阻和電子束兩種方式,在各種基片上沉積蒸發各種金屬材料薄膜。
二氧化鈦的帶隙寬度與氮化鎵和氧化鋅接近,物理化學性能穩定,是一種很有前途的寬禁帶半導體材料。採用MOCVD方法生長金紅石和銳鈦礦晶型氧化鈦單晶薄膜材料。用氧化鋯、氧化鎂、鋁酸鍶鑭和R型氧化鈦等單晶基片為襯底。系統地研究不同襯底上...
本項目利用分子束外延(MBE)薄膜製備技術,提出了共沉積的薄膜生長方法,解決了MBE薄膜生長中原位精確校準化學計量比方面存在的困難,大幅提高氧化物外延薄膜製備的精度與效率。本項目還系統地研究並揭示了複雜多元氧化物薄膜生長過程中原位...
最佳化注入條件,並結合局部離子注入技術,製備出穩定性高、一致性好的HfO2基阻變薄膜。結題摘要 本項目圍繞阻變薄膜的製備技術與離子注入改性方法,系統研究了低操作電壓阻變單元的製備方法和高可控性單晶薄膜阻變器件的離子注入改性方法。 以...
外延系統 外延系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2009年9月10日啟用。技術指標 真空優於1x10-6Pa,樣品溫度-150℃到850℃。主要功能 生長有機、金屬和磁性氧化物薄膜。
本項目採用最新研製的強磁場下脈衝雷射沉積薄膜生長系統,選取BiFeO3基和磁鉛石結構六角型鐵氧體等具有室溫多鐵性和不同磁電機制的材料體系,進行強磁場下的薄膜原位生長和退火處理,研究磁場對薄膜的微結構和磁電性能的影響以及調控作用與...
mocvd生長中,我們所用的許多反應源(例如ph3、ash3、h2s以及一些mo源)都是有毒的物品,進行合理的尾氣循環處理是非常必要的。因此,在設計和使用時要考慮到這些因素,做好安全防護措。對於一些功能金屬氧化物薄膜而言,尋找高蒸氣壓、熱...