朱俊，男，博士、電子科技大學教授，博士生導師，1966年1月生，籍貫江蘇省。在南京大學物理系完成本科、碩士和博士的學習。
基本介紹
- 中文名：朱俊
- 國籍：中國
- 民族：漢
- 出生地：江蘇
- 出生日期：1966年1月
- 職業：教授
- 畢業院校：南京大學
- 學位/學歷：博士
- 專業方向：電子功能薄膜材料製備以及結構與性能相關性的研究
- 職務：教授，博士生導師
- 主要成就：負責或參加了重大基礎研究“973”項目（兩項）、國家自然科學基金重點項目（一項）等
- 學術代表作：Growth dynamics and cell migration in ferroelectric thin films
人物經歷,主講課程,研究方向,主要貢獻,
人物經歷
1995年至1996年在德國亞堔工業大學(RWTH-Aachen)做訪問學者進行合作研究。2004年4月到成都電子科技大學微電子與固體電子學院從事教學、科研工作至今。
主講課程
講授《半導體物理》、《凝聚態物理導論》本科生課程與《固體理論》研究生課程。
研究方向
1. 薄膜生長動力學研究：
分子束外延薄膜生長模式的可控 納米組合緩衝層 GaN上誘導介電薄膜外延。
2.介電、鐵電、鐵磁和半導體等異質複合結構的製備：
高性能鐵電薄膜在半導體上的外延生長。
3.多功能複合的新型器件的套用研究。
研究條件：
1.Lambda physik compex 201雷射器（Laser），能量0~500 mJ可調。
2. 雷射分子束外延（L-MBE），配有原位RHEED，可以研究氧化物薄膜的生長動力學規律。
3.脈衝雷射沉積（PLD）2套，配有霍爾離子源，用於複雜氧化物薄膜製備。
4.電子束蒸發/熱蒸發（E-beam Evaporator/ Thermal Evaporator），用於多種金屬電極製備。
5.介電、半導體材料及其結構電性能測試平台（Agilent 4156C、4294A、signatone probe station）。
主要用於：
半導體材料、器件性能測試與參數提取，介電材料C-V特性及頻譜測量。
另有管式快速退火爐、電漿清洗機等設備以及重點實驗室公共資源。
\Lambda physik compex 201雷射器 雷射分子束外延(L-MBE)系統。
電子束蒸發/熱蒸發 介電、半導體材料及其結構電性能測試平台。
主要貢獻
主要從事電子功能薄膜材料製備以及結構與性能相關性的研究。負責或參加了重大基礎研究“973”項目（兩項）、國家自然科學基金重點項目和國家自然科學基金面上項目。對Hf系氧化物高介電薄膜材料進行了創新的研究；對BST、PZT、LNO等介電、鐵電薄膜以及BFO、CFO等磁電薄膜的生長製備及結構與性能相關性的物理機理進行了系統的探索性研究。迄今已在國外核心雜誌(SCI)上，如：Applied physics letter， J. Applied physics ， Applied Physics A，J. Phys. D: Appl. Phys， Journal of Crystal Growth， Thin Solid Films等發表60多篇論文；並獲中國發明專利九項。在國際、國內學術會議上做邀請或口頭報告20多次。目前研究興趣在介電、鐵電、鐵磁和半導體等薄膜及相應的異質複合結構的製備，各種多相材料複合結構與新性能的研究以及相應的多功能複合的新器件的套用研究。近幾年在Nanoscale、Appl. Phys, Lett.、JAP等知名國際期刊上發表論文130餘篇，其中SCI 99篇。
代表性論文：
1. Growth dynamics and cell migration in ferroelectric thin films Applied Physics letters88, 152901(2006)。
2. Strain induced magnetic anisotropy in highly epitaxial CoFe2O4 thin films Applied Physics letters89, 262506(2006)。
3. Epitaxial properties of ZnO thin films on SrTiO3 substrates grown by laser molecular beam epitaxy
Applied Physics letters90, 151918(2007)。
4. Effects of chemical fluctuations on microstructures and properties of multiferroic BiFeO3 thin films
Applied Physics letters91, 082501 (2007)。
5. Epitaxial fabrication and memory effect of ferroelectric LiNbO3 film/AlGaN/GaN heterostructure
Applied Physics letters95, 232907 (2009)。
6. Electron trap memory characteristics of LiNbO3 film/AlGaN/GaN heterostructure
Applied Physics letters96, 032103 (2010)。
7. Growth of highly near-c-axis oriented ferroelectric LiNbO3 thin films on Si with a ZnO buffer layer
Applied Physics letters102, 051914 (2013)。
8. High-performance n-MoS2/i-SiO2/p-Si heterojunction solar cells Nanoscale7, 8304-8308(2015)。
