多源蒸發濺射鍍膜系統

多源蒸發濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2019年6月10日啟用。

基本介紹

• 中文名：多源蒸發濺射鍍膜系統
• 產地：中國
• 學科領域：電子與通信技術
• 啟用日期：2019年6月10日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備

技術指標

1.濺射室極限真空度：≤6x10-8Pa(經烘烤除氣後)，真空獲得採用分子泵(1200L/S) 和機械泵（8L/S）+ CF200主閥組成（分子泵和機械泵、真空規、用戶已備）；2.系統真空檢漏率：≤5.0x10-8Pa.l/S；系統從大氣開始抽氣：濺射室35分鐘可達到6.6x10-4 Pa；系統停泵關機12小時後真空度：≤5Pa；鍍膜室中配有1套2inch高性能永磁共焦磁控濺射靶（濺射靶角度可調），四組金屬蒸發源，一套射頻離子源，分布在一個圓周上（下底蓋位置均勻分布），各源可獨立/順次/共同工作，配個獨立擋板；樣品檯布置在真空室上部，可放置≥6英寸樣品1片，樣品具有連續旋轉功能，旋轉0-30轉/分連續可調。加熱裝置採用電阻絲進行加熱，加熱溫度範圍：室溫-1200°C，由熱電偶閉環反饋控制，控溫精度±0.1°C。升溫跟蹤±1°C。

主要功能

用於器件鍍膜。