磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年6月1日啟用。
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年6月1日啟用。技術指標(1)真空鍍膜室，304 SS；(2)真空抽氣系統，TMH/U 521C；(3)真空測量系統，KJLC/MKS 979；(4...
氣體質量流量計均採用MKS品牌，工藝氣體流量控制精度優於#177;1%。主要功能 該磁控濺射氣相沉積系統主要用於製備半導體電子功能薄膜以及多層膜，金屬導電薄膜材料等。通過反應濺射以及共濺射技術實現對電子薄膜材料結構，組分的精確控制。
由於反應氣體量的增加，靶面上會形成一層化合物，薄膜成分變化的同時沉積速率下降當氣體量按原來增加量減少時，放電曲線及沉積速率都出現滯後現象。方法 平衡磁控濺射 平衡磁控濺射即傳統的磁控濺射，是在陰極靶材背後放置芯部與外環磁場強度...
柔性襯底磁控濺射系統 柔性襯底磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月10日啟用。技術指標 柔性襯底沉積功能薄膜，不對襯底造成破壞。主要功能 在較低溫度在柔性襯底上沉積功能納米薄膜。
碲化鋅磁控濺射聯續鍍膜系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的分析儀器，於2017年1月1日啟用。技術指標 極限真空：2E-4Pa；大氣抽到6E-3Pa, 小於35分鐘。主要功能 在30cm*40cm*4mm的基板上濺射沉積兩種類型的薄膜。
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片，片內均勻性優於±5%，重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
雙室薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年6月1日啟用。技術指標 立式雙室，行星夾具，分子泵機械泵真空系統。主要功能 本系統設有直流磁控濺射、射頻磁控濺射和熱蒸發法鍍膜裝置，既能獨立實現濺射鍍膜，...
最後本項目進行了高功率脈衝磁控濺射薄膜厚度均勻性與靶基距關係模擬研究分析；採用PIC/Monte Carlo的方法，以半球模型為例，模擬研究了在45°傾斜角度下，半球表面塗層沉積厚度；同時用有限元方法模擬了直流輝光放電時“碗形”工件表面的...
磁控濺射子系統 磁控濺射子系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2001年11月30日啟用。技術指標 直流，磁控濺射，4英寸，高真空。主要功能 鍍制納米薄膜。
太陽能薄膜電池沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年1月3日啟用。技術指標 1、腔室配置及真空系統1個預抽室，1個樣品傳遞室（配裝高真空機械手），3～6個樣品製備室；樣品製備室包括：PECVD室和PVD（磁控濺射）室...
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器，於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔（反濺腔、濺射腔、氧化腔） 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa，能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
高性能真空系統，極限真空6×10-5Pa；沉積200nm的薄膜。在3英寸平面基底上十字交叉取9個點進行測試。薄膜厚度不均勻性≤±5%，邊緣去除5mm。主要功能 可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗，配備加熱系統可以將抽真空速度...
濺射的電壓越大，氧負離子轟擊膜層表面的能量也越大，那么造成這種結構缺陷的幾率就越大，產生晶體結構缺陷也越嚴重，從而導致了ITO薄膜的電阻率上升，一般情況下，磁控濺射沉積ITO薄膜時的濺射電壓在-400V左右，如果使用一定的工藝方法將...
研製了一套中空陰極磁控濺射裝置用於製備富勒烯。從理論上和實驗上研究了裝置參數對薄膜沉積速率和厚度均勻性的影響。石墨濺射未獲得預期的富勒烯。用簇團離子束沉積法製備了品質良好的C60多晶膜，系統研究了成膜條件對樣品成份和結構的...
