超高真空多功能磁控濺射系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2010年9月9日啟用。
基本介紹
- 中文名：超高真空多功能磁控濺射系統
- 產地：中國
- 學科領域：物理學、電子與通信技術
- 啟用日期：2010年9月9日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
極限真空:系統經48小時連續烘烤抽氣後,其極限真空可達≤6.6×10-6Pa(5×10-8Torr)。 系統抽速:從大氣開始抽氣,在≤30分鐘內,離子束室真空度≤6×10-4Pa。 磁控濺射室: 採用離子束濺射室:濺射離子槍引出柵直徑Φ80mm，束流控制範圍0~150mA；輔助沉積離子槍引出柵直夜舟夜抹徑Φ60mm，束流控制範圍0~120mA；樣品最大尺寸Φ40mm接收濺射粒子沉積成膜。樣品可奔譽煉頁連續迴轉；樣品加熱最高加熱溫度800℃±1℃。 進樣室: 可放置6片(Φ40)樣品,可上下升降，可對樣品基片加熱至850˚C。
主要功能
該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備，可用於開發納米級的跨灑贈單層及多層功能膜-各種硬質膜、光學膜膠民微、金屬膜、半導體膜、磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個、直流電源、射頻電剃旬烏源、離子束室挨鞏祝等組成。該系統具有離子束濺射鍍膜、磁控濺射鍍膜、樣品清洗及退火處理功能，每種沉積方式地犁都有可以間替地對多種材料進行沉積。
